Патенты автора Акимов Владимир Михайлович (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников (ФП) и может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения, в том числе гибридных. Способ получения распределения чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника (МФП) с помощью сканирующей маски при температуре жидкого азота включает то, что измерения осуществляют неразрушающим способом при помощи пластины, прозрачной в области спектральной чувствительности МФП с частично закрытыми металлическим слоем непрозрачными областями, которая контактируется металлической поверхностью непосредственно с МФП под тяжестью собственного веса в зондовой установке открытого типа и выравнивается по углу поворота в горизонтальной плоскости при поднятии зондового манипулятора с фиксированным расположением контактов относительно БИС считывания до уровня верхнего края пластины, порезанной по линиям, параллельным направлению расположения окошек в маске, и сдвигом ее по оси перпендикулярно линии выравнивания фиксированных зондов, а перед размещением пластины с маской МФП калибруется с проведением двухточечной коррекции для выравнивания чувствительности. Изобретение обеспечивает возможность оперативного получения распределения чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника, из которого вычисляются такие важные параметры, как величина взаимосвязи и частотно-контрастная характеристика, с помощью неразрушающего метода сканирующей маски на основе открытой зондовой установки. 5 з.п. ф-лы, 20 ил., 3 пр.

Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники, а именно к технологии изготовления фотоприемников с высокой фоточувствительностью, и может быть использовано для создания как дискретных, так и матричных фотоприемных устройств (МФПУ) для регистрации объектов в условиях малой освещенности в видимом и ближнем ИК диапазонах спектра. Способ изготовления фотоприемника на основе биполярного фототранзистора на полупроводниковой подложке включает в себя создание легированных областей коллектора, базы и эмиттера, формирование контактных площадок к легированным областям, при этом на поверхности базы и на прилегающие к ней области p-n-переходов эмиттер - база и коллектор - база формируют слой подзатворного диэлектрика, на который наносят проводящий слой материала затвора, перекрывающего область базы и p-n-переходы эмиттер - база и коллектор - база, при этом электрод затвора изготавливают с возможностью доступа светового потока к области базы и прилегающим к ней областям p-n-переходов. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента усиления видеосигнала фотоприемника и упрощение технологии его изготовления. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии изготовления жестких зондовых головок, предназначенных для осуществления электрической связи контактных площадок кристаллов БИС с внешними схемами контроля и измерения параметров БИС. Задачей изобретения является разработка способа сборки ЖЗГ, предназначенных для контроля кристаллов с любым расположением контактных площадок, в том числе по всей поверхности кристалла, при сохранении одинаковых длин вылета зондов по всей ЖЗГ. Технический результат достигается тем, что конфигурация внутренней границы армирующего кольца определяется конкретно для каждого кристалла путем расчета длин вылета зондов до каждой контактной площадки. Форма внутренней границы армирующего кольца определяется ломанной кривой, соединяющей точки на каждом зонде, находящемся на равноудаленном расстоянии от точки касания контактной площадки, а внутренний радиус формирующего кольца равен наибольшему расстоянию от центра армирующего кольца. Внешняя граница армирующего кольца совпадает с внешней границей соответствующего для данного размера кристалла формирующего кольца. После вычерчивания ломаной линии, ее углы сглаживают до получения криволинейной границы кольца, удобной для изготовления. Далее полученный рисунок границ армирующего кольца переносится на шаблон, по которому производится изготовление армирующего кольца из заготовки путем его вырезания лобзиком, лазером или формированием на 3D принтере. 5 ил.

Использование: для контроля статических и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС, в том числе для считывания информации с матриц ИК фоточувствительных элементов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления жесткой зондовой головки, предназначенной для электрического соединения контактных площадок БИС со схемой измерения, заключается в сборке жесткой зондовой головки с использованием формирующего и армирующего колец, при этом формирующее и армирующее кольца изготавливают круглой формы с концентрическими отверстиями, после сборки жесткой зондовой головки к внутренней части армирующего кольца и прилегающему к ней ряду зондов приклеивают дополнительные диэлектрические вставки в виде сегментов с внешним диаметром, равным внутреннему диаметру армирующего кольца, и внутренней частью дугообразной формы для выравнивания длин зондов в центре и по краям рядов зондов. Технический результат: обеспечение возможности упрощения технологического процесса изготовления ЖЗГ при сохранении примерно одинаковых длин зондов по всему ряду. 5 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС. Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ. Технический результат достигается тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда. Для работы только при комнатной температуре достаточно покрыть это место каплей клея, например, на основе эпоксидной смолы. Для работы при азотных температурах зонды можно упрочнить облуживанием поверхности зоны загиба припоем, например твердым припоем на основе серебра. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств (МФПУ) методом перевернутого монтажа. Способ повышения точности контроля качества стыковки БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) включает установку состыкованного модуля в держатель под небольшим углом к оптической оси объектива микроскопа так, чтобы в поле зрения микроскопа появились сфокусированные действительное изображение края МФЧЭ и мнимое изображение того же края МФЧЭ, зеркально отображенное от плоскости БИС считывания. Каждое измерение зазоров проводят в местах, обозначенных металлизированными метками, сформированными на поверхности кристалла БИС считывания так, чтобы в поле зрения микроскопа одновременно наблюдались изображения зазора и меток. Технический результат - повышение точности измерений величины зазоров между кристаллами посредством того, что каждое измерение зазоров проводят в местах, обозначенных металлизированными метками. 3 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых двухспектральных гибридизированных сборок и может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения. Изобретение решает задачу изготовления утоньшенной двухспектральной фоточувствительной сборки (УД ФЧС) с уменьшенными массогабаритными характеристиками. Для реализации УД ФЧС производят гибридизацию сборки М×K БИС считываний и матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ) и утоньшают сборку М×K МФЧЭ как единого целого с предварительным формированием на лицевой стороне сборки М×K МФЧЭ канавки определенной глубины. При этом разделение сборки на отдельные кристаллы МФЧЭ происходит посредством химико-динамического утоньшения до уровня канавки. Далее, в одном из способов изготовления УД ФЧС последовательно гибридизируют и разбирают набор временных масок (вблизи поверхности МФЧЭ) с помощью In микроконтактов на сборку М×K БИС считываний для напыления через них двух многослойных интерференционных фильтров. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) методом перевернутого монтажа. Изобретение обеспечивает повышение качества оперативного контроля стыковки кристаллов. Для определения качества стыковки проводят расчет допустимого зазора между кристаллами, измерение реального зазора между ними и их сравнение. При этом если измеренный зазор больше расчетного, то кристаллы направляют на дополнительный дожим для уменьшения величины зазора, если измеренный зазор меньше расчетного, то стыковку считают удовлетворительной. 4 ил.

Изобретение относится к технологии сборки полупроводниковых приборов и может быть использовано для гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) методом перевернутого монтажа. Способ изготовления микроконтактов согласно изобретению включает нанесение пленки индия и формирование из нее методом фотолитографии массива индиевых микроконтактов, выполненных в виде прямоугольников, при этом при стыковке кристаллов в каждой ячейке стыкуемых кристаллов располагают более одного прямоугольного индиевого микроконтакта. Изобретение обеспечивает повышение прочности стыковки кристаллов за счет относительного увеличения доли площади боковой стыковки микроконтактов в суммарной площади стыковки микроконтактов. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии создания матричных фотоприемных устройств (МФПУ), и может быть использовано при формировании матричных микроконтактов для кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с последующей их гибридизацией методом перевернутого монтажа. Задачей изобретения является снижение влияния технологических дефектов на качество МФПУ посредством использования новых форм контактов и их расположения в матрице, менее чувствительных к дефектам по сравнению с известными решениями. В способе формирования матричных микроконтактов на кристаллах БИС считывания и МФЧЭ индиевые микроконтакты в матрице имеют не одинаковую ориентацию по матрице, а чередующуюся, с изменением ориентации на 90° через шаг по двум координатам, т.е. в шахматном порядке. В этом случае расстояния между ближайшими элементами индиевых микроконтактов увеличиваются и становятся одинаковыми по двум координатам. Это приводит к снижению возможности закороток между индиевыми микроконтактами и, следовательно, к увеличению процента выхода годных изделий. 2 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться при создании матричных фотоприемников. Заявляемые зондовая установка и способ позволяют проводить межоперационный контроль матричных фотоприемников при температуре жидкого азота и различных фоновых условиях с подсчетом и исключением дефектных элементов исходя из качества полученного изображения с помощью ИК объектива после проведения двухточечной коррекции и оценкой объемной диффузионной длины по чувствительности до утоньшения матричного фотоприемника в установке открытого типа с помощью многоконтактной зондовой головки с фиксированным расположением зондов, прижимающей матричные фотоприемники к пьедесталу, расположенному в теплоизолирующей чашке, залитой жидким азотом до уровня, не превышающего верхнего уровня пьедестала. Технический результат - ускорение процесса межоперационного контроля матричных фотоприемников при температуре жидкого азота, где время термоцикла в основном ограничено временем охлаждения пьедестала. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. В способе повышения прочности стыковки индиевых микроконтактов БИС и МФЧЭ посредством сдавливания индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, микроконтакты на обоих кристаллах выполняют в форме вытянутых прямоугольников, расположенных под углом по отношению друг к другу, на периферии матрицы формируют множество прямоугольных микроконтактов на каждом кристалле, которое объединяют в решетки и создают опорные индиевые микроконтакты большой площади. Изобретение обеспечивает повышение прочности стыковки индиевых микроконтактов. 5 ил.

Изобретение относится к конструкции матричных полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Сборка фоточувствительного модуля на растр заключается в том, что приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля осуществляют с помощью многоконтактной зондовой головки с симметричным расположением 2n (n=1, 2…) зондов (обычно из нержавеющей стали), которые находятся точно на контактных площадках БИС считывания, предназначенных для вывода сигналов посредством сварки (обычно золотых) выводов на растр. Поскольку давить на утоньшенный фоточувствительный элемент недопустимо, а осуществлять давление по всей периферийной области небезопасно, так как в этой области находится схема БИС считывания, которую можно повредить, то нагрузку необходимо осуществлять на наиболее защищенные от повреждения области, которыми являются контактные площадки, предназначенные для тестирования БИС считывания и сварки выводов на растр. При типичном количестве контактных площадок (~30 шт.) на БИС считывания приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр осуществляют с помощью штатного контактного устройства с фиксированным расположением зондов (типично из вольфрама), предназначенного для контроля кристаллов БИС считывания, которое позволяет осуществлять равномерную нагрузку на фоточувствительный модуль с величиной, необходимой для уменьшения клеевого слоя до толщины 3-5 мкм, обеспечивающей прочное соединение криостойким клеем при охлаждении до рабочей температуры жидкого азота. Изобретение позволяет бездефектно и качественно проводить сборку фоточувствительного модуля на растр во время приклейки криостойким клеем. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к вопросам проектирования схемотехники и топологии интегральных схем и может быть использовано для коррекции топологии БИС, гибридных тонко- и толстопленочных микросхем, а также совмещенных ГИС. Кроме того, предложенный способ может быть использован также и для восстановления целостности металлизированных шин, создания новых межсоединений и контактных площадок для контроля тестовых структур. Задачей изобретения является снижение стоимости выполнения операции коррекции топологии при минимизации времени на ее проведение. В способе коррекции топологии БИС формирование новых связей между элементами или узлами схемы для осуществления коррекции топологии кристалла производят с помощью индиевых перемычек. Формирование индиевой перемычки между выбранными металлизированными шинами проводят механическим способом с помощью электродов с плоским основанием. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. Согласно изобретению способ гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств включает сдавливание индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, при этом микроконтакты выполняют в форме вытянутых прямоугольников с размерами сторон менее зазоров между микроконтактами, как по вертикали, так и по горизонтали, причем микроконтакты на кристаллах БИС и матрицы фоточувствительных элементов расположены под углом по отношению к друг другу. Изобретение обеспечивает возможность повышения надежности стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ), исключая возможность закорачивания соседних микроконтактов. 5 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках ИК-излучения и БИС считывания фотосигнала. Изобретение обеспечивает изготовление индиевых микроконтактов с низким сопротивлением и высокой однородностью их значений в пределах больших массивов. Способ снижения омического сопротивления индиевых микроконтактов с помощью термического отжига на полупроводниковых пластинах с матрицами БИС считывания или фотодиодными матрицами включает формирование металлического подслоя под индий, формирование защитной фоторезистивной маски с окнами в местах микроконтактов, напыление слоя индия, изготовление индиевых контактов и отжиг структур в восстановительной атмосфере или вакууме при температуре не менее 240°C в течение 30 минут. 5 ил.

Изобретение относится к тестированию матричных БИС считывания и может быть использовано для определения координат скрытых дефектов типа утечек сток-исток, которые невозможно обнаружить до стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов. На кремниевой пластине с годными БИС считывания вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов, наносят слой индия, формируют области индия в виде изолированных друг от друга полос, ориентированных в направлении, перпендикулярном стоковым шинам, которые закорачивают истоки МОП транзисторов между собой в каждой полосе. Проводят контроль функционирования мультиплексора с выявлением стоков со скрытыми дефектами путем закорачивания индиевых полос на подложку с последующим формированием индиевых микроконтактов. Производят поиск дефекта в пределах только той полосы, где зафиксирована утечка, тем самым уменьшается время определения координат дефекта, так как нет необходимости проверять все истоки, принадлежащие данной стоковой шине, в которой обнаружен дефект. 4 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх