Патенты автора Лесников Валерий Павлович (RU)

Изобретение относится к эпитаксиальной технологии производства термоэлектрических преобразователей с термоэлектрическим элементом в виде тонкой пленки высшего силицида марганца. Технический результат: повышение стабильности эксплуатационных свойств термоэлектрического элемента, определяемых его повышенной термоэлектрической добротностью в расширенном температурном интервале, устранение паразитной проводимости подложки при температуре выше 300°С, снижение ее теплопроводности и повышение радиационной стойкости. Сущность: способ производства термоэлектрического преобразователя включает изготовление термоэлектрического элемента в виде тонкой пленки высшего силицида марганца путем ее сублимационного формирования в вакууме на поверхности подложки. Предварительно изготавливают молекулярный источник составляющих сублимационного формирования методом электроимпульсного плазменного спекания (ЭИПС) порошковой смеси кремния и марганца со средним размером их частиц 0,5 мкм и соотношением их содержания в указанной смеси, соответствующим составу высшего силицида марганца Si1,75-δMn (δ=0,00-0,02) при режиме ЭИПС под давлением 50-70 МПа со скоростью нагрева порошковой смеси 50-100°С/мин до температуры 850-1050°С и выдержкой при ней в течение 10-30 мин. Далее осуществляют сублимационное формирование пленки высшего силицида марганца толщиной 60-100 нм методом импульсно-лазерного осаждения (ИЛО) в высоком вакууме на поверхность подложки, выполненной из сапфира или слюды и имеющей температуру 350°С с использованием изготовленного молекулярного источника в качестве мишени. Осаждение осуществляют лазерными импульсами длительностью 10 нс с частотой их повторения 10 Гц и временем осаждения 60-100 мин с помощью распыляющего лазерного пучка с его энергией в импульсе 110 мДж. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к составной мишени для магнетронного распыления. Мишень содержит плоскую нижнюю базовую часть, изготовленную из первого компонента осаждаемого на подложку материала пленки, и как минимум одну размещенную на указанной нижней базовой части верхнюю накладную часть, изготовленную из второго компонента осаждаемого на подложку материала пленки и имеющую площадь распыляемой поверхности, обеспечивающую требуемую мольную долю этого компонента в составе осаждаемого на подложку как минимум двухкомпонентного материала пленки. Одна верхняя накладная часть размещена на рабочей поверхности нижней базовой части с возможностью смещения первой указанной части мишени относительно второй и настроечного изменения площади распыляемой поверхности указанной верхней накладной части. Мишень имеет проградуированное средство контроля указанного подбираемого смещения верхней накладной части. Технический результат изобретения состоит в повышении точности коррекции площади распыляемой поверхности верхних накладных частей, задаваемой площадками, занимаемыми последними в контуре кольцевой зоны распыления мишени, за счет обеспечиваемого геометрической формой каждой верхней накладной части изменения своей площадки, занимаемой последней в контуре зоны распыления мишени, при нормированном смещении каждой верхней накладной части. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к изготовлению распыляемой композитной мишени, содержащей фазу сплава Гейслера Co2MnSi, которая может быть использована при производстве микроэлектроники. Способ включает механическое смешивание порошков компонентов сплава с получением однородной порошковой смеси и ее спекание-прессование. Спекание-прессование порошковой смеси при температуре 600°С и давлении 2,5 кН путем пропускания последовательностей импульсов постоянного тока до 5 кА с длительностью импульса 3,3 мс через засыпку порошковой смеси с получением компакта. Полученный компакт плавят в кварцевом тигле индукционной печи при 1300°С в течение 3 часов с получением гомогенизированного слитка. Cлиток дробят и измельчают с получением частиц размером 1-200 мкм и проводят спекание-прессование композитной мишени из полученных частиц методом электроимпульсного плазменного спекания с контролем дилатометрической кривой усадки. Обеспечивается получение гомогенизированной по составу механически прочной композитной мишени, которая имеет пористость в диапазоне 2-40% и содержит исключительно фазу сплава Гейслера стехиометрического состава. 6 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 пр.

Изобретение относится к изготовлению распыляемых композитных мишеней сплава Гейслера Co2MnSi, которые могут найти применение при производстве микроэлектроники. Способ включает механическое смешивание порошков компонентов сплава с получением однородной порошковой смеси и ее спекание. Спекание порошковой смеси ведут методом электроимпульсного плазменного спекания в графитовой пресс-форме при температуре 600°С и минимальном давлении 2,5 кН путем пропускания последовательностей импульсов постоянного тока 5000 А с длительностью импульса 3,3 мс через засыпку порошковой смеси с получением композитной мишени. Осуществляют контроль пористости мишени на основе данных дилатометрической кривой усадки. Обеспечивается получение механически прочных, не окисленных, композитных мишеней сплава с пористостью в диапазоне 10-30%. 1 з.п. ф-лы, 3 ил, 1 пр.

Изобретение относится к магнетронному распылению составной мишени с частями, изготовленными из отдельных компонентов осаждаемого на подложку материала пленки. Подготавливают тонкие плоские шаблоны, имеющие форму и соответствующую заданному изменению состава осаждаемого на подложку материала пленки площадь рабочих участков поверхностей распыления верхних накладных частей мишени, представляющих собой площадки, занимаемые ими в контуре зоны распыления. Указанные шаблоны размещают с их фиксацией на соответствующих указанных рабочих участках поверхностей распыления верхних накладных частей, последние затем поочередно перемещают на нижней базовой части мишени в контуре зоны распыления до совпадения площадок, занимаемых ими в контуре зоны распыления, с контурами соответствующих шаблонов, которые перед магнетронным распылением удаляют. Площадь указанных шаблонов для каждой верхней накладной части определяют в зависимости от суммарной площади поверхностей распыления нижней базовой части и верхних накладных частей мишени в пределах зоны магнетронного распыления. В результате чего расширяются технологические возможности. 3 ил.

Изобретение относится к изготовлению распыляемой композитной мишени из сплава Гейслера Co2FeSi. Способ включает механическое смешивание порошков компонентов сплава Гейслера Co2FeSi с получением однородной порошковой смеси и ее спекание. Порошковую смесь готовят из высокочистых порошков кобальта, железа и кремния. Спекание порошковой смеси ведут методом электроимпульсного плазменного спекания в графитовой пресс-форме при температуре 600°С и минимальном давлении 2,5 кН путем пропускания последовательностей импульсов постоянного тока 5000 А с длительностью импульса 3,3 мс через засыпку порошковой смеси с получением композитной мишени из сплава Гейслера Co2FeSi. Осуществляют контроль пористости мишени на основе данных дилатометрической кривой усадки. Обеспечивается получение механически прочных, не окисленных композитных мишеней с пористостью в диапазоне 10-30%. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Изобретение относится к изготовлению распыляемой композитной мишени, содержащей фазу сплава Гейслера Co2FeSi, которая может быть использована при производстве микроэлектроники. Способ включает механическое смешивание порошков компонентов сплава Гейслера Co2FeSi, спекание-прессование полученной смеси методом электроимпульсного плазменного спекания при температуре 600°С и минимальном давлении 2,5 кН. Спекание ведут путем пропускания последовательностей импульсов постоянного тока до 5 кА с длительностью импульса 3,3 мс через засыпку порошковой смеси с получением компакта. После этого ведут плавление полученного компакта в кварцевом тигле индукционной печи при 1300°С в течение 3 часов до полного расплавления с получением гомогенизированного слитка. Полученный слиток дробят и измельчают с получением частиц размером 1-200 мкм и проводят спекание-прессование композитной мишени методом электроимпульсного плазменного спекания с контролем дилатометрической кривой усадки. Обеспечивается получение гомогенизированной механически прочной композитной мишени заданной геометрии с пористостью в диапазоне 2-40%, содержащей фазу сплава Гейслера стехиометрического состава Co2FeSi. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области получения структур, например, элементов памяти, необходимых для использования в микроэлектронике, системотехнике

 


Наверх