Патенты автора Двуреченский Анатолий Васильевич (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. В способе получения эпитаксиальной пленки силицида кальция сначала осаждают CaF2 на подложку со слоем кремния на ее рабочей поверхности, формируют слой CaF2 от 4 до 10 нм или от 20 до 40 нм. Затем одновременно облучают частицами ионизирующего излучения с энергией, обеспечивающей в отношении CaF2 возбуждение, разложение и формирование атомарного Са, и проводят высокотемпературную обработку. Обработку реализуют посредством поддержания нагретого состояния подложки до температуры и течение времени, обеспечивающих в отношении облучаемых участков слоя CaF2 получение слоя силицида кальция CaSi2 характерной пространственной группы В другом варианте способа осуществляют одновременно осаждение CaF2 на слой кремния, облучение частицами ионизирующего излучения, проведение высокотемпературной обработки в течение времени, обеспечивающего в отношении облучаемых участков осаждения CaF2 получение слоя силицида кальция CaSi2 характерной пространственной группы Осаждение CaF2 осуществляют в отношении количества дифторида кальция, которое эквивалентно в пересчете на формируемую толщину слоя CaF2 от 4 до 10 нм или от 20 до 100 нм в течение времени, обеспечивающего в отношении облучаемых участков осаждения CaF2 получение слоя силицида кальция. Технический результат выражается в достижении получения строго заданного, единого, политипа формируемой пленки CaSi2 с реализацией получения как 6R, так и 3R политипа, характерных для пространственной группы 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к медицинской технике. Датчик пульсовой волны содержит кремниевую микроканальную мембрану (1) с диэлектрическим слоем (2) на поверхности, камеру (5), упругие мембраны (6), электроды (3). Камера заполнена рабочей жидкостью (8) и соединена с возможностью формирования внутренних полостей камеры и перемещения рабочей жидкости (8) между внутренними полостями камеры с кремниевой микроканальной мембраной (1). Камера (5) снабжена упругими мембранами (6) для возможности перемещения рабочей жидкости (8) между внутренними полостями камеры при механическом воздействии, по крайней мере, на одну из них. Во внутренних полостях камеры (5) расположено по электроду (3). В отношении электродов обеспечено появление разности электрических потенциалов при движении рабочей жидкости через микроканалы и разделении электрических зарядов между торцевыми поверхностями кремниевой микроканальной мембраны. Достигается высокая чувствительность датчика при неинвазивном способе применения и без электронной обработки измеряемого сигнала. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой, органической и гибридной оптоэлектроники и может быть использовано в системах обработки оптической информации. Техническим результатом изобретения является реализация возможности монолитного изготовления линеек и матриц органических фотоприемников в варианте с активным усилением малого заряда и тока фотопроводимости, что позволит усилить сигнал от ячейки фотоприемника, а также избежать гибридной сборки. В устройстве для усиления сигнала от ячейки матричного фотоприемника фоточувствительная ячейка и усилитель, выполненный как тонкопленочный полевой транзистор, изготовлены монолитно на общей подложке прозрачной в диапазоне детектируемого излучения. Кроме того, в фоточувствительной ячейке фоточувствительный органический слой выполнен из органических материалов на основе полиметиновых красителей. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении наноструктур. Способ получения структурированной поверхности полупроводников, заключающийся в том, что на поверхности полупроводниковой пластины выращивают защитный слой, на который наносят маску со вскрытыми окнами заданного размера, затем проводят облучение поверхности полупроводниковой пластины потоком ионов через маску и защитный слой, что приводит к получению аморфного слоя в полупроводниковой пластине во вскрытых окнах маски. Полученный аморфный слой перед удалением окисляют, затем удаляют оксиды, а также с поверхности полупроводниковой пластины удаляют защитный слой и маску. Использование способа позволяет значительно увеличить площадь структурированной поверхности полупроводниковых пластин с упорядоченно расположенными затравочными областями нанометрового размера, расширить диапазон размеров и сохранить заданные размеры затравочных областей, защитить поверхность полупроводниковой пластины от загрязнений. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для ионизации атомарных или молекулярных потоков и формирования ионных пучков в полупроводниковой технологии в области молекулярно-лучевой эпитаксии

 


Наверх