Патенты автора Рощин Владимир Михайлович (RU)
Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при высокоплотном монтаже полупроводниковых кристаллов на различные платы с большим количеством контактных межсоединений, а также при 3-D монтаже кристалла на кристалл. Изобретение обеспечивает снижение трудоемкости изготовления вертикальных контактных структур, повышение их качества и повышение количества получаемых структур на единицу площади. В способе изготовления вертикальных контактных структур на полупроводниковых пластинах или печатных платах при электрохимическом осаждении материала вертикальной контактной структуры в постоянном магнитном поле силовые линии постоянного магнитного поля направлены перпендикулярно поверхности осаждения, при этом уже осажденный магнитный материал, являющийся основанием вертикальной контактной структуры, выступает как концентратор магнитного поля, а изменение боковой поверхности контактной структуры, формируемой выше толщины фоторезиста, может изменяться при создании градиента постоянного магнитного поля. 4 з.п. ф-лы, 12 ил.
Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники. Способ формирования наноразмерной пленки карбида вольфрама включает нанесение на полупроводниковую или диэлектрическую подложку в процессе импульсно-плазменного осаждения на двуканальной установке импульсного осаждения электроэрозионной дуговой плазмы двухслойной структуры покрытия суммарной толщиной 5 нм, состоящей из пленки вольфрама и пленки углерода, и карботермический синтез в вакууме при давлении не выше 5·10-4 Па и температуре не более 450°C не более 10 мин со скоростью нагрева и охлаждения не менее 25 град/мин при соотношении толщин пленок вольфрама и углерода 5:1 и 3,5:1. Изобретение обеспечивает возможность формирования пленок карбида вольфрама в технологии кремниевых интегральных схем в качестве диффузионных барьеров и сверхтвердых покрытий. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к способу формирования защитного покрытия в виде пленки некристаллического углерода и может быть использовано в микро- и радиоэлектронной промышленности при изготовлении защитных покрытий полупроводниковых и оптических приборов. На полупроводниковой подложке формируют защитное покрытие методом импульсной конденсации электроэрозионной дуговой углеродной плазмы с энергией частиц не более 50 эВ при давлении в вакууме не выше 5∗10-4 Па и температуре подложки не более 25°С. Осаждение пленки некристаллического углерода осуществляют через криволинейную плазмооптическую систему, не имеющую прямой видимости между областями генерации и конденсации плазмы, при замыкании части силовых линий магнитного поля на анод генератора. Магнитный поток внутри генератора создают меньшим по величине, чем магнитный поток через плазмооптическую систему. Технический результат заключается в том, что при генерации и транспортировке углеродной плазмы создаются условия, обеспечивающие отсутствие на поверхности конденсации макрочастиц, неионизированного пара, высокоэнергетичных ионов углерода и примесей посторонних элементов. 2 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а именно к получению тонких пленок карбида вольфрама
Изобретение относится к рекламе, торговле, выставочному делу и другим сферам деятельности, в которых необходимо индивидуализированное воздействие на аудиторию в зависимости от пола и возраста людей
Изобретение относится к стендовой рекламе, торговле, выставочному делу и программно-аппаратным комплексам для указанных целей
