Патенты автора Черепенин Владимир Алексеевич (RU)
Изобретение относится к медицинской технике, а именно к устройствам для электроимпедансной диагностики молочной железы. Устройство содержит матрицу измерительных электродов, отводящий электрод и размещенные в корпусе источник питания, источник зондирующего сигнала для питания активных измерительных электродов, общая шина которого соединена с отводящим электродом, многоканальный измеритель напряжения, микроконтроллер, к которому подключены модуль управления и ввода информации, модуль для вывода визуальной информации и анализатор данных, состоящий из микропроцессора, с подключенным к нему модулем памяти, в котором записаны коэффициенты линейной комбинации входных параметров, соответствующие данным репрезентативных контрольных групп пациентов. На лицевой панели корпуса устройства размещены индикатор модуля для вывода визуальной информации и манипулятор модуля управления и ввода информации. Вход коммутатора подключен к источнику зондирующего сигнала для питания активных измерительных электродов, а его выходы соединены с активными измерительными электродами матрицы. Во втором варианте выполнения устройства источник зондирующего сигнала для питания активных измерительных электродов выполнен многоканальным и соединен непосредственно с соответствующими активными измерительными электродами матрицы. Использование группы изобретений обеспечивает повышение быстродействия и точности измерения. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение может быть использовано при изготовлении твердотельных компактных мощных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазонов частот. Гетеропереходная структура согласно изобретению представляет собой совокупность чередующихся пар узкозонных (GaAs, либо GaN) и широкозонных (соответственно, Ga1-x Alx As, либо Ga1-xAlxN) полупроводниковых слоев. Толщины чередующихся узкозонных и широкозонных слоев выбираются одинаковыми в диапазоне 30…100 нм, узкозонные GaAs и GaN слои многослойной гетероструктуры легируются донорами до концентраций 5·1017…1·1018 см-3, а широкозонные слои Ga1-xAlxAs и Ga1-xAlxN не легируются, количество периодов пар чередующихся GaAs и Ga1-x Alx As (и, соответственно, GaN и Ga1-xAlxN) слоев мультислойной гетероструктуры выбирается от трех до нескольких десятков, мольная доля арсенида алюминия для всех слоев арсенида галлия - арсенида алюминия выбирается из диапазоне 0,20…0,35, а мольная доля нитрида алюминия для всех слоев нитрида галлия - нитрида алюминия выбирается из диапазона 0,35…0,65, при этом в слое Ga1-x Alx As (для системы GaAs-AlAs) и в слое Ga1-xAlxN (для системы GaN-AlN) из пары, наиболее удаленной от подложки, мольная доля арсенида алюминия (соответственно, нитрида алюминия) понижена и составляет около 0.7·Х, а сам этот слой покрыт более толстым (не менее 150 нм) легированным GaAs (соответственно, GaN) слоем. Вариантом заявляемой структуры может быть структура, в которой в слое твердого раствора из пары, ближайшей к подложке, мольная доля арсенида алюминия (соответственно, нитрида алюминия) составляет (0,65…0,75)·Х. Изобретение обеспечивает существенное увеличение мощности твердотельных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазона частот излучения 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к приборным структурам для генерации мощного электромагнитного излучения суб- и терагерцового диапазонов, которые применяются в компактных и мощных импульсных генераторах, детекторах и смесителях субтерагерцового и терагерцового диапазона частот. Изобретение обеспечивает увеличение мощности и расширение частотного диапазона компактных генераторов терагерцового излучения. В мультибарьерной гетероструктуре для генерации мощного электромагнитного излучения субтерагерцового и терагерцового частотного диапазонов, представляющей собой многослойную гетероструктуру из чередующихся слоев узкозонного и широкозонного полупроводников, где слой широкозонного полупроводника является энергетическим барьером ΔEC для электронов из узкозонного слоя, согласно изобретению, толщины d гетерослоев выбираются из условия
D
τ
>
d
>
30,
нм
,
где D - коэффициент диффузии электронов, а τ - время релаксации избыточной тепловой энергии электронов в решетку; широкозонные (барьерные) слои не легированы, а концентрация доноров Nd в узкозонных слоях удовлетворяет условию 1017 см-3≤Nd≤1018 см-3; высота энергетического барьера ΔEC>6kT; количество чередующихся пар узкозонных и широкозонных слоев n>4, причем материал широкозонного барьерного слоя в первой паре отличается от всех остальных, последующих, и выбирается обеспечивающим пониженную по сравнению с последующими высоту первого энергетического барьера. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к области обогащения полезных ископаемых, в частности к выщелачиванию благородных металлов из упорного золотосодержащего сырья
