Патенты автора Коньков Олег Игоревич (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой и сверхпроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении фотонных устройств, сверхъёмких аккумуляторов и суперконденсаторов, высокочувствительных химических сенсоров и разделительных мембран. Углеродсодержащий материал - природный минерал шунгит с размером частиц 0,01-1 мкм помещают в зону испарения 1 термокамеры. Испаритель нагревают до температуры возгонки 350-400°С. Затем повышают температуру до 750°С со скоростью 3-5°С/мин. Дополнительно создают зоны формовки 2 и термостабилизации 5, разделенные подложкой 3, расположенной в зоне конденсации 4. Температуру зоны испарения 1 устанавливают большей, чем температура зоны формовки 2, а температуру зоны термостабилизации 5 - меньше температуры зоны формовки 2. В результате конденсации в вакууме углерода на предварительно нагретую подложку 3 получают углеродную пленку, однородную по составу, размером 1 мм и более и толщиной 0,1 мкм и более при снижении энергоемкости процесса. 4 ил.
Изобретение относится к области техники высоких и сверхвысоких частот и предназначено для эффективной защиты входов радиоэлектронного оборудования от воздействия электромагнитных наводок. Технический результат - повышение эффективности защиты входов радиоэлектронного оборудования от внешних переменных магнитных полей за счет полной компенсации магнитной составляющей электромагнитной волны. Для этого компенсацию осуществляют путем разделения электромагнитной волны в одной или в нескольких коаксиальных линиях на две симметричные составляющие, фиксируют начальную точку (точку фиксации) пространства, где разделяют электромагнитную волну путем включения в каждую коаксиальную линию симметричного разветвителя, тем самым создают условия распространения составляющих волны навстречу друг другу в одной коаксиальной линии и/или в нескольких коаксиальных линиях, расположенных в плоскостях под углом друг к другу, устанавливают амплитуду и длительность встречных волн одинаковыми за равные промежутки времени, определяют точку компенсации магнитного поля каждой коаксиальной линии, сдвигают точку фиксации для каждой коаксиальной линии. При этом точка компенсации магнитной составляющей поля сдвигается, осуществляется продольное сканирование области коаксиальной линии. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к области электронной техники, а более конкретно - к технологии создания высоковольтных полупроводниковых диодов, и может быть использовано для создания интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно - к конструкции высоковольтных выпрямительных диодов типа диодов Шоттки на основе карбида кремния

 


Наверх