Патенты автора Цацульников Андрей Федорович (RU)
Светоизлучающий диод на кремниевой подложке // 2755933
Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а именно к светоизлучающим диодам. Светоизлучающий диод содержит подложку из кремния с нанесенным на нее слоем карбида кремния, на котором сформированы слои светоизлучающей структуры, и снабжен токоподводящими контактами. Согласно изобретению на границе раздела кремния и карбида кремния в кремнии сформирован разуплотненный слой с тупиковыми порами, не содержащими внедренного материала карбида кремния и обеспечивающими увеличение отражения света от подложки и его рассеяние. Светоизлучающая структура, сформированная на слое карбида кремния, содержит буферный слой, слои n-типа проводимости, активную область, слои р-типа проводимости. Эти слои сформированы из III-нитридных материалов. Изобретение обеспечивает повышение квантового выхода светоизлучающих диодов за счет уменьшения поглощения и увеличения отражения и рассеяния света на границе раздела подложка/светоизлучающая гетероструктура. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к технологии химического нанесения покрытий путем разложения газообразных соединений, в частности к способам введения газов в реакционную камеру. Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов III группы включает подачу в реактор 5 по крайней мере двух потоков реакционноспособных газов через вводы 1, 2, по крайней мере один из которых смешивают с несущим газом, при этом в качестве источников металлов третьей группы используют триметилалюминий, триметилиндий, триметилгаллий, триэтилгаллий, или их смеси, а в качестве источника азота - аммиак, при этом перед подачей в реактор 5 потоки газов 1, 2 направляют в по крайней мере одну соединенную с реактором 5 смесительную камеру 3 для приготовления газовой смеси, после чего полученную смесь газов направляют в реактор 5 через формирователь потока 4, выполненный с возможностью подачи газов в реактор 5 в условиях ламинарного потока, причем стенки камеры 3 и формирователь потока 4 нагревают и поддерживают при температуре 40÷400°C, при этом внутренний объем смесительной камеры 3 удовлетворяет соотношению V<Q⋅(Pst/P)4T/Tst)⋅1 с, где V - внутренний объем смесительной камеры, см3; Q - полный суммарный расход газа через камеру, выраженный в см3/с, при стандартных условиях; Pst, Tst - стандартные значения температуры и давления (Р=105 Па, Т=273,15 К); Р - давление в смесительной камере; Т - минимальная температура в смесительной камере. Благодаря этим решениям в реактор подается газовая смесь с заданными параметрами и одновременно исключается формирование вихрей. Максимально допустимый объем смесительной камеры выбирают с учетом параметров процесса и требуемой резкости гетеропереходов. В результате обеспечивается возможность получения многослойных эпитаксиальных структур с заданными параметрами на основе нитридов металлов III группы при одновременном повышении производительности и рентабельности процесса их эпитаксиального выращивания. 2 з.п. ф-лы, 8 ил., 3 табл.
НИТРИДНОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО // 2426197
Изобретение относится к нитридному полупроводниковому светоизлучающему устройству
