Патенты автора Зельцер Игорь Аркадьевич (RU)

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов) с азотированными контактными поверхностями. Особенностью устройства группового изготовления герконов с азотированными контактными площадками является то, что оно снабжено одинаковыми модулями, каждый из которых состоит из 2 неподвижных статоров, контактных площадок, предназначенных для установки герконов, подключенных, с помощью проводников, к блоку питания переменного тока, и ротором, подключенным к механизму вращения и расположенным в зазоре между 2 статорами, таким образом, чтобы обеспечить при своем вращении с угловой скоростью f поочередное замыкание-размыкание контакт-деталей герконов с частотой ϑ=fN за счет воздействия на них магнитного поля N постоянных магнитов установленных на нем. Техническим результатом заявленного устройства является снижение себестоимости геркона за счет замены низкопроизводительного оборудования с неподвижными намагничивающими катушками, на более высокопроизводительное оборудование, действие которого основано на применении вращающихся постоянных магнитов. 6 ил.

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов). Техническим результатом заявленного способа является снижение себестоимости геркона за счет замены низкопроизводительного оборудования на высокопроизводительное оборудование, действие которого основано на применения вращающихся постоянных магнитов и напряжения, подаваемого на контакты геркона, в форме меандра, полярность импульсов которого меняется синхронно с каждым оборотом постоянных магнитов. Способ изготовления геркона позволяет сформировать азотированные контактные площадки непосредственно там, где при коммутации электрического тока происходит физический контакт контакт-деталей геркона, что повышает эрозионную стойкость и, как следствие, наработку герконов на отказ. 2 з.п. ф-лы, 13 ил.
Изобретение относится к области защиты металлов от коррозии и может быть использовано для защиты насосно-компрессорных труб от коррозионного и эрозионного воздействия среды. Способ нанесения антикоррозионного защитного покрытия на внутреннюю поверхность насосно-компрессорной трубы включает предварительную очистку поверхности и последующее нанесение слоев защитного покрытия, при этом после предварительной очистки на внутреннюю поверхность трубы наносят слой кремния толщиной 0,2-3,0 микрона ударно-кинетическим методом, а на естественную окисную пленку оксида кремния наращивают слой пористого оксида кремния с размерами пор 10-100 микрон с использованием щелочи и порошкового оксида кремния при температуре 200-300°С, подготовленный пористый слой пропитывают полимерной композицией и подвергают финишной температурной обработке. Технический результат: создание антикоррозионного износостойкого покрытия с высокой адгезией, длительным сроком службы и высокой химической стойкостью. 3 з.п. ф-лы

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов). Техническим результатом является повышение качества и ресурса работы за счет локализации азотируемых контактных площадок в области физического контакта при замыкании контакт-деталей геркона. Ионно-плазменную обработку проводят в условиях воздействия на контакт-детали геркона переменных магнитного и электрического полей, вызывающих периодическое замыкание-размыкание контакт-деталей с частотой 200-1000 Гц, протекание-разрыв электрического тока через геркон под действием приложенного к его контакт-деталям напряжения 100-250 В переменного тока 10-250 мА с частотой смены полярности 50 Гц в течение 0,25-60 мин. Таким образом, процесс азотирования поверхности контакт-деталей геркона осуществляется за счет электрической эрозии и переноса на катод материала анода в среде азотной плазмы. 6 ил.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов). Техническим результатом является ограничение объема массопереноса при каждом срабатывании и создание условий на поверхности покрытия, препятствующих локализации эрозии, стимулирующих переход ее к планарному типу. Технический результат достигается за счет формирования в процессе ионно-плазменной обработки на контактных поверхностях геркона квазипериодической структуры азотированных нановыступов в форме конусов (конусоподобной формы) высотой 10-100 нм, диаметром основания 0,5-1 мкм и квазипериодом 1-2 мкм.
Изобретение относится к технике, связанной с процессами ионно-плазменного легирования полупроводников и может быть использовано в производстве солнечных элементов, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе кремния. Способ легирования кремния заключается в том, что пластину кремния обрабатывают в тлеющем разряде инертных газов, не являющихся легирующими примесями, в качестве источника легирующих примесей используют сильнолегированный электрод в форме пластины, выполненный из гетерогенного сплава кремния с фосфором или бором, а процесс легирования осуществляют при периодической смене полярности импульсов напряжения, подаваемого на электроды. Плазменное легирование может проводиться без специальных мер безопасности при исключении из процесса дорогостоящих высокочистых токсичных пожаровзрывоопасных газов, что упрощает процесс и снижает затраты. До ионно-плазменной обработки сопротивление пластины кремния составляло 10 Ом, после обработки оно уменьшилось до 3 Ом, что свидетельствует об улучшении технико-экономических параметров легирования кремния.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к конструкции магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано при промышленном производстве этих приборов. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности работы магнитоуправляемого герметизированного контакта в течение длительного времени, удаление окислов металлов, упрощение технологии создания контакта, в ряде случаев исключение использования драгметаллов в контактном покрытии. Технический результат достигается за счет того, что в магнитоуправляемом герметизированном контакте с ферромагнитными контакт-деталями, помещенными в стеклянный корпус, в приповерхностной области контактирующей поверхности контакт-деталей расположен контактный металлический материал, обогащенный ионами - протонами водорода на глубину не более 10 мкм. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электротехнике, в частности к конструкции магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано в промышленном производстве этих приборов

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам создания магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано в промышленном производстве этих приборов

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов

Изобретение относится к области электротехники, в частности к конструкции магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано в промышленном производстве этих приборов
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов)

Изобретение относится к области электротехники, в частности к конструкции магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано в промышленном производстве этих приборов

Изобретение относится к аппаратуре для анализа структуры поверхности, приповерхностных слоев и границ раздела кристаллов методом, основанным на энергодисперсионных измерениях вторичной эмиссии (фото- и оже-электронов, рентгеновского флуоресцентного излучения), возбуждаемой в кристалле стоячей рентгеновской волной, и получившим название метода стоячих рентгеновских волн

Изобретение относится к аппаратуре для анализа структуры поверхности, приповерхностных слоев и границ раздела кристаллов методом, основанным на энергодисперсионных измерениях вторичной эмиссии (фото- и оже-электронов, рентгеновского флуоресцентного излучения), возбуждаемой в кристалле стоячей рентгеновской волной, получившим название метода стоячих рентгеновских волн

 


Наверх