Патенты автора Зенкевич Андрей Владимирович (RU)
Использование: для создания интегрального элемента логики на основе многослойных структур из наноразмерных слоев металлов и изоляторов. Сущность изобретения заключается в том, что наноразмерный искусственный нейрон на основе многослойной структуры содержит первый слой металла M1, первый слой изолятора И1, слой хранения заряда СХЗ, второй слой изолятора И2 и второй слой метала М2, при этом первый слой изолятора И1 выполнен из материала с высокой степенью нелинейности вольт-амперной характеристики, причем такой, что сопротивление изолятора И1 резко падает при превышении заданной напряженности электрического поля, а второй слой изолятора И2 представляет собой тонкопленочный материал, характеризующийся возможностью обеспечения соответствующего заданного уровня тока через него для различных направлений протекания тока: из второго слоя металла М2 в слой хранения заряда СХЗ и в противоположном направлении. Технический результат: обеспечение возможности создания максимально простого двухтерминального устройства, обладающего функционалом «интегрировать-и-сработать» по принципу действия биологического нейрона: накапливать входной сигнал и при превышении им определенного порога выдавать токовый сигнал во внешнюю цепь. 11 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегрального элемента логики и/или энергонезависимой памяти на основе структур металл-изолятор-металл (МИМ). Задачей данного изобретения является создание мемристора, который отличается отсутствием «формовки» при первоначальном переключении структуры в состояния с малым сопротивлением. Поскольку этот этап является критически важным для получения необходимых характеристик МИМ-структур, то отсутствие данного этапа дает возможность получения больших матриц МИМ-структур с однородными параметрами. Способ формирования мемристора на основе металл-изолятор-металл структуры включает формирование слоя изолятора из твердотельного сплава Si:Me, который формируют с заранее заданным профилем концентрации металла Me по толщине. Для этого рост изолятора осуществляют путем поочередного осаждения сверхтонких слоев Si и Me различной толщины таким образом, что обеспечивается рост концентрации Me в Si, по направлению от нижнего электрода к верхнему электроду в пределах 1-25%. Также создан мемристор на основе металл-изолятор-металл структуры. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей. Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на кремнии монокристаллическом включает распыление керамической мишени SiC путем сканирования по ее поверхности лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую подложку. Распыление осуществляют лазером с длиной волны излучения λ=1,06 мкм и выходной энергией излучения 0,1÷0,3 Дж при остаточном давлении в ростовой камере 10-4-10-6 Па и при температуре подложки 950÷1000°C. Обеспечивается получение эпитаксиальных слоев карбида кремния кубической модификации (β-SiC) на подложках кремния монокристаллического (Si) кристаллографической ориентации (111) и (100). 4 ил.
Изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники. Мемристорные устройства являются устройствами энергонезависимой памяти и могут быть использованы для создания компьютерных систем на основе архитектуры искусственных нейронных сетей. Данное устройство состоит из активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями, находящегося с ними в электрическом контакте. Активный слой обладает свойством резистивного переключения и представляет собой двухслойную оксидную структуру HfAlxOy/HfO2. Слой HfAlxOy имеет высокую растворимость и высокую равновесную концентрацию кислородных вакансий, а HfO2 является слоем с низкой растворимостью вакансий. Токопроводящие слои выполнены их нитрида титана или нитрида вольфрама. На границе раздела HfO2/TiN наносится сверхтонкий слой оксида рутения толщиной не менее 0.5 нм. Изобретение обеспечивает повышение стабильности режимов переключения сопротивления в низко- и высокоомное состояние, снижение напряжения переключения, высокую технологическую совместимость с существующими процессами производства кремниевых микросхем. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к способам получения тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе моносульфида самария, и может быть использовано для создания переключающих устройств, например устройств энергонезависимой памяти на основе перехода металл-полупроводник
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ EuS // 2428505
Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, в частности к области получения тонкопленочных слоев магнитных полупроводников, и может быть использовано при получении интегральных схем
Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии
Изобретение относится к области микроэлектроники
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов, в частности к способам управления напряжением срабатывания полевого КМОП транзистора
Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии
