Патенты автора Чибирова Фатима Христофоровна (RU)
Изобретение относится к получению наноструктурированных титан-оксидных пленок для солнечных элементов. Способ включает нанесение гидрозоля диоксида титана на подложку, сушку с образованием пленки и ее прокаливание. При этом в способе применяют магнитную обработку гидрозоля диоксида титана или его прокаленной пленки, способствующую существенному увеличению размера кристаллитов в титан-оксидной пленке, причем шероховатость пленки практически не меняется. Предварительно гидрозоль диоксида титана получают пероксидным синтезом или ультразвуковой обработкой гидрогеля диоксида титана, не требующими применения органических реагентов. Изобретение обеспечивает создание на подложке титан-оксидной пленки заданной наноструктуры без использования органических веществ при ее синтезе. 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 4 пр.
Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе // 2660338
Изобретение может быть использовано в аналитической химии для контроля концентрации озона в технологических процессах, экологического мониторинга, контроля воздушной среды рабочих зон, атмосферного мониторинга, в научных исследованиях, в том числе в области атмосферной химии. Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерения содержания озона в воздухе заключается в том, что металлооксидные полупроводниковые пленки наносят на нагреваемые диэлектрические подложки и формируют чувствительный слой путем экспериментально установленных многоэтапных режимов отжига при непрерывном измерении сопротивления металлооксидной пленки, при этом для измерения концентраций озона в воздухе в интервале от 50 до 400 мкг/м3 используют металлооксидные пленки на основе In2O3 с добавками Fe2O3, при этом выбирают режим формирования чувствительного слоя, когда пленку нагревают в воздухе со скоростью не меньше 8,5 и не больше 13°С/мин до температур 460-650°С, а затем при этих температурах выдерживают не менее 0,5 ч. Изобретение обеспечивает повышение разрешающей способности и точности измерений резистивными полупроводниковыми сенсорами при повышенных концентрациях озона (более 50 мкг/м3). 4 ил., 1 табл., 9 пр.
Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе // 2660333
Изобретение может быть использовано в аналитической химии, в экологическом мониторинге, для контроля воздушной среды населенных мест, в атмосферном мониторинге, для контроля концентрации озона в технологических процессах, научных исследованиях, в том числе в области атмосферной химии. Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерения содержания озона в воздухе заключается в том, что металлооксидные полупроводниковые пленки наносят на нагреваемые диэлектрические подложки и формируют чувствительный слой путем экспериментально установленных многоэтапных режимов отжига при непрерывном измерении сопротивления металлооксидной пленки, при этом для измерений концентраций озона в воздухе в интервале от 0,3 до 30 мкг/м3 используют металлооксидные пленки на основе In2O3 с добавками Fe2O3, при этом выбирают режим формирования чувствительного слоя, когда пленку нагревают в инертном газе со скоростью не меньше 3 и не больше 10°С/мин до температур 500-600°С, охлаждают до комнатной, а затем нагревают в воздухе со скоростью не меньше 3 и не больше 10°С/мин до температур 500-650°С, затем охлаждают. Изобретение обеспечивает требуемые чувствительность и точность измерений резистивных полупроводниковых сенсоров для низких и ультранизких концентраций 0,3-30 мкг/м3 озона в воздухе и измерения озона в указанном диапазоне с высокой разрешающей способностью. 6 ил. 1 табл., 10 пр.
Способ получения пленок диоксида титана // 2632296
Изобретение относится к области технологий получения пленок и может быть использовано в технологии получения пленок диоксида титана TiO2 на твердых подложках. Способ получения пленок диоксида титана на твердой подложке включает синтез прекурсора пленки на основе диоксида титана осаждением гидрогеля диоксида титана из водного раствора тетрахлорида титана водным раствором гидроксида аммония при постоянном рН=7. Полученный гидрогель диоксида титана перемешивают с раствором пероксида водорода при мольном отношении H2O2:TiO2=(1,3÷1,5):1 до образования раствора пероксититановой кислоты, которую затем подвергают старению при температуре 95°C в течение 24 часов до образования гидрозоля диоксида титана. Полученный гидрозоль диоксида титана в качестве прекурсора пленки наносят на твердую подложку, сушат с образованием пленки и подвергают ее термообработке. Затем пленку диоксида титана подвергают магнитной обработке в поле с амплитудой напряженности Н=0,10 Тл, частотой ω=10-30 Гц в течение трех минут. Обеспечивается получение пленки диоксида титана с хорошо сформированной структурой анатаза. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 табл.
Изобретение относится к области технологий получения эпитаксиальных оксидных сверхпроводящих покрытий на металлической подложке, предварительно покрытой биаксиально текстурированным оксидным слоем и буферными оксидными слоями, или на биаксиально текстурированной металлической подложке, предварительно покрытой оксидными буферными слоями, и может быть использовано для получения сверхпроводящих проводников второго поколения. Способ получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала включает нанесение на гибкую металлическую текстурированную подложку или на металлическую подложку, покрытую промежуточным биаксиально текстурированным оксидным слоем, по меньшей мере одного эпитаксиального оксидного буферного слоя из прекурсора, получаемого из золя оксидных и гидроксидных наночастиц выбранных элементов в водном растворе температурно-зависимого полимера, путем нагревания при температуре, превышающей температуру фазового перехода температурно-зависимого полимера, при этом золь оксидных и гидроксидных наночастиц выбранных элементов предварительно обрабатывают в течение 100 и более секунд в переменном вращающемся магнитном поле с амплитудой напряженности не более 0,10 Тл и частотой (10-40) Гц с последующей термообработкой буферного слоя и нанесением на буферный слой по меньшей мере одного эпитаксиального слоя сверхпроводникового материала и его термообработкой. Изобретение обеспечивает получение многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала с улучшенной кристаллической структурой эпитаксиальных буферных слоев, полученных из прекурсоров в виде гидрозолей оксидных или гидроксидных наночастиц. 2 ил., 2 табл.
Использование: для получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения включает нанесение на гибкую металлическую текстурированную подложку или на металлическую подложку, покрытую промежуточным биаксиально текстурированным оксидным слоем, по меньшей мере, одного эпитаксиального оксидного буферного слоя из прекурсора, получаемого из золя оксида-гидроксида выбранного элемента или нерастворимой соли выбранного элемента в водном растворе температурно-зависимого полимера, путем нагревания при температуре, превышающей температуру фазового перехода температурно-зависимого полимера, нанесение на буферный слой, по меньшей мере, одного эпитаксиального слоя сверхпроводникового материала и его термообработку, при этом после нанесения эпитаксиального оксидного буферного слоя осуществляют его обработку в переменном магнитном поле с амплитудой напряженности не более 0,10 Тл и частотой 10-40 Гц в течение 100 и более секунд. Технический результат: обеспечение возможности повышения совершенства кристаллической структуры и морфологии эпитаксиального буферного слоя и, как следствие, повышение совершенства кристаллической структуры нанесенного на него сверхпроводящего покрытия, и в результате повышение плотности критического сверхпроводящего тока. 2 ил., 2 табл.
Изобретение относится к области металлургии, конкретнее к способам обработки металлов с использованием магнитных полей, и может быть использовано для обработки твердотельного порошкообразного магнитного и немагнитного материала в переменном магнитном поле для модификации структурно-зависимых свойств этих материалов. Способ обработки порошкообразного оксида металла в переменном магнитном поле включает обработку порошкообразного оксида в слабом вращающемся магнитном поле с заданными амплитудой, частотой и длительностью воздействия, при этом в процессе обработки осуществляют непрерывное изменение ориентации частиц порошкообразного оксида металла относительно вектора магнитной индукции путем перемешивания порошкообразного оксида. Перемешивание можно осуществлять механическим путем, газовыми потоками по схеме «кипящего слоя», вращающимися магнитными полями. Обработке подвергают магнитный и немагнитный оксид металла, причем обработку можно проводить в переменном неоднородном магнитном поле при частоте, близкой к частоте переменного магнитного поля. Изобретение позволяет обеспечить эффективность и равномерность обработки за счет постоянного изменения ориентации частиц порошкообразного материала относительно вектора магнитной индукции. 7 з.п. ф-лы, 1 пр., 16 табл., 2 ил.
Изобретение относится к гидрометаллургии лантаноидов, а именно к получению кристаллических нанопорошков оксидов лантаноидов. Способ получения порошков индивидуальных оксидов лантаноидов включает осаждение соли лантаноидов из азотнокислых растворов твердой щавелевой кислотой при непрерывном введении полиакриламида, отделение ее, промывку, сушку, термообработку полученного осадка и последующую обработку в слабом переменном магнитном поле с частотой 20÷50 Гц и амплитудой 0,05÷0,1 Тл. Способ позволяет получать порошки оксидов лантаноидов с наноразмерными частицами, однородным гранулометрическим составом и повышенной устойчивостью к взаимодействию с влагой. 1 ил., 1 табл., 1 пр.
Изобретение относится к люминесцентным материалам, которые могут быть использованы в оптике, оптоэлектронике, солнечной энергетике
Изобретение относится к области получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий на металлической подложке
