Патенты автора Климов Евгений Александрович (RU)

Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение позволяет упростить способ генотипирования крупного рогатого скота по аллелям 878 C>Т гена scd1 (rs41255693), сократить время проведения анализа. Способ генотипирования крупного рогатого скота по аллелям 878 C>Т гена scd1 (rs41255693) методом ПЦР в режиме реального времени состоит в том, что используются: прямой праймер SCD1-D 5'- CCCTTATGACAAGACCATCAACC -3', обратный праймер SCD1-R 5'-GACGTGGTCTTGCTGTGGACT -3', SCD1-T- аллель-специфичный флуоресцентно-меченый зонд 5'-FAM- СТТАСССACAGCTCCCA-BHQ1 -3', SCD1-C- аллель-специфичный флуоресцентно-меченый зонд 5'VIC-TACCCGCAGCTCCC-3- BHQ1, при этом для гомозиготных образцов по аллелю Т (генотип 878Т/Т) детектируется нарастание флуоресценции по каналу FAM, для гомозиготных образцов по аллелю С (генотип 878С/С) детектируется сигнал по каналу VIC, для гетерозиготного образца (генотип 878Т/С) наблюдается нарастание флуоресценции по обоим каналам детекции, а наличие двух красителей, FAM и VIC, позволяет однозначно определить присутствие каждого из исследуемых аллелей гена scd1 в анализируемом образце ДНК и, соответственно, генотип животного. 2 ил.

Изобретение может быть использовано при производстве передающих и приемных антенн для терагерцевого диапазона частот (от 300 ГГц до 5 ТГц). Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн эпитаксиально выращена на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А и состоит из чередующихся слоев нелегированного низкотемпературного LT-GaAs и высокотемпературного легированного кремнием GaAs:Si дырочного типа проводимости. Слои LT-GaAs выращены при соотношении потоков мышьяка и галлия большими, чем слои GaAs:Si, легированные кремнием и выращенные в высокотемпературном режиме. Изобретение обеспечивает возможность управления концентрацией точечных дефектов AsGa и тем самым возможность регулирования времени жизни фотовозбужденных носителей заряда за счет выращивания матричного матричных слоев LT-GaAs при повышенном давлении мышьяка. 1 ил.

Использование: для создания материала фотопроводящих антенн. Сущность изобретения заключается в том, что материал содержит пленку LT-InGaAs, эпитаксиально выращенную при пониженной температуре на подложке InP, отличающийся тем, что используется подложка InP с кристаллографической ориентацией (n11)A, где n=1, 2, 3…; пленка LT-InGaAs легируется примесями с амфотерными свойствами (например, кремнием); выбирается соотношение потоков мышьяка и элементов III группы (галлия и индия) такое, чтобы выращенная пленка LT-InGaAs имела дырочный тип проводимости. Технический результат: обеспечение возможности упрощения технологического процесса и управления диапазоном генерации и приема излучения. 2 ил.

Изобретение относится к области биохимии и молекулярно-генетической диагностики, в частности к способу выявления у субъекта предрасположенности к развитию панического расстройства. Настоящий способ включает совместное выявление комплексных генотипов в генах SLC6A4, HTR1A, CCKAR. Согласно указанному способу диагностическим признаком предрасположенности к развитию панического расстройства является наличие сочетания однонуклеотидных замен rs6295:C в гене HTR1A и rs3813034:CC в гене SLC6A4 или наличие сочетания однонуклеотидных замен rs1799723:A и rs1800908:T в гене CCKAR. Настоящее изобретение позволяет прогнозировать высокий риск развития панического расстройства у субъектов. 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 5 табл., 3 пр.

Изобретение может быть использовано в приемных антеннах для терагерцевого диапазона частот (от 300 ГГц до 4 ТГц). Cтруктура представляет собой полупроводниковую эпитаксиальную многослойную структуру, выращенную на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А, состоящую из чередующихся матричных слоев нелегированного GaAs, выращенных в низкотемпературном режиме, и функциональных слоев GaAs, выращенных в стандартном высокотемпературном режиме и легированных атомами Si. Соотношение потоков мышьяка и галлия при эпитаксиальном росте выбрано таким, чтобы в высокотемпературном режиме эпитаксиального роста слои GaAs проявляли p-тип проводимости. Концентрация носителей заряда (в данном случае дырок) регулируется изменением толщины легированных кремнием слоев GaAs, выращенных в стандартном высокотемпературном режиме, а также изменением периода повторения этих слоев. Техническим результатом изобретения является упрощение технологического процесса эпитаксиального выращивания структур для фотопроводящих антенн, за счет исключения необходимости использования источника эрбия в установке молекулярно-лучевой эпитаксии. 2 ил.

Изобретение может быть использовано для создания активного слоя в фотопроводящих антеннах-детекторах и генераторах электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Материал для фотопроводящих антенн согласно изобретению представляет собой пленку GaAs, эпитаксиально выращенную на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А при пониженной температуре роста, легированную атомами кремния, причем соотношение потоков мышьяка и галлия при эпитаксиальном росте выбрано таким, чтобы большая часть атомов кремния являлась акцепторной примесью. Изобретение обеспечивает предложенный полупроводниковый фотопроводящий материал, имеющий сверхмалое время жизни фотовозбужденных носителей заряда, может быть получен упрощенным технологическим способом эпитаксиального выращивания.
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления монолитных интегральных схем, оперирующих в сантиметровом и миллиметровом диапазоне длин волн. Согласно изобретению предложена полупроводниковая транзисторная гетероструктура на подложке GaAs с модифицированным стоп-слоем AlxGa1-xAs. Модифицированный стоп-слой AlxGa1-xAs выращивается с градиентом мольной доли алюминия от х=0.23 до х0=0.26÷0.30 и с толщиной 1÷10 нм. Изобретение обеспечивает точный контроль глубины травления с помощью введения стоп-слоя, который не должен оказывать негативное влияние на параметры полевого транзистора, при этом негативное влияние выражается в уменьшении пробивного напряжения и рабочих токов, ухудшении управляемости транзистора, увеличении сопротивление омических контактов. 2 ил.

Использование: для контроля технологии при изготовлении полупроводниковых метаморфных гетероструктур. Сущность изобретения заключается в том, что регистрируют кривые дифракционного отражения в режиме θ/2θ-сканирования от различных кристаллографических плоскостей, измеряют угловое положения пика от выбранной малой области эпитаксиального слоя с градиентом химического состава и вычисляют параметры решетки в различных направлениях на основе измеренных брэгговских углов, при эпитаксиальном росте слоя с градиентом химического состава в заранее произвольно выбранной малой области этого слоя формируется монокристаллический слой с однородным составом толщиной 50-100 нм, дающий отчетливый пик на кривых дифракционного отражения и не вносящий дополнительной упругой деформации. Технический результат: обеспечение возможности определения параметров решетки метаморфного слоя в произвольно выбранной малой области метаморфного слоя. 5 ил.

Изобретение относится к области ветеринарии и предназначено для выявления вируса лейкоза крупного рогатого скота (ВЛКРС) с использованием полимеразной цепной реакции. В реакции используют олигонуклеотиды, обладающие последовательностью не менее 15 последовательных оснований внутри любой из последовательностей оснований локусов генома ВЛКРС, представленных SEQ ID NO с 1 по 11. Изобретение обеспечивает универсальный способ детектирования ВЛКРС независимо от принадлежности ВЛКРС к определенной популяции за счет использования консервативных областей генома - gag и pol. 6 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 табл., 4 пр.

Изобретение относится к полупроводниковым метаморфным наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями

Изобретение относится к полупроводниковым наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями

Изобретение относится к области молекулярной генетики и селекции крупного рогатого скота

 


Наверх