Патенты автора Гришина Анна Николаевна (RU)

Изобретение относится к промышленности строительных материалов и может быть использовано для изготовления строительных изделий и конструкций, в монолитном строительстве объектов гражданского, промышленного и транспортного строительства. Целью изобретения является получение эффективного высокопрочного легкого бетона на полых микросферах со сниженным удельным расходом портландцемента на единицу проектной прочности. Наномодифицированный высокопрочный легкий бетон на композиционном вяжущем содержит вяжущее вещество, наполнитель, пластификатор и воду затворения, а также минеральную часть, состоящую из микрокремнезема, имеющего средний размер частиц 0,01…1 мкм, каменной муки (продукт измельчения кремнеземсодержащей горной породы или кварцевого песка) с площадью удельной поверхности 750 м2/кг и кварцевого песка фракции 0,16-0,63 мм, в качестве пластификатора используется гиперпластификатор на поликарбоксилатной основе, в качестве наполнителя - полые микросферы, в качестве вяжущего вещества используется композиционное вяжущее вещество, состоящее из портландцемента и микроразмерных гидросиликатов бария и гидросиликатов цинка, со средним размером частиц 5…10 мкм, а в качестве воды затворения - коллоидный раствор наноразмерных гидросиликатов цинка со средним размером частиц 15…30 нм, при следующем соотношении компонентов, мас.%: указанное композиционное вяжущее вещество - 45,71, в том числе портландцемент - 39,3-40,7, микроразмерные гидросиликаты бария - 4,57, микроразмерные гидросиликаты цинка - 0,44-1,84, микрокремнезем - 6,43, указанная каменная мука - 5,36, указанный кварцевый песок - 13,5, полые микросферы - 14,8, указанный пластификатор - 0,50, указанный коллоидный раствор - остальное. 2 табл.

Многоэлементный фотоприемник с тонкой фоточувствительной базой, включающий матрицу фоточувствительных элементов из одного из полупроводниковых материалов CdxHg1-xTe, InSb, InGaAs, QWIP, соединенную со схемой считывания индиевыми микроконтактами, с антиотражающим покрытием, обеспечивающим минимальное отражение в спектральном диапазоне чувствительности фотодиодов, отличающийся тем, что антиотражающее покрытие создают с уменьшенными механическими напряжениями последовательным вакуумным напылением кремния методом электронно-лучевого испарения со скоростью осаждения 0,08 нм/с и слоя фторида иттрия методом резистивного испарения со скоростью осаждения 0,7 нм/с. Изобретение обеспечивает возможность улучшения однородности параметров матричного фотоприемника в широком спектральном диапазоне, в том числе 1-3, 3-5, 8-14 мкм, в серийном производстве за счет повышения однородности распределения чувствительности по площади матриц. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа изготовления многоэлементного двухспектрального матричного фотоприемника. Фотоприемник включает в себя корпус с входным окном, матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с тонким поглощающим слоем из однородного полупроводникового материала, соединенную индиевыми микроконтактами со схемой считывания, приклеенной на коммутационный растр, обеспечивающий соединение с внешней схемой питания и управления видеосигнала фотоприемника. Кроме того, фотоприемник содержит напыленные многослойные интерференционные фильтры. При этом, на матрице ФЧЭ формируют напылением только отрезающие фильтры, создающие две области максимальной спектральной чувствительности, а составной блокирующий фильтр, обеспечивающий крутизну фронтов вблизи границ коротковолновой и длинноволновой границ чувствительности и минимизацию вторичных максимумов за пределами областей максимальной чувствительности, выполняют напылением многослойного покрытия на входном окне. Технический результат заключается в улучшении пороговых характеристик устройства, сокращении количества и суммарной продолжительности технологических процессов формирования фильтров на поверхности МФЧЭ, увеличении процента выхода годных МФЧЭ. 3 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых двухспектральных гибридизированных сборок и может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения. Изобретение решает задачу изготовления утоньшенной двухспектральной фоточувствительной сборки (УД ФЧС) с уменьшенными массогабаритными характеристиками. Для реализации УД ФЧС производят гибридизацию сборки М×K БИС считываний и матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ) и утоньшают сборку М×K МФЧЭ как единого целого с предварительным формированием на лицевой стороне сборки М×K МФЧЭ канавки определенной глубины. При этом разделение сборки на отдельные кристаллы МФЧЭ происходит посредством химико-динамического утоньшения до уровня канавки. Далее, в одном из способов изготовления УД ФЧС последовательно гибридизируют и разбирают набор временных масок (вблизи поверхности МФЧЭ) с помощью In микроконтактов на сборку М×K БИС считываний для напыления через них двух многослойных интерференционных фильтров. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к теплоизоляционным строительным материалам и может быть использовано в качестве комплексной наноразмерной добавки в технологии пенобетона. Комплексная наноразмерная добавка для пенобетонной смеси содержит, мас.%: золь гидроксида железа (III) с концентрацией Fe(OH)3 0,6-1,5% 88,78-95,56, жидкое стекло 4,44-11,22. Технический результат - повышение устойчивости пены при сохранении пенообразующей способности пенообразователя. 1 пр., 1 табл.
Изобретение относится к области производства композиций, содержащих битум и серу, которые могут быть использованы в дорожном и другом строительстве
Изобретение относится к материалам для защиты от рентгеновского, гамма-и нейтронного излучений в радиационно-опасных местах сочленения установок, заделки стыков, трещин и каверн в строительных конструкциях и изделиях, местах сопряжения конструкций

 


Наверх