Патенты автора Сидоров Георгий Юрьевич (RU)
Устройство для перемещения оптического компонента в оправе содержит оправу, выполненную в виде ротора электродвигателя с возможностью установки во внутреннем пространстве ротора оптического компонента. На внешней цилиндрической поверхности ротора расположены магниты и выполнена резьба, которая сопряжена с резьбой, выполненной на обращенной к ротору поверхности зубцов магнитопровода статора с возможностью реализации перемещения ротора по резьбе в продольном направлении магнитопровода статора по всей его длине, при этом в сформированных пазах между зубцами установлены катушки, соединенные с образованием фаз. Технический результат - повышение надежности, снижение вероятности его выхода из строя и, как следствие, увеличение срока эксплуатации. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к фотоприемным устройствам инфракрасного диапазона длин волн и технологии их изготовления. Фоточувствительная к инфракрасному излучению структура включает подложку, расположенный на подложке первый слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется от 1 на границе с подложкой до хПС на границе с поглощающим слоем, расположенный на первом слое с переменным составом однородный по составу поглощающий слой из CdxHg1-xTe с составом хПС=0,22-0,4 толщиной 2-4 мкм, расположенный на поглощающем слое второй слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хПС на границе с поглощающим слоем до хБ на границе с барьерным слоем, расположенный на втором слое с переменным составом однородный по составу барьерный слой из CdxHg1-xTe с составом хБ=0,6-0,7 толщиной 0,2-0,5 мкм, расположенный на барьерном слое третий слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хБ на границе с барьерным слоем до хКС на границе с контактным слоем, расположенный на третьем слое с переменным составом однородный по составу контактный слой из CdxHg1-xTe с составом хКС=0,22-0,4 толщиной 1-2 мкм, расположенный на контактном слое четвертый слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хКС на границе с контактным слоем до хД=0,6-1,0, при этом на четвертом слое из CdxHg1-xTe с переменным составом располагается пассивирующий слой, а металлический полевой электрод из In нанесен на поверхность пассивирующего слоя, причем геометрические размеры полевого электрода выбирают таким образом, чтобы минимальное расстояние от края полевого электрода до края площадки, ограничивающей область фоточувствительной структуры, было бы равно 1,0-1,2 мкм. Также предложен способ изготовления данной фоточувствительной структуры. Изобретение обеспечивает устранение наблюдаемого вклада токов поверхностной утечки в формирование темнового сигнала фоточувствительной nBn-структуры на основе КРТ. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к резонаторам полупроводниковых лазеров с лучеиспускающей поверхностью на основе гетероструктур
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для изготовления на базе твердых растворов теллурида кадмия и ртути CdxHg1-xTe (KPT) фотоприемных устройств (ФПУ), в частности матричного типа, предназначенных для регистрации и измерения инфракрасного (ИК) излучения
