Патенты автора Лебединский Юрий Юрьевич (RU)

Изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники. Мемристорные устройства являются устройствами энергонезависимой памяти и могут быть использованы для создания компьютерных систем на основе архитектуры искусственных нейронных сетей. Данное устройство состоит из активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями, находящегося с ними в электрическом контакте. Активный слой обладает свойством резистивного переключения и представляет собой двухслойную оксидную структуру HfAlxOy/HfO2. Слой HfAlxOy имеет высокую растворимость и высокую равновесную концентрацию кислородных вакансий, а HfO2 является слоем с низкой растворимостью вакансий. Токопроводящие слои выполнены их нитрида титана или нитрида вольфрама. На границе раздела HfO2/TiN наносится сверхтонкий слой оксида рутения толщиной не менее 0.5 нм. Изобретение обеспечивает повышение стабильности режимов переключения сопротивления в низко- и высокоомное состояние, снижение напряжения переключения, высокую технологическую совместимость с существующими процессами производства кремниевых микросхем. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к способам получения тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе моносульфида самария, и может быть использовано для создания переключающих устройств, например устройств энергонезависимой памяти на основе перехода металл-полупроводник

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, в частности к области получения тонкопленочных слоев магнитных полупроводников, и может быть использовано при получении интегральных схем

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов, в частности к способам управления напряжением срабатывания полевого КМОП транзистора

 


Наверх