Патенты автора Козлов Сергей Сергеевич (RU)

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к фотосенсибилизаторам для металлоксидных солнечных элементов. Фотосенсибилизатор представляет собой 4-[(Е)-[(2Е)-3-[4-(диметиламино)фенил]проп-2-ен-1-илиден]амино]бензойную кислоту. Фотосенсибилизатор получают одностадийным синтезом при комнатной температуре взаимодействием диметиламинокоричного альдегида (ДМАК) с эквимолярным количеством 4-аминобензойной кислоты в безводной среде. Использование заявленного фотосенсибилизатора в конструкции металлоксидного солнечного элемента позволяет получить значения эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую, близкие к значениям КПД, полученным для солнечных элементов на основе известного дорогостоящего стандартного рутениевого фотосенсибилизатора. 4 ил., 1 табл., 1 пр.

Изобретение может быть использовано при изготовлении металлооксидных солнечных элементов, сенсоров, систем запасания энергии, катализаторов. Для получения мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида методом электростатического напыления напыляемый материал помещают в контейнер с выпускным отверстием. В качестве напыляемого материала используют сухой нанокристаллический порошок диоксида титана со средним размером частиц 25 нм. Заземляют твердую подложку, в качестве которой используют стекло, кварц, керамику с токопроводящим покрытием или металл. Подают напыляемый материал через выпускное отверстие с образованием потока напыляемого материала. Прикладывают разность потенциалов между выпускным отверстием и твердой заземленной подложкой. Полученную пленку диоксида титана подвергают обработке 10%-ной уксусной кислотой. Проводят термическую обработку при температуре 400-450°С в течение 30-40 мин. Изобретение позволяет упростить получение мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида, повысить адгезию пленки к поверхности подложки, повысить КПД солнечного элемента при использовании такой пленки в качестве фотоэлектрода для создания металлооксидных сенсибилизированных солнечных элементов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 пр.

Изобретение может быть использовано при изготовлении металлооксидных солнечных элементов, сенсоров, систем запасания энергии, катализаторов. Для получения мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида методом электростатического напыления напыляемый материал помещают в контейнер с выпускным отверстием. В качестве напыляемого материала используют сухой нанокристаллический порошок диоксида титана со средним размером частиц 25 нм. Заземляют твердую подложку, в качестве которой используют стекло, кварц, керамику с токопроводящим покрытием или металл. Подают напыляемый материал через выпускное отверстие с образованием потока напыляемого материала. Прикладывают разность потенциалов между выпускным отверстием и твердой заземленной подложкой. Полученную пленку диоксида титана подвергают обработке 10%-ной уксусной кислотой. Проводят термическую обработку при температуре 400-450°С в течение 30-40 мин. Изобретение позволяет упростить получение мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида, повысить адгезию пленки к поверхности подложки, повысить КПД солнечного элемента при использовании такой пленки в качестве фотоэлектрода для создания металлооксидных сенсибилизированных солнечных элементов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 пр.

Изобретение может быть использовано при изготовлении металлооксидных солнечных элементов, сенсоров, систем запасания энергии, катализаторов. Для получения мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида методом электростатического напыления напыляемый материал помещают в контейнер с выпускным отверстием. В качестве напыляемого материала используют сухой нанокристаллический порошок диоксида титана со средним размером частиц 25 нм. Заземляют твердую подложку, в качестве которой используют стекло, кварц, керамику с токопроводящим покрытием или металл. Подают напыляемый материал через выпускное отверстие с образованием потока напыляемого материала. Прикладывают разность потенциалов между выпускным отверстием и твердой заземленной подложкой. Полученную пленку диоксида титана подвергают обработке 10%-ной уксусной кислотой. Проводят термическую обработку при температуре 400-450°С в течение 30-40 мин. Изобретение позволяет упростить получение мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида, повысить адгезию пленки к поверхности подложки, повысить КПД солнечного элемента при использовании такой пленки в качестве фотоэлектрода для создания металлооксидных сенсибилизированных солнечных элементов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 пр.

Изобретение может быть использовано при изготовлении металлооксидных солнечных элементов, сенсоров, систем запасания энергии, катализаторов. Для получения мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида методом электростатического напыления напыляемый материал помещают в контейнер с выпускным отверстием. В качестве напыляемого материала используют сухой нанокристаллический порошок диоксида титана со средним размером частиц 25 нм. Заземляют твердую подложку, в качестве которой используют стекло, кварц, керамику с токопроводящим покрытием или металл. Подают напыляемый материал через выпускное отверстие с образованием потока напыляемого материала. Прикладывают разность потенциалов между выпускным отверстием и твердой заземленной подложкой. Полученную пленку диоксида титана подвергают обработке 10%-ной уксусной кислотой. Проводят термическую обработку при температуре 400-450°С в течение 30-40 мин. Изобретение позволяет упростить получение мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида, повысить адгезию пленки к поверхности подложки, повысить КПД солнечного элемента при использовании такой пленки в качестве фотоэлектрода для создания металлооксидных сенсибилизированных солнечных элементов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 пр.

Изобретение относится к области солнечной фотоэнергетики. Тандемный металлооксидный солнечный элемент содержит два расположенных один под другим по ходу светового потока металлооксидных солнечных элемента (МО СЭ) на основе мезоскопических слоев сенсибилизированного металлооксида, имеющих общий промежуточный токосъемный контакт, при этом согласно изобретению общий промежуточный токосъемный контакт размещен на стеклянной подложке, расположенной между верхним и нижним по ходу светового потока МО СЭ, на которую со стороны, обращенной к верхнему по ходу светового потока МО СЭ, нанесен проводящий слой платины, являющийся для верхнего МО СЭ противоэлектродом, а с противоположной стороны стеклянной подложки, обращенной к нижнему по ходу светового потока МО СЭ, нанесено проводящее покрытие из оксида олова, допированного фтором или индием, служащее для нижнего МО СЭ проводящим электродом, при этом верхний по ходу светового потока МО СЭ сенсибилизирован органическим красителем, поглощающим солнечный свет в диапазоне длин волн 400-650 нм, а нижний по ходу светового потока МО СЭ сенсибилизирован органическим красителем, поглощающим солнечный свет в диапазоне длин волн 650-1000 нм. Изобретение обеспечивает увеличение эффективности и оптимизацию работы солнечного элемента как для высоких, мощностью 100-1000 Вт/м2, так и для низких интенсивностей светового потока в пределах 10-100 Вт/м2. 4 н.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области медицины, в частности к стоматологии, и может быть использовано для изготовления протеза-обтуратора при всех видах резекции челюсти. Индивидуальная ложка из жесткой пластмассы содержит базис, выполненный с возможностью перекрывать оставшиеся зубы и проходить по границам переходной складки преддверия полости рта, и обтурирующую часть, выполненную с возможностью расположения по границе рубцового кольца интраоперационного дефекта. Обтурирующая часть состоит из двух полусферических пластин, расположенных с зазором между собой в 2 мм и соединенных монолитно посредством пластмассовых пластин толщиной 2 мм, располагающихся радиально от центра полусфер к периферии. Нижняя полусфера выполнена с возможностью направления в полость рта, имеет диаметр на 3 мм больше верхней, выполненной с возможностью направления в полость носа. В центре нижней полусферы обтуратора имеется отверстие диаметром, соответствующим диаметру канюли диспенсера, для внесения силиконовой оттискной массы. Пластины установлены с возможностью распространения силиконовой оттискной массы через промежутки между ними к периферии для отображения границ фиброзного кольца. Изобретение позволяет изготовить индивидуальную ложку для получения функционального оттиска с верхней челюсти пациента с послеоперационным дефектом. 2 ил.

Изобретение относится к области солнечной фотоэнергетики, в частности к устройствам для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую с использованием концентраторов солнечного излучения, и может быть использовано в солнечных энергоустановках для работы в условиях как высокой, так и низкой освещенности. Предложены два варианта солнечного фотоэлектрического модуля со стационарным концентратором, содержащим отражатели в качестве концентрирующих элементов, включающего фотоприемник излучения с двусторонней фоточувствительностью, расположенный в фокальной области концентратора. Концентратор содержит две симметричные ветви параболоцилиндрического отражателя, разделенные плоским прямоугольным отражателем, либо он выполнен в виде параболической полусферы с плоским круглым дном в качестве отражателя, а фотоприемник излучения с двусторонней фоточувствительностью является полупрозрачным для падающего на него солнечного света и выполнен либо прямоугольным, либо круглым, при этом его площадь равна или превышает площадь плоского отражателя. Фотоэлектрический модуль обеспечивает увеличение удельной мощности модуля и снижение стоимости вырабатываемой электроэнергии даже при низких значениях коэффициента концентрации солнечного излучения. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области медицины, в частности к стоматологии, и предназначено для использования при изготовления протеза-обтуратора для пациентов с частичной резекцией верхней челюсти и полным отсутствием зубов. Получают оттиск альгинатной массой полости рта пациента, по которому изготавливают гипсовую модель, на которой пластмассой для изготовления индивидуальных ложек световой полимеризации выстилают дефект верхней челюсти, не доходя 3 мм до границ дефекта, полимеризуют, получают полусферу, которую адаптируют и припасовывают внутри рубцового кольца дефекта под контролем зрения. После чего на внутренней поверхности полусферы, от центра, располагают концентрически к периферии пластины из того же материала толщиной 4 мм и фотополимеризуют. Параллельно изготовлению полусферы, на рабочей модели изготавливают индивидуальную ложку по стандартной технологии, перекрывая дефект. Полученную ложку адаптируют в полости рта, используя известные функциональные пробы. Пришлифовывают участки, оказывающие наибольшее давление на слизистую протезного ложа. После проведения клинических функциональных проб соединяют на модели полусферу с базисом ложки, получая индивидуальную ложку с соединенными монолитно базисом и обтурирующей частью. По центру нижней поверхности базиса ложки, в проекции обтурирующей части делается отверстие диаметром, соответствующим диаметру канюли диспансера. На полученную индивидуальную ложку тонким слоем наносят корригирующий слой силиконовой оттискной массы и без усилия отдавливают ткани протезного ложа. После чего через отверстие в нижней пластине обтурирующей части ложки вводят под давлением ту же массу. Масса ударяется в верхнюю пластину и растекается через промежутки между пластинами к периферии для отображения границ фиброзного кольца дефекта. Способ позволяет получить высокоточный функциональный оттиск, отображающий внутреннюю поверхность рубцового кольца и дефекта верхней челюсти.

Изобретение относится к медицине, а именно к инфекционным болезням, и может быть использовано для прогнозирования тяжести течения трихинеллеза. Определяют максимальную температуру тела, наличие миокардита, отеков лица, боли при движении языка, уровень эозинофилии. Проводят балльную оценку показателей. Рассчитывают линейно-дискриминантные функции (ЛДФ) по формулам. При ЛДФ1>ЛДФ2, ЛДФ3 прогнозируют легкую степень тяжести трихинеллеза. При ЛДФ2>ЛДФ1, ЛДФ3 прогнозируют среднюю степень тяжести трихинеллеза. При ЛДФ3>ЛДФ1, ЛДФ2 прогнозируют тяжелую степень тяжести трихинеллеза. Способ позволяет просто и точно провести прогноз тяжести течения трихинеллеза за счет учета наиболее значимых показателей. 3 табл., 3 пр.

Изобретение относится к медицине, а именно к инфекционным болезням, и может быть использовано для прогнозирования тяжести течения трихинеллеза. Определяют максимальную температуру тела, наличие миокардита, отеков лица, боли при движении языка, уровень эозинофилии. Проводят балльную оценку показателей. Рассчитывают линейно-дискриминантные функции (ЛДФ) по формулам. При ЛДФ1>ЛДФ2, ЛДФ3 прогнозируют легкую степень тяжести трихинеллеза. При ЛДФ2>ЛДФ1, ЛДФ3 прогнозируют среднюю степень тяжести трихинеллеза. При ЛДФ3>ЛДФ1, ЛДФ2 прогнозируют тяжелую степень тяжести трихинеллеза. Способ позволяет просто и точно провести прогноз тяжести течения трихинеллеза за счет учета наиболее значимых показателей. 3 табл., 3 пр.
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх