Патенты автора Форш Павел Анатольевич (RU)
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания дешевых и эффективных солнечных элементов на основе слоев аморфного гидрогенизированного кремния. Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний в образце, представляющем собой пленку аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенную на кварцевую подложку, включает облучение образца фемтосекундными лазерными импульсами в вакууме при давлении не более 2⋅10-2 мбар, с центральной длиной волны излучения 257-680 нм, частотой повторения импульсов 20-500 кГц, длительностью импульсов 30-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 4-500 мДж/см2. Для получения солнечного элемента гетеропереход нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний, полученный способом, описанным выше, выполнен на кварцевой подложке с прозрачным проводящим подслоем, и сверху термически напыляется металлический электрод (алюминий, золото или магний). Техническим результатом, достигаемым при использовании заявляемой группы изобретений, является обеспечение повышенной стабильности электрических и фотоэлектрических свойств при освещении, увеличенной подвижности носителей заряда, повышенной эффективностью и относительной дешевизной при его изготовлении (в сравнении с солнечными элементами из кристаллического кремния). Данные свойства солнечных элементов позволят в итоге получать повышенные (по сравнению с солнечными элементами на основе a-Si:H) значения фотовольтаических параметров (могут быть достигнуты следующие значения: КПД фотопреобразования - 14%, напряжение холостого хода - 0,68 В, ток короткого замыкания - 36,5 мА/см2). 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 табл., 4 пр., 9 ил.
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания солнечных элементов, а также иных тонкопленочных электронных устройств на основе легированных бором пленок аморфного гидрогенизированного кремния. Техническим результатом является повышение эффективности легирования бором в аморфном гидрогенизированном кремнии и изменение типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния за счет увеличения электрически активных атомов бора в аморфном гидрогенизированном кремнии. Способ изменения типа проводимости и повышения эффективности легирования бором аморфного гидрогенизированного кремния включает получение методом плазмохимического разложения смеси моносилана (SiH4) и диборана (В2Н6) тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированных бором (объемное отношение [B2H6]/[SiH4]=(10-6-10-5), и обработку пленок фемтосекундными лазерными импульсами с центральной длиной волны излучения 1000-1100 нм, частотой повторения лазерных импульсов 50-500 кГц, длительностью импульсов 100-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 150-200 мДж/см2. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания переизлучающих текстурированных покрытий для использования в тонкопленочных солнечных элементах. Способ получения переизлучающих текстурированных тонких пленок на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния включает получение тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния, которые обрабатывают в атмосфере воздуха фемтосекундными лазерными импульсами с центральной длиной волны излучения 500-1100 нм, частотой повторения импульсов 50-500 кГц, длительностью импульсов 100-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 260-500 мДж/см2. Изобретение обеспечивает возможность формирования переизлучающих текстурированных тонких пленок, эффективно поглощающих ультрафиолетовую часть солнечного спектра с последующим ее преобразованием в видимый свет. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для формирования активного слоя тонкопленочных солнечных элементов на основе гидрогенизированного кремния со стабильными параметрами относительно световых воздействий, в частности солнечного излучения. Сущность изобретения состоит в способе создания пленок аморфного гидрогенизированного кремния с небольшой долей кремниевых нанокристаллов (объемное отношение кристаллической фазы к аморфной менее 15%), равномерно распределенных по пленке и имеющих размер не более 10 нм. Способ создания заключается в осаждении пленок аморфного кремния методом плазмохимического осаждения из газовой смеси тетрафторида кремния и водорода при повышенном давлении в реакционной камере в условиях, обеспечивающих формирование кремниевых нанокристаллов в плазме тлеющего разряда. Наличие небольшой доли равномерно распределенных нанокристаллических включений в аморфной матрице заметно улучшает стабильность электрических, оптических и фотоэлектрических свойств получаемого материала. Технический результат заключается в повышении КПД и продлении срока службы тонкопленочных солнечных преобразователей, в случае использования в них в качестве активного слоя получаемого указанным способом материала. 2 ил., 1 табл.
Изобретение относится к экспериментальной медицине и предназначено для стимуляции регенерации нервных тканей
