Патенты автора Батраков Александр Владимирович (RU)
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и может быть использовано: для тестирования в финальной стадии изготовления радиоэлектронной аппаратуры, элементы которой покрыты защитным диэлектриком. Сущность заключается в том, что способ реализуется путем сканирования контролируемого объекта проводящей плазменной струей при разности потенциалов между плазмой и объектом ниже уровня напряжений, опасных для объекта, с одновременной регистрацией тока, протекающего через дефект в плазму. При обнаружении дефекта в область дефекта направляется струя реакционного газа, включающего по крайней мере один газообразный компонент, способный полимеризоваться в плазме, при этом сохраняется режим генерации плазменной струи. В результате такого воздействия на поверхности дефекта формируется полимерное покрытие, закрывающее дефект и тем самым устраняющее дефект. Технический результат: совмещение процедуры обнаружения и процедуры устранения дефекта в едином технологическом цикле. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к технике испытаний и может быть использовано при наземной экспериментальной отработке и при приемочных испытаниях радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов на стойкость к инициированию вторичной дуги при работе аппаратуры на напряжениях, превышающих падение потенциала на дуге, в условиях имитации космического пространства, включая плазменное окружение, имитирующее плазму первичного разряда. Техническим результатом данного изобретения является устранение сквозных дефектов сплошности защитного покрытия путем восстановления полимерного покрытия на токоведущих проводниках испытываемой аппаратуры, что ведет к снижению риска повреждения радиоэлектронной аппаратуры в процессе испытания при сохранении достоверности испытаний. Способ испытания радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов на стойкость к вторичному дугообразованию заключается в воздействии плазмой, имитирующей плазму первичного разряда, на испытываемую аппаратуру в активном (рабочем) состоянии под напряжением, превышающим падение потенциала на дуге. Для достижения технического результата непосредственно перед испытанием работающей аппаратуры в плазменном окружении и в едином цикле с испытанием выполняется процедура осаждения полимера в местах нарушения защитного полимерного покрытия, при этом для осаждения полимера используется тот же источник плазмы, который используется для формирования плазменного окружения, имитирующего плазму первичного разряда. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к методам обнаружения аварийной электрической дуги радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), работающей в условиях вакуума и может быть использовано в бортовой аппаратуре космических аппаратов. Техническим результатом является высокая чувствительность обнаружения слаботочной электрической дуги и локализация сегмента РЭА, в которой дуга возникла. Способ обнаружения слаботочной электрической дуги в радиоэлектронной аппаратуре, работающей в условиях вакуума, включает измерение мощности электромагнитного шума в цепях электропитания РЭА, лежащего в диапазоне частот от 50 МГц до 500 МГц, и одновременное измерение интенсивности оптического излучения во внутреннем пространстве каждого из сегментов РЭА. Индикатором прогрессирующего дугового разряда является монотонное кратное снижение мощности электромагнитного шума синхронно с монотонным кратным ростом интенсивности оптического излучения во внутреннем пространстве сегмента РЭА. Для исключения влияния светоизлучающих элементов РЭА видимого диапазона спектра на результаты оптических измерений излучения дуги регистрирующий датчик может иметь селективную спектральную чувствительность в УФ диапазоне спектра. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
СПОСОБ КОНТРОЛЯ СПЛОШНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ НА ЭЛЕМЕНТАХ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ // 2613571
Использование: для тестирования в финальной стадии изготовления радиоэлектронной аппаратуры, элементы которой покрыты защитным диэлектриком. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит сканирование элементов радиоэлектронной аппаратуры контролируемого объекта плазменной струей при разности потенциалов между плазмой и объектом ниже уровня напряжений, опасных для объекта контроля, с одновременной регистрацией электрического тока из объекта в плазму, предварительно контролируемый объект полностью погружается в плазму, выявляя на этой стадии наличие дефекта сплошности диэлектрического покрытия на объекте, и при необходимости выполняется дальнейшее сканирование элементов объекта плазменной струей с сечением, обеспечивающим точность локализации дефекта. Технический результат: обеспечение возможности сокращения времени обнаружения дефектов сплошности диэлектрического покрытия при сохранении достоверности результатов контроля. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к технике испытаний и может быть использовано при наземной экспериментальной отработке радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов в диапазоне давлений окружающей среды от атмосферного до соответствующего глубокому вакууму. Технический результат - повышение достоверности испытаний элементов радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к дугообразованию при выходе из строя электрорадиотехнического изделия внутри радиоэлектронной аппаратуры, приводящего к инициированию первичного дугового разряда и способного приводить к вторичным самоподдерживающимся дугам при недостаточной стойкости испытываемого элемента аппаратуры. Питание первичного дугового разряда, горящего в промежутке между электродами, осуществляется с использованием напряжения, равного напряжению бортовой кабельной сети космического аппарата, а инициирование разряда осуществляется путем электрического пробоя промежутка высоковольтным импульсом напряжения, длительность которого не превышает времени прохождения плазменным фронтом расстояния от места инициирования разряда до крайней точки электродов, обращенной в сторону испытываемого элемента. 2 ил.
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ЭЛЕКТРОДОВ ИЗОЛИРУЮЩИХ ПРОМЕЖУТКОВ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ // 2384911
Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к технике электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в высоковольтных электровакуумных приборах с целью улучшения их эксплуатационных характеристик
