Патенты автора Щепихин Александр Иванович (RU)

Изобретение относится к классу измерительных приборов и может быть использовано при разработке и изготовлении датчиков абсолютного давления с высокими метрологическими и эксплуатационными характеристиками. Устройство включает штуцер (1), воспринимающий элемент (3), выполненный в виде сильфона, соединенный со штуцером (1) с одной стороны и заглушкой (4) - с другой, шток (5), соединяющий заглушку (4), чувствительный элемент (6) и упругий элемент (7), выполненный в виде мембраны, корпус (2), соединяющий штуцер (1) и упругий элемент (7) и камеру разрежения (8), соединенную с упругим элементом (7). При этом в нем имеется три полости: воспринимающая, ограниченная штуцером (1), воспринимающим элементом (3) и заглушкой (4), средняя, ограниченная штуцером (1), воспринимающим элементом (3), заглушкой (4), корпусом (2) и упругим элементом (7), и опорная, ограниченная упругим элементом (7) и камерой разрежения (8), в которой создается разрежение через открытый ниппель (9). Технический результат заключается в увеличении точности измерений и срока службы датчика. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензодатчикам, предназначенным для измерения деформации твердых тел, и может быть использовано для контроля состояния высокопрочных материалов и конструкций из них. Датчик деформации, содержащий корпус, основу, тензочувствительные элементы с контактами, упругий элемент, отличающийся тем, что упругий элемент выполнен в виде балки, работающей на изгиб, закрепленной на основании с двух сторон, при этом к центру балки присоединен жесткий рычаг, соединенный с тягой, которая в свою очередь соединена с несущим основанием посредством гибких шарниров, при этом тензочувствительные элементы сформированы на балке и соединены в мост Уитсона. Технический результат заключается в миниатюризации размеров датчика с сохранением высокой чувствительности датчика. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технике полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению термо- и тензорезисторов на основе тензочувствительных полупроводниковых материалов. Резистор включает сформированный на подложке изоляционный слой, поверх которого сформирован слой полупроводника, снабженный на концах контактами, выполненными из слоев металлов. Контакты выполнены четырехслойными. Первый слой расположен на части поверхности полупроводника и на части изоляционного слоя и выполнен из алюминия. Второй слой выполнен из интерметаллида Ni-Al. Третий слой контактных дорожек выполнен из никеля. Четвертый слой выполнен из интерметаллида Ni-Al. Указанная структура дополнительно покрыта внешним слоем защитного покрытия, выполненного из оксида кремния SiO. Использование изобретения позволяет обеспечить стабильность электрических параметров и повысить устойчивость к воздействию повышенных температур. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технике полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению термо- и тензорезисторов на основе тензочувствительных полупроводниковых материалов. Резистор включает сформированный на подложке изоляционный слой, слой полупроводника, снабженный на концах контактами, выполненными в виде слоя металла. Резистор дополнительно снабжен нижним буферным и верхним буферным слоями. Нижний буферный слой расположен между изоляционным слоем и слоем полупроводника. Верхний буферный слой расположен на слое полупроводника. Нижний и верхний буферные слои выполнены из оксисульфида самария. Полученная структура дополнительно покрыта внешним защитным слоем. Использование изобретения позволяет минимизировать деградацию параметров полупроводникового тензорезистивного чувствительного элемента при повышенных рабочих температурах и обеспечить стабильность электрических параметров. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технике полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению термо- и тензорезисторов на основе тензочувствительных полупроводниковых материалов

Изобретение относится к технике полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению тензодатчиков механических величин на основе тензочувствительных полупроводниковых резисторов

 


Наверх