Патенты автора Хвостикова Ольга Анатольевна (RU)
Изобретение относится к способам изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb, применяемых в солнечных элементах, термофотоэлектрических генераторах, в системах с расщеплением спектра солнечного излучения, в преобразователях лазерного излучения. Во всех перечисленных случаях используют фотоэлементы, эффективно работающие при высоких плотностях падающего излучения. Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя включает нанесение на подложку n-GaSb диэлектрической маски и проведение первой диффузии цинка в окна маски. Затем удаляют высоколегированную дефектную часть образовавшегося слоя p-GaSb посредством анодного окисления и последующего травления окисла в соляной кислоте. Формируют диэлектрическую маску с окнами для диффузии цинка в подконтактные области структуры и проводят анодное окисление этих областей. Проводят вторую независимую диффузию цинка через слой анодного окисла и удаляют образовавшийся в результате диффузии р-слой на тыльной поверхности подложки. Осаждают тыльный и лицевой металлические контакты и наносят антиотражающее покрытие. Способ позволяет повысить эффективность работы ФЭП за счет повышения значений фототока, напряжения холостого хода ФЭП и снижения сопротивления растекания. 4 з.п. ф-лы, 2 пр.
МОЩНЫЙ ИМПУЛЬСНЫЙ СВЧ ФОТОДЕТЕКТОР // 2676228
Изобретение относится к области разработки и изготовления мощных фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs, в частности к импульсным полупроводниковым сверхвысокочастотным (СВЧ) фотодетекторам. Мощный импульсный СВЧ фотодетектор лазерного излучения на основе гетероструктуры содержит подложку 2 из n-GaAs, слой 3 из n-AlxGa1-xAs с х=0,35-0,60 в начале роста слоя на границе с подложкой до х=0,10-0,15 в конце роста слоя и с градиентом параметра «х» в интервале 25-60 см-1, слой 4 из n0-GaAs толщиной 0,5-2 мкм с концентрацией носителей тока (0,5-2,0)⋅1016 см-3, слой 5 из р-AlxGa1-xAs с х=0,15-0,30 в начале роста слоя до х=0,05-0,10 в конце роста слоя, контактный слой 6 из р+-GaAs и сплошные омические контакты 1, 7. Изобретение обеспечивает улучшение быстродействия, уменьшение омических и тепловых потерь, а также уменьшение оптических потерь. 7 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.
Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaAs включает выращивание методом жидкофазной эпитаксии на подложке n-GaAs базового слоя n-GaAs, легированного оловом или теллуром, толщиной 10-20 мкм и слоя p-AlxGa1-xAs, легированного цинком, при х=0,2-0,3 в начале роста и при х=0,10-0,15 в приповерхностной области слоя, при этом выращивание слоя p-AlGaAs ведут при температуре 600-730°С в течение 20-50 мин, за это время осуществляется формирование диффузионного р-n перехода в GaAs с образованием эмиттерного слоя p-GaAs толщиной 1-2 мкм, осаждение тыльного контакта термическим вакуумным напылением, отжиг осажденного тыльного контакта в атмосфере водорода, осаждение через маску фоторезиста лицевого контакта термическим вакуумным испарением и отжиг осажденного лицевого контакта в атмосфере водорода, металлизацию лицевого контакта гальваническим осаждением через маску из фоторезиста при одновременном осаждении золота на тыльную поверхность, разделительное травление структуры через маску из фоторезиста на отдельные фотоэлементы и нанесение антиотражающего покрытия. Изобретение позволяет изготавливать фотопреобразователи с увеличенным КПД преобразования узкополосного, в частности лазерного излучения, и применим в массовом производстве GaAs фотоэлементов. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.
При изготовлении фотопреобразователя согласно изобретению на тыльной стороне подложки GaSb n-типа проводимости выращивают методом эпитаксии высоколегированный контактный слой n+-GaSb, а на лицевой стороне подложки - буферный слой n-GaSb. Наносят на лицевую поверхность подложки диэлектрическую пленку. Создают химическим травлением окна в диэлектрической пленке. Легируют диффузией цинка из газовой фазы в квазизамкнутом контейнере поверхностный слой структуры GaSb фотопреобразователя. Удаляют на тыльной стороне подложки p-n-переход. Осаждают тыльный и лицевой контакты и отжигают их. Разделяют структуру травлением на отдельные фотоэлементы и наносят антиотражающее покрытие. Изобретение позволяет увеличить КПД фотопреобразователей на основе GaSb при высоких плотностях падающего излучения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.
Изобретение относится к области изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs, позволяющих преобразовывать мощное узкополосное излучение в электрическую энергию для энергоснабжения наземных и космических объектов. Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaAs включает последовательное выращивание методом жидкофазной эпитаксии на подложке n-GaAs буферного слоя n-GaAs, базового слоя n-GaAs, эмиттерного слоя p-GaAs и слоя p-AlGaAs с содержанием Al в твердой фазе от 30-40 ат.% в начале роста слоя и при содержании Al в твердой фазе 10-15 ат.% в приповерхностной области слоя, а также осаждение тыльного контакта и лицевого контакта. На лицевую поверхность подложки наносят антиотражающее покрытие. Способ безопасен и позволяет с меньшими затратами совместить в одном слое функции широкозонного окна и контактного слоя, что приводит к увеличению кпд преобразования узкополосного, в частности лазерного излучения. 8 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, в частности к изготовлению фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников А3B5, и может использоваться для создания узкозонных фотопреобразователей на основе германия, которые являются частью каскадных солнечных элементов и термофотопреобразователей (ТФЭП), применяемых в системах автономного электроснабжения
