Патенты автора Николаев Андрей Евгеньевич (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а именно к светоизлучающим диодам. Светоизлучающий диод содержит подложку из кремния с нанесенным на нее слоем карбида кремния, на котором сформированы слои светоизлучающей структуры, и снабжен токоподводящими контактами. Согласно изобретению на границе раздела кремния и карбида кремния в кремнии сформирован разуплотненный слой с тупиковыми порами, не содержащими внедренного материала карбида кремния и обеспечивающими увеличение отражения света от подложки и его рассеяние. Светоизлучающая структура, сформированная на слое карбида кремния, содержит буферный слой, слои n-типа проводимости, активную область, слои р-типа проводимости. Эти слои сформированы из III-нитридных материалов. Изобретение обеспечивает повышение квантового выхода светоизлучающих диодов за счет уменьшения поглощения и увеличения отражения и рассеяния света на границе раздела подложка/светоизлучающая гетероструктура. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение к полупроводниковым электролюминесцентным излучателям с управляемыми цветовыми характеристиками. Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель включает соединенный с источником электропитания полупроводниковый светоизлучающий кристалл, генерирующий световой поток при протекании через него питающего тока, при этом использован кристалл, излучающий свет, по меньшей мере, в двух различных спектральных диапазонах с регулируемым путем изменения параметров электропитания соотношением интенсивностей излучений различного спектрального диапазона. Согласно изобретению использован источник электропитания, снабженный схемой амплитудно-широтной импульсной модуляции питающего тока, обуславливающей изменение величины амплитуды и длительности импульсов питающего тока при обеспечении постоянства силы света генерируемого кристаллом светового потока. Изобретение обеспечивает повышение комфортности зрительного восприятия света, генерируемого излучателем с изменяемыми цветовыми характеристиками. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к нитридному полупроводниковому светоизлучающему устройству

 


Наверх