Патенты автора Заварин Евгений Евгеньевич (RU)
Изобретение относится к технологии химического нанесения покрытий путем разложения газообразных соединений, в частности к способам введения газов в реакционную камеру. Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов III группы включает подачу в реактор 5 по крайней мере двух потоков реакционноспособных газов через вводы 1, 2, по крайней мере один из которых смешивают с несущим газом, при этом в качестве источников металлов третьей группы используют триметилалюминий, триметилиндий, триметилгаллий, триэтилгаллий, или их смеси, а в качестве источника азота - аммиак, при этом перед подачей в реактор 5 потоки газов 1, 2 направляют в по крайней мере одну соединенную с реактором 5 смесительную камеру 3 для приготовления газовой смеси, после чего полученную смесь газов направляют в реактор 5 через формирователь потока 4, выполненный с возможностью подачи газов в реактор 5 в условиях ламинарного потока, причем стенки камеры 3 и формирователь потока 4 нагревают и поддерживают при температуре 40÷400°C, при этом внутренний объем смесительной камеры 3 удовлетворяет соотношению V<Q⋅(Pst/P)4T/Tst)⋅1 с, где V - внутренний объем смесительной камеры, см3; Q - полный суммарный расход газа через камеру, выраженный в см3/с, при стандартных условиях; Pst, Tst - стандартные значения температуры и давления (Р=105 Па, Т=273,15 К); Р - давление в смесительной камере; Т - минимальная температура в смесительной камере. Благодаря этим решениям в реактор подается газовая смесь с заданными параметрами и одновременно исключается формирование вихрей. Максимально допустимый объем смесительной камеры выбирают с учетом параметров процесса и требуемой резкости гетеропереходов. В результате обеспечивается возможность получения многослойных эпитаксиальных структур с заданными параметрами на основе нитридов металлов III группы при одновременном повышении производительности и рентабельности процесса их эпитаксиального выращивания. 2 з.п. ф-лы, 8 ил., 3 табл.
Изобретение к полупроводниковым электролюминесцентным излучателям с управляемыми цветовыми характеристиками. Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель включает соединенный с источником электропитания полупроводниковый светоизлучающий кристалл, генерирующий световой поток при протекании через него питающего тока, при этом использован кристалл, излучающий свет, по меньшей мере, в двух различных спектральных диапазонах с регулируемым путем изменения параметров электропитания соотношением интенсивностей излучений различного спектрального диапазона. Согласно изобретению использован источник электропитания, снабженный схемой амплитудно-широтной импульсной модуляции питающего тока, обуславливающей изменение величины амплитуды и длительности импульсов питающего тока при обеспечении постоянства силы света генерируемого кристаллом светового потока. Изобретение обеспечивает повышение комфортности зрительного восприятия света, генерируемого излучателем с изменяемыми цветовыми характеристиками. 1 з.п. ф-лы.
НИТРИДНОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО // 2426197
Изобретение относится к нитридному полупроводниковому светоизлучающему устройству
