Патенты автора Григорьев Александр Михайлович (RU)
Использование: для изменения структуры внутри прозрачных материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изменения структуры внутри прозрачных материалов, имеющих запрещенную зону, содержит воздействие на материал лазерным излучением с энергией фотона меньше запрещенной зоны материала и относящейся к спектральному диапазону длинноволнового спада края собственного поглощения материала, при этом излучение концентрируют внутри материала. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области дефектоскопии кристаллических материалов и может применяться для обнаружения структурных дефектов в кристаллических материалах, в том числе полупроводниковых. При реализации способа обнаружения структурных дефектов в кристаллических материалах из исследуемого кристаллического материала изготавливают образец. Далее освещают образец светом, состоящим из фотонов с энергиями, лежащими в пределах от 0.9 до 1.0 значения энергии, равной ширине запрещенной зоны кристаллического материала образца. В прошедшем сквозь образец, и/или отраженном, и/или рассеянном материалом образца свете оптическими методами формируют контрастное оптическое или фотоэлектрическое изображение структурных дефектов. Технический результат изобретения заключается в увеличении контраста изображения структурных дефектов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области лазерной обработки поверхности материалов для использования в машиностроении и приборостроении для очистки поверхности от нежелательных слоев и загрязнений, придания заданных свойств поверхности конструктивных материалов и касается способа поверхностной лазерной обработки и устройства для его осуществления
СКАНИРУЮЩИЙ ЛАЗЕР // 2402125
Изобретение относится к области квантовой электроники и лазерно-оптических систем
Изобретение относится к области квантовой электроники и лазерных технологических систем
