Патенты автора ОДНОБЛЮДОВ Максим (FI)

Изобретение относится к полупроводниковым структурам, полученным на полупроводниковой подложке с пониженной плотностью пронизывающих дислокаций
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх