Патенты автора Чесноков Владимир Владимирович (RU)

Использование: для формирования на подложках структурных образований из микро- и наночастиц. Сущность изобретения заключается в том, что по способу упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки путем их перемещения с помощью лазерного излучения, в соответствии с изобретением, подложки с наночастицами на поверхности облучают многократно импульсами лазерного пучка с распределением интенсивности по облучаемой области, повторяющим необходимое расположение наночастиц, причем интенсивность в максимумах достаточна для возбуждения в них импульса избыточного давления в среде. Технический результат: обеспечение возможности получения на поверхности диэлектрической или полупроводниковой подложки упорядоченного слоя наночастиц в виде одномерной решетки, составленной из рядов наночастиц. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для формирования на подложках структурных образований из микро- и наночастиц. Сущность изобретения заключается в том, что по способу упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки путем их перемещения с помощью лазерного излучения, в соответствии с изобретением, подложки с наночастицами на поверхности облучают многократно импульсами лазерного пучка с распределением интенсивности по облучаемой области, повторяющим необходимое расположение наночастиц, причем интенсивность в максимумах достаточна для возбуждения в них импульса избыточного давления в среде. Технический результат: обеспечение возможности получения на поверхности диэлектрической или полупроводниковой подложки упорядоченного слоя наночастиц в виде одномерной решетки, составленной из рядов наночастиц. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для формирования на подложках структурных образований из микро- и наночастиц. Сущность изобретения заключается в том, что по способу упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки путем их перемещения с помощью лазерного излучения, в соответствии с изобретением, подложки с наночастицами на поверхности облучают многократно импульсами лазерного пучка с распределением интенсивности по облучаемой области, повторяющим необходимое расположение наночастиц, причем интенсивность в максимумах достаточна для возбуждения в них импульса избыточного давления в среде. Технический результат: обеспечение возможности получения на поверхности диэлектрической или полупроводниковой подложки упорядоченного слоя наночастиц в виде одномерной решетки, составленной из рядов наночастиц. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для формирования на подложках структурных образований из микро- и наночастиц. Сущность изобретения заключается в том, что по способу упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки путем их перемещения с помощью лазерного излучения, в соответствии с изобретением, подложки с наночастицами на поверхности облучают многократно импульсами лазерного пучка с распределением интенсивности по облучаемой области, повторяющим необходимое расположение наночастиц, причем интенсивность в максимумах достаточна для возбуждения в них импульса избыточного давления в среде. Технический результат: обеспечение возможности получения на поверхности диэлектрической или полупроводниковой подложки упорядоченного слоя наночастиц в виде одномерной решетки, составленной из рядов наночастиц. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к оптическим технологиям формирования топологических структур на подложках, в частности к лазерным методам формирования на подложках топологических структур нано- и микроразмеров для нано- и микромеханики, микро- и наноэлектроники. В способе формирования тонкопленочного рисунка на подложке, использующем лазерное локальное облучение предварительно нанесенной пленки, в соответствии с изобретением, облучение проводят в режиме импульсного двухфазного разрушения пленки, затем подложку подвергают равномерному поверхностному травлению на толщину, не меньшую толщины пленки на необлученных участках подложки. Предлагается также вариант способа, в котором облучение проводят одновременным воздействием двух когерентных лазерных лучей, формирующих на поверхности периодическую интерференционную картину, причем интенсивность облучения обеспечивает режим импульсного двухфазного локального разрушения пленки. Техническим результатом изобретения является создание способа адресуемого формирования одномерных тонкопленочных наноструктур типа нанопроволок и периодических решеток из нанопроволок на поверхности подложки. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области спектрального анализа и касается способа и устройства атомно-эмиссионного анализа нанообъектов. Способ включает в себя испарение нанообъектов лазерным пучком и анализ нанообъектов по их свечению. Нанообъекты помещают на поверхность прозрачной подложки. На поверхность с нанообъектами изнутри подложки направляют под регулируемым углом, большим угла полного внутреннего отражения, импульс лазерного излучения с энергией, достаточной для хотя бы частичного испарения нанообъектов. Излучение пара подвергают спектральному анализу. Устройство содержит подложку с нанообъектами на поверхности и излучатель. Излучатель обеспечивает интенсивность излучения, достаточную для испарения нанообъектов, причем по обе стороны подложки или с одной ее стороны в потоке свечения нанообъектов установлен спектроанализатор, содержащий коллиматор, который входной апертурой обращен к нанообъектам. Подложка выполнена из материалов, прозрачных для излучения излучателя и которые могут быть прозрачными для собственного излучения нанообъектов. Технический результат заключается в упрощении способа измерений. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к устройству, которое использует явление интерференции световых потоков, а именно к резонатору Фабри-Перо. Устройство содержит скрепленные между собой расположенные с регулируемым воздушным зазором пластины с тонкопленочными проводящими или диэлектрическими зеркалами и проводящими тонкопленочными электродами. Причем проводящие элементы подсоединены электрически к внешним электронным устройствам, регулированием зазора за счет изменения силы электростатического притяжения. Пластины скреплены столбиками. Первая пластина в месте расположения столбиков утонена до образования плоской мембраны, одна из плоскостей которой совпадает с плоскостью зеркала, тогда как по крайней мере один проводящий элемент на первой пластине имеет емкостную связь с противостоящим проводящим элементом на второй пластине. Технический результат заключается в обеспечении компактности и плавной перестройки спектра пропускания оптического излучения. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области оптико-электронных приборов и касается пироэлектрического преобразователя электромагнитных волн. Пироэлектрический преобразователь включает в себя теплоизолированную пластину пиродиэлектрика с проводящими тонкопленочными обкладками на противоположных поверхностях пластины, подключенными к измерителю электрического сигнала. При этом одна обкладка является последовательно включенным участком электрической цепи высокочастотного тока антенны приема электромагнитных волн. Технический результат заключается в обеспечении возможности приема сигналов в терагерцевом диапазоне спектра. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к способу сублимационной лазерной обработки прозрачных подложек с формированием рельефных микроструктур и может найти использование в микроэлектронике, оптике, микросистемной технике. Предварительно на поверхность подложек в местах углублений рельефа или отверстий наносят маски из поглощающего материала. Затем облучают подложку многократными лазерными импульсами нано- и субнаносекундной длительности , меньшей времени распространения тепловой волны нагревания подложки на половину расстояния между соседними масками. Температуру в местах масок доводят до уровня сублимации материала подложек. Изобретение позволяет осуществить лазерную микрообработку пластин из прозрачных диэлектриков, а также лазерное профилирование или сверление алмаза и других прозрачных диэлектриков с размерами элементов рельефа меньше длины волны лазерного излучения. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к оптической и оптоэлектронной технике, а именно к устройствам предохранения фоточувствительных элементов оптических и оптоэлектронных систем от разрушающего воздействия мощного излучения. Оптический пассивный ограничитель проходящего излучения содержит прозрачную изолирующую подложку с полупроводниковой пленкой на поверхности, увеличивающей электрическую проводимость при нагревании проходящим излучением и размещаемой в фокальной плоскости объектива. Пленка структурирована в виде сетки или мозаики пятен со средней периодичностью структуры, меньшей длины волны излучения. Технический результат - повышение быстродействия, понижение порога срабатывания. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к оптической и оптоэлектронной технике, а именно к устройствам предохранения фоточувствительных элементов оптических и оптоэлектронных систем от разрушающего воздействия мощного излучения. Оптический пассивный затвор содержит локально плавящуюся или испаряющуюся излучением зеркальную металлическую пленку, располагаемую в фокальной области объектива и закрепляемую с помощью прозрачной подложки. Со стороны облучения затвор содержит также слой прозрачного жидкого или твердого золя с наночастицами с размерами меньше длины волны излучения. Зеркальная пленка расположена на подложке со стороны облучения или противоположной стороны. Технический результат - обеспечение пониженного порога срабатывания затвора. 4 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике. Cпособ получения рельефа на поверхности светоизлучающих кристаллов полупроводниковых светодиодов локальными эрозионными воздействиями на поверхность, при этом в соответствии с изобретением, эрозия производится оптико-термическим действием импульсного лазерного излучения, проникающего в кристалл, с глубиной поглощения в кристалле, близкой к глубине эрозии, и длительностью лазерных импульсов, меньшей времени распространения тепловой волны нагревания кристалла на глубину эрозии, причем энергия импульса лазерного излучения не менее приводящей к процессу поверхностного испарения кристалла. Изобретение обеспечивает возможность повышения эффективности излучения светодиодов. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, устройствам полупроводниковых светодиодов. В устройстве полупроводникового светодиода, излучающего через рассеивающую поверхность прозрачной пластины и содержащего в ней светогенерирующую область, в соответствии с изобретением, на поверхности пластины в качестве рассеивателя закреплен слой прозрачных частиц с большим, чем у окружающей среды, показателем преломления и меньшим длины волны зазором между частицей и поверхностью. Изобретение обеспечивает возможность создания конструкции светодиода с увеличенной эффективностью вывода излучения из объема кристалла и возможностью его изготовления по более простой технологии. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для формирования на подложках наноструктур, изготовления быстродействующих фотоприемников и детекторов электромагнитных колебаний терагерцового диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления детекторов терагерцового диапазона электромагнитных волн с поверхностно-барьерными диодами включает формирование на поверхности полупроводниковой пластины слоя изолятора с отверстиями, лазерно-пиролитическое нанесение металла анода и формирование антенны, слой изолятора напыляют в вакууме на полупроводниковую пластину с предварительно осажденным на ее поверхность слоем не соприкасающихся между собой наносфер, после чего получают отверстия удалением наносфер и затем формируют анодный электрод адресуемым лазерно-пиролитическим нанесением металла в атмосфере, содержащей пары летучего химического соединения металла, на участок изолятора с перекрытием краев отверстия, продолжая нанесение до образования антенны. Технический результат: обеспечение возможности увеличения разрешающей способности лазерно-пиролитического нанесения анодного электрода поверхностно - барьерного диода. 4 ил.

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в процессе физико-химических методов анализа химических соединений. Заявлен дифференциальный массивный тонкопленочный калориметр для определения тепловых эффектов адсорбции или химических реакций газов, содержащий тонкопленочные каталитически активные измерительные рабочие массы и массы сравнения, размещенные на диэлектрической подложке и соединенные с источником нагревающего массы тока. В соответствии с изобретением, массы своей поверхностью прилегают к диэлектрической подложке, на противоположной стороне которой против масс закреплены пьезоэлектрические преобразователи, подсоединенные своими электродами к измерительной схеме. Источник нагревающего тока импульсный. Технический результат - увеличение чувствительности калориметра. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к устройствам предохранения фоточувствительных элементов оптических и оптоэлектронных систем от разрушающего воздействия мощного излучения. Оптический пассивный затвор содержит зеркальную металлическую пленку на подложке, установленной в плоскости промежуточного действительного изображения оптической системы приемника излучения. Пленка содержит подслой из терморазлагающегося с выделением газов химического соединения. Технический результат - увеличение быстродействия затвора, уменьшение пороговой интенсивности излучения срабатывания затвора. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Сканирующее интерференционное устройство содержит подложки с зеркальным покрытием с регулированием положения при помощи пьезоэлемента, подключенного к источнику переменного напряжения. Поверхности подложек зеркал интерферометра между собой соединены с помощью прозрачного упругого сплошного или островкового слоя равномерной толщины с образованием механического осциллятора, имеющего частоту собственных колебаний, близкую к частоте переменного напряжения. Модуль Юнга упругого слоя меньше, чем подложек. Пьезоэлементом может быть одна из подложек. В качестве материала прозрачного упругого слоя могут использоваться полужесткие, мягкие и эластичные формы полимера, в том числе, полиимид, полиэтилен, фоторезист, кремнийорганический каучук. Оптическая толщина упругого слоя равна половине или полной длине волны модулируемого излучения. Толщины составных частей осциллятора много меньше длины упругой волны в нем. По толщине осциллятора может укладываться целое число половин длины упругой волны в нем, а по толщине подложки - нечетное число четвертей длины упругой волны. Технический результат - увеличение глубины модуляции интерферометра, быстродействия и апертуры. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Светофильтр содержит плоскую прозрачную пластину с тонкопленочным прозрачным покрытием одной ее поверхности. В первом варианте светофильтр содержит также оптическую призму ввода излучения, закрепленную плоской гранью на тонкопленочном покрытии вблизи конца пластины. Показатели преломления призмы и пленки больше показателя преломления пластины. Во втором варианте конец пластины скошен под острым углом к поверхности тонкопленочного покрытия. Излучение вводится в пленку через скошенный конец пластины. Показатель преломления пленки больше показателя преломления пластины. Введенное в пленку излучение распространяется в ней под углом к поверхности пленки, граничащей с пластиной, меньшим угла полного внутреннего отражения, но большим угла полного внутреннего отражения второй поверхности пленки. Удаленный от места ввода излучения конец пластины может быть выполнен в виде цилиндрической или сферической линзы. Технический результат - создание светофильтра, обладающего высоким разрешением и большой областью дисперсии. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к оптической и оптоэлектронной технике, к устройствам предохранения фоточувствительных элементов оптических и оптоэлектронных систем от разрушающего воздействия мощного излучения. Затвор содержит испаряющуюся сфокусированным излучением металлическую пленку на прозрачной подложке, которую механически закрепляют в оптической системе приемника излучения в плоскости промежуточного действительного изображения объектива. Пленка закреплена по своему периметру над прозрачной подложкой с зазором, превышающим глубину резкости формирования объективом промежуточного изображения. Технический результат - наносекундная инерционность работы в широком спектральном диапазоне, а также снижение порога срабатывания. 7 ил.

Изобретение может быть использовано для выравнивания поверхностей пластин интерферометров путем локального нанесения на поверхность тонких, компенсирующих неравномерности слоев. Способ включает локальное нанесение лазерным осаждением на поверхность слоя прозрачного или непрозрачного материала. Лазерное осаждение проводят на зеркально отражающие смежные поверхности или покрытия уже скрепленных в интерферометре пластин в зазоре между поверхностями. Зазор заполняют средой, создающей при лазерном облучении на поверхности пленку, и затем локально облучают лазерным излучением поверхность. Толщина наносимого слоя материала может контролироваться в ходе нанесения интерференционным измерением отклонения длины оптического пути луча света между зеркально отражающими поверхностями пластин интерферометра от резонансной для интерферометра. Лазерный луч может сканировать поверхность, причем его интенсивность может быть модулирована длиной оптического пути света между зеркально отражающими поверхностями. Технический результат - обеспечение корректировки формы поверхностей оптических деталей, уже скрепленных между собой в оптическом приборе. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение может быть использовано для выравнивания поверхностей пластин интерферометров путем локального нанесения на поверхность тонких, компенсирующих неравномерности слоев. Способ включает локальное нанесение лазерным осаждением на поверхность слоя прозрачного или непрозрачного материала. Лазерное осаждение проводят на зеркально отражающие смежные поверхности или покрытия уже скрепленных в интерферометре пластин в зазоре между поверхностями. Зазор заполняют средой, создающей при лазерном облучении на поверхности пленку, и затем локально облучают лазерным излучением поверхность. Толщина наносимого слоя материала может контролироваться в ходе нанесения интерференционным измерением отклонения длины оптического пути луча света между зеркально отражающими поверхностями пластин интерферометра от резонансной для интерферометра. Лазерный луч может сканировать поверхность, причем его интенсивность может быть модулирована длиной оптического пути света между зеркально отражающими поверхностями. Технический результат - обеспечение корректировки формы поверхностей оптических деталей, уже скрепленных между собой в оптическом приборе. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение может быть использовано для выравнивания поверхностей пластин интерферометров путем локального нанесения на поверхность тонких, компенсирующих неравномерности слоев. Способ включает локальное нанесение лазерным осаждением на поверхность слоя прозрачного или непрозрачного материала. Лазерное осаждение проводят на зеркально отражающие смежные поверхности или покрытия уже скрепленных в интерферометре пластин в зазоре между поверхностями. Зазор заполняют средой, создающей при лазерном облучении на поверхности пленку, и затем локально облучают лазерным излучением поверхность. Толщина наносимого слоя материала может контролироваться в ходе нанесения интерференционным измерением отклонения длины оптического пути луча света между зеркально отражающими поверхностями пластин интерферометра от резонансной для интерферометра. Лазерный луч может сканировать поверхность, причем его интенсивность может быть модулирована длиной оптического пути света между зеркально отражающими поверхностями. Технический результат - обеспечение корректировки формы поверхностей оптических деталей, уже скрепленных между собой в оптическом приборе. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к оптике, к оптическим волноводным устройствам, в частности к микромеханическим оптическим коммутаторам оптических линий связи. Технический результат изобретения заключается в создании устройства матричного коммутатора оптических линий связи, имеющего размеры коммутационных ячеек много меньше, чем у электрооптических коммутаторов, что позволит создавать матричные коммутаторы большой сложности. Оптический коммутатор оптических линий связи содержит на подложке планарный оптический волновод и области формируемого в нем брэгговского зеркала в виде картины периодической пространственной модуляции показателя преломления волновода, создаваемой при помощи группы периодически размещенных поверх волновода электродов в виде пленочных полосок. Пленочные полоски соединены с электрическими контактами, расположенными на коммутаторе. Также оптический коммутатор содержит оптические устройства ввода в волновод и вывода излучения. Отличительной особенностью изобретения является то, что полоски закреплены с зазором над поверхностью планарного волновода с возможностью перемещения с изменением величины зазора. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к оптике, к оптическим устройствам, основанным на использовании явлений полного внутреннего отражения и интерференции световых потоков, в том числе, устройствам оптических фильтров, применяемых в научных исследованиях и технике для спектрального анализа и монохроматизации света

Изобретение относится к оптике, электронике, к способам изготовления устройств с малыми зазорами между поверхностями деталей или электродов величиной в доли мкм, в т.ч

Изобретение относится к оптике, к оптическим устройствам, основанным на использовании явлений интерференции световых потоков, например, использовании резонаторов Фабри-Перо, применяемых в научных исследованиях и технике для спектрального анализа и монохроматизации света

Изобретение относится к устройствам оптических спектральных приборов, в частности к устройствам интерферометров

Изобретение относится к области технологий микроэлектроники, а именно к способам получения тонких пленок на подложках

Изобретение относится к оптическим устройствам, основанным на использовании явлений полного внутреннего отражения и интерференции световых потоков

Изобретение относится к технике физико-химических методов анализа химических соединений и может быть использовано для измерения теплоты химических реакций

Изобретение относится к оптическим технологиям, в частности к лазерным методам формирования на подложках структурных образований нано- и микроразмеров для нано- и микромеханики и микроэлектроники

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, к нелитографическим микротехнологиям формирования на подложках тонкопленочных рисунков из наносимых на ее поверхность веществ

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, в частности к устройствам для изменения углового положения оптического луча

Изобретение относится к оптике, к оптическим устройствам, основанным на использовании явлений интерференции световых потоков, например, резонаторов Фабри-Перо, применяемых в научных исследованиях и технике для спектрального анализа и монохроматизации света

Изобретение относится к оптической отрасли техники, в частности к микрооптическим устройствам, оптическую силу которых можно изменять с помощью световых или тепловых воздействий

Изобретение относится к оптике, к способам изготовления устройств с малыми управляемыми зазорами величиной в доли мкм, в т.ч

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности акустооптическим и акустоэлектронным устройствам, в том числе микромеханическим и микрооптическим устройствам
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх