Патенты автора Буланов Андрей Дмитриевич (RU)
Изобретение относится к получению изотопно обогащенного тетрахлорида германия GeCl4. Предложен способ получения изотопно обогащенного тетрахлорида германия из неорганических соединений, отличающийся тем, что в качестве неорганических соединений используют изотопно обогащенный тетрафторид германия (70GeF4, 72GeF4, 73GeF4, 74GeF4, 76GeF4) и хлорид алюминия (III), взаимодействие которых проводят при температуре 150-400°С в закрытом реакторе при 2-10-кратном избытке хлорида алюминия (III) относительно стехиометрического соотношения и продолжительности контакта реагентов 2-20 ч. Технический результат – предложенный способ позволяет обеспечить увеличение выхода изотопно обогащенного тетрахлорида германия до 95% и снижение содержания примесей в получаемом продукте. 2 табл., 2 пр.
Изобретение относится к способу получения изотопно-обогащенного стеклообразного диоксида кремния SiО2, обогащенного изотопами кремния 28Si или 29Si или 30Si, который может быть использован для получения изотопов кремния, оптических материалов, волоконных световодов и пленок из изотопно-обогащенного диоксида кремния. Способ включает синтез алкоксида изотопно-обогащенного кремния Si(OR)4 (R - СН3, С2Н5, i-C3H7) при взаимодействии неорганических соединений, в качестве которых используют изотопно-обогащенные тетрахлориды кремния 28SiCl4, 29SiCl4, 30SiCl4, с безводным спиртом общей формулы R-OH (R - СН3, С2Н5, i-C3H7) при температуре 20-50°С и 2-4-кратном избытке спирта относительно стехиометрического соотношения, гидролиз алкоксида изотопно-обогащенного кремния, осушку и термообработку полученного геля гидратированного изотопно-обогащенного диоксида кремния. Изобретение обеспечивает увеличение выхода изотопно-обогащенного стеклообразного диоксида кремния до 96%, упрощение и повышение экономичности способа, исключение необходимости использования сложного оборудования и больших количеств дефицитных изотопно-обогащенных веществ и безопасность процесса. 4 з.п. ф-лы, 2 пр.
Изобретение относится к области получения высокочистых веществ и касается разработки способа получения изотопнообогащенного германия, который может быть использован в микроэлектронике, ИК-оптике, нанофотонике, фундаментальных физических исследованиях. Исходным соединением для получения моноизотопных 72Ge, 73Ge, 74Ge, 76Ge является обогащенный одним изотопом германия моногерман, полученный в обогащенном состоянии последовательным выделением при центрифужном разделении моногермана с природным изотопным составом. Выделение германия осуществляют пиролизом моногермана при температуре 350-450°C и давлении 1050-1100 мбар. Его проводят в кварцевом трубчатом реакторе, внутренние стенки которого покрыты слоем пиролитического углерода. После осаждения поликристаллического германия его сплавляют непосредственно в реакторе в компактный слиток. Обеспечивается получение изотопов германия с высокой степенью изотопной и химической чистоты с выходом продукта более 95%. 2 з.п. ф-лы, 4 пр.
Изобретение относится к получению изотопнообогащенного тетрахлорида кремния, который может быть использован для получения изотопов кремния, оптических материалов, волоконных световодов и пленок. Способ получения изотопнообогащенных тетрахлоридов кремния 28SiCl4, 29SiCl4, 30SiCl4 включает взаимодействие изотопнообогащенных тетрафторидов кремния 28SiF4, 29SiF4, 30SiF4 и хлорида алюминия(III) при температуре 250-400°C в закрытом реакторе при 2-10-кратном избытке хлорида алюминия(III) относительно стехиометрического соотношения и продолжительности контакта реагентов 30-60 ч. Изобретение обеспечивает высокий выход изотопнообогащенного тетрахлорида кремния, повышение экономичности способа и безопасность процесса. 2 пр.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИЛАНА // 2492141
Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано для получения силана, применяемого для производства кремния в виде поли- и монокристаллов, и пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированного фтором
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ИЗОТОПОВ ГЕРМАНИЯ // 2412747
Изобретение относится к области разделения стабильных изотопов и может быть использовано в полупроводниковой технике
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению фторидов, и касается разработки способа получения высокочистого тетрафторида кремния, используемого в электронной промышленности для получения легированного фтором аморфного гидрогенизированного кремния, имплантации ионов кремния и фтора в поверхностный слой арсенида галлия, а также в волоконной оптике в качестве легирующей добавки для понижения показателя преломления кварцевого стекла при производстве кварцевых волоконных световодов
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению кремнийсодержащих материалов, и касается разработки способа получения высокочистого силана, в том числе обогащенного изотопами Si28, или Si29, или Si30 , используемого для получения кремния в виде монокристаллов и пленок, а также покрытий из изотопно-обогащенного SiO2
