Патенты автора Крупенин Владимир Александрович (RU)
Изобретение относится к нанотехнологиям, а именно к технологиям изготовления одноэлектронных транзисторов с островом в виде единичных атомов в кристаллической решетке. Технический результат, достигаемый при использовании заявляемого изобретения, заключается в обеспечении высокой (~5 нм) точности позиционирования слоя с управляющими электродами относительно слоя с туннельными электродами. Поставленная задача решается тем, что способ изготовления одноэлектронного одноатомного транзистора с открытым каналом, согласно техническому решению, включает последовательное: нанесение слоя позитивного электронного резиста (ЭРП) на пластину кремния на изоляторе (КНИ); формирование рисунка туннельных электродов проявления экспонированного рисунка в проявителе; напыление пленки стойкого к щелочному травлению металла на пластину с рисунком туннельных электродов с последующим удалением оставшегося резиста и пленки металла на нем в растворителе, нанесение пленки ЭРП на полученную пластину с туннельными электродами и формирование рисунка маски; напыление пленки маскирующего материала, растворимого в щелочном растворе; удаление верхнего слоя кремния пластины КНИ; нанесение слоя резиста на полученную пластину с туннельными электродами с последующим формированием щели в полученном слое резиста; напыление слоя стойкого металла в сформированную щель с образованием управляющих электродов; растворение маскирующего материала с остатками стойкого металла на нем в щелочном травителе. Технический результат достигается за счет использованием одного и того же жертвенного слоя (слой алюминия) как на этапе травления кристаллического канала, так и при напылении управляющих электродов. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 15 ил.
Группа изобретений относится к области биохимии. Предложен микросенсор и способ для определения концентрации клеток плесневых грибов в водных и воздушных средах, а также способ получения данного микросенсора. Микросенсор содержит размещенную на диэлектрической подложке систему из встречно-штыревых микроэлектродов, где штыревая часть микроэлектродов расположена друг от друга на расстоянии от 1 до 20 микрон и область встречно-штыревой части микроэлектродов модифицирована полимером поли(3-аминофенилборной кислоты). Способ получения микросенсора включает электрополимеризацию мономера 3-аминофенилборной кислоты на встречно-штыревых микроэлектродах. Способ определения концентрации плесневых грибов включает размещение микросенсора в исследуемую водную среду или поток воздушной среды, регистрацию спектров электрохимического импеданса, определение из спектров сопротивления полимера поли(3-аминофенилборной кислоты) и определение количественного содержания плесневых грибов по градуировочной зависимости. Изобретения обеспечивают определение присутствия микроорганизмов с высокой точностью. 3 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 пр.
СПОСОБ СУХОЙ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ЛИТОГРАФИИ // 2629135
Использование: для формирования резистных масок. Сущность изобретения заключается в том, что наносят слой резиста, в качестве которого выбирают низкомолекулярный полистирол, на подложку методом термического вакуумного напыления, при этом температура подложки во время напыления не более 30°C; формируют на подложке скрытое изображение путем локального экспонирования высокоэнергетичным пучком электронов с дозой засветки 2000-20000 мкКл/см2; проявляют резист при подогреве подложки в вакууме до температуры 600-800 К и при давлении не более 10-1 мбар и плазменное травление для переноса рисунка резистной маски в подложку для формирования микро- и наноструктуры на подложке. Технический результат: обеспечение возможности повышения разрешающей способности готовой структуры формирования наноструктур на поверхностях неровной сложной формы, таких как микроэлектромеханические системы, оптоволокно, кантилеверы и пр.; и создания очень тонких пленок резиста (в некоторых определенных случаях менее 20 нм). 7 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для изготовления функциональных элементов наноэлектроники. Техническим результатом является возможность совмещения острия зонда с выполняемой на нем наноструктурой на предопределенных расстояниях 0-50 нм от оконечности острия. Способ изготовления элементов с наноструктурами для локальных зондовых систем включает нанесение на подложку из монокристаллического кремния с ориентацией {100}, по меньшей мере, одного слоя маскирующего покрытия, в котором формируют рисунок шаблона с выделением, по меньшей мере, трех областей, размещенных по взаимно перпендикулярным осям, совпадающим с двумя перпендикулярными кристаллографическими осями <110> подложки, задающих направление разлома подложки на соответствующее количество элементов и образующих на поверхности маскирующего покрытия каждого элемента вблизи точки пересечения указанных осей площадки для размещения наноструктуры, проведение жидкостного травления подложки через сформированный в маскирующем покрытии рисунок шаблона до проявления фигур травления в теле подложки в форме треугольных канавок, образованных пересечением плоскостей {111} подложки, формирование наноструктур на упомянутых площадках литографическими методами и разделение подложки на указанные элементы по линиям, образованным канавками. 8 з.п. ф-лы, 6 ил.
Зонд для сканирующего зондового микроскопа включает размещенный на острие кантилевера зарядовый сенсор в виде одноэлектронного транзистора, выполненного в слое кремния, допированном примесью до состояния вырождения, структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) на подложке. Транзистор имеет два подводящих электрода, размещенные под острым углом друг к другу в плоскости подложки, сходящиеся концы которых контактируют с проводящим островом транзистора и выполняют функции истока и стока, и средний электрод заостренной формы, размещенный в зоне схождения подводящих электродов, острие которого направлено в сторону проводящего острова с образованием емкостного зазора с последним, выполняющий функции затвора транзистора. Перемычки в зоне контакта концов подводящих электродов с островом транзистора выполнены резистивными с возможностью образования туннельного перехода, ребро подложки скошено, а остров транзистора, перемычки и примыкающие к скосу оконечные части подводящих и среднего электродов выступают за пределы слоя изолятора. Технический результат состоит в исключении паразитного шумового влияния подвижных зарядов, сосредоточенных в слое изолятора пластины КНИ, увеличение зарядовой чувствительности зондового устройства. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.
ТУННЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО // 2367059
Изобретение относится к функциональным устройствам наноэлектроники и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной и спиновой памяти
