Патенты автора Юркин Василий Иванович (RU)

Изобретение относится к области магнитоэлектроники, а именно к преобразователям магнитного поля в электрический сигнал, и может быть использовано в различных электронных устройствах, предназначенных для усиления и генерации электрических сигналов, защиты входных цепей радиоэлектронной аппаратуры от мощных электромагнитных излучений, а также как датчик магнитной индукции. Сущность изобретения заключается в том, что в предлагаемом двухколлекторном металлополупроводниковом приборе коллекторы сформированы только на одной стороне металлической ленты, при этом токи в ленте проходят в противоположных направлениях. Управление величиной тока коллекторов осуществляется с помощью внешнего поперечного переменного или постоянного магнитного поля. Технический результат: упрощение конструкции и технологии изготовления прибора, увеличение выходной мощности усилителя, а при использовании прибора в качестве датчика магнитного поля - магнитной чувствительности по напряжению. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к электровакуумным двухрезонаторным генераторам СВЧ клистронного типа с двухзазорным первым резонатором. Первый резонатор обеспечивает самовозбуждение генератора в режиме автогенерации на противофазном виде колебаний и достаточно эффективное группирование электронов. Основная особенность предлагаемого прибора заключается в том, что оба зазора первого резонатора имеют протяженное пространство взаимодействия (ППВ) электронов с СВЧ полем. Изобретение предназначено для генерации большой мощности СВЧ. Технический результат - увеличение КПД благодаря использованию ППВ и больших амплитуд СВЧ напряжений в пределах (1,1-1,3)U0 в первом резонаторе. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Использование: для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Сущность изобретения заключается в том, что транзистор с металлической базой, содержащий эмиттер, базу из материала с металлической проводимостью и коллектор, при этом между эмиттером и базой сформирован барьер Шотки, эмиттер выполнен из полупроводникового материала с n+-типом проводимости, коллектор - из материала с n-типом проводимости, причем между базой и коллектором размещен тонкий буферный слой из материала с p-типом проводимости, при этом между базой и буферным слоем сформирован омический контакт, а между буферным слоем и коллектором - p-n-переход. Технический результат: обеспечение возможности увеличения статического коэффициента передачи тока эмиттера в схеме с общей базой. 1 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В полупроводниковом полевом регуляторе тока, содержащем анод с n+-типом проводимости, катод также с n+-типом проводимости, проводящую область с n-типом проводимости между анодом и катодом, а также управляющий электрод, причем все электроды расположены в горизонтальной плоскости, при этом катод размещен между анодом и управляющим электродом ближе к управляющему электроду, между управляющим электродом и n-областью сформирован обедненный слой, управление величиной тока осуществляется путем изменения площади и, следовательно, сопротивления контакта между катодом и n-областью на участке между катодом и управляющим электродом. Прибор может содержать одну или более единичных структур. Изобретение позволяет упростить конструкцию и технологию изготовления прибора, повысить быстродействие и увеличить ток и выходную мощность. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к электровакуумным приборам клистронного типа, содержащим один двухзазорный резонатор, и предназначено для генерации большой мощности СВЧ. Первый зазор резонатора имеет протяженное пространство взаимодействия (ППВ) электронов с СВЧ полем, длина которого выбирается из условий получения отрицательной активной электронной проводимости и оптимального группирования электронов. В приборе используется ППВ с неравномерным электрическим полем и большие амплитуды СВЧ напряжений в пределах (2,6-2,8)U0. Технический результат - увеличение КПД на 20-25% по сравнению с двух- и однорезонаторными с двумя зазорами клистронными генераторами. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области магнитоэлектроники, а именно к преобразователям магнитного поля в электрический сигнал, и может быть использовано в различных электронных устройствах, предназначенных для усиления и генерации электрических сигналов, кроме того, может использоваться для защиты входных цепей радиоэлектронной аппаратуры от мощных электромагнитных излучений, а также в контрольно-измерительной технике как датчик магнитной индукции. Управление величиной тока в предлагаемом металлополупроводниковом приборе осуществляется с помощью внешнего поперечного переменного или постоянного магнитного поля. Прибор содержит тонкую металлическую ленту, по которой проходит постоянный ток. На верхней и нижней поверхностях ленты размещены p- и n-области, причем между лентой и p-областями сформированы омические контакты, а n-области являются коллекторами, на которые подается обратное напряжение. При воздействии поперечного магнитного поля образуются управляемые токи коллекторов, зависящие от направления и величины магнитного поля. Предлагаемый металлополупроводниковый прибор позволит увеличить выходную мощность усилителя, а при использовании прибора в качестве датчика магнитного поля - магнитную чувствительность по напряжению. 1 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В диоде с отрицательным дифференциальным сопротивлением согласно изобретению объединены два комплементарных полевых транзистора в единую вертикальную структуру с параллельно расположенными каналами, между которыми образуется электрический переход, при этом исток р-канала расположен напротив стока n-канала, а сток р-канала - напротив истока n-канала. Истоки каналов соединены между собой с помощью проводника и дополнительной области с n+-типом проводимости, на которой расположен исток n-канала, а стоки каналов имеют отдельные выводы. Изобретение позволяет уменьшить размеры, повысить быстродействие и увеличить ток и выходную мощность диода. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. Управление величиной тока в приборе с вертикальной структурой, содержащем проводящую область с n-типом проводимости (n-область), анод, который расположен на нижней стороне n-области, управляющий электрод, сформированный на верхней стороне n-области и образующий с ней барьер Шотки, и катод, расположенный на боковой поверхности n-области между анодом и управляющим электродом, осуществляется путем изменения площади и, следовательно, сопротивления омического контакта между катодом и n-областью. Прибор может содержать более одной единичной структуры, при этом соседние единичные структуры объединены в новую структуру с двумя катодами, единой n-областью с анодом и управляющим электродом. Изобретение позволяет повысить быстродействие и увеличить ток и выходную мощность прибора. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В предлагаемом приборе объединены три полевых транзистора в единую вертикальную структуру с каналами n- и p-типами проводимости, между которыми образуется электрический переход, при этом исток p-канала расположен напротив стока n-канала, а сток p-канала - напротив истока n-канала. Истоки каналов соединены между собой с помощью проводника и дополнительной области с n+-типом проводимости, на которой сформирован исток n-канала, а стоки каналов имеют отдельные выводы. В приборе может быть один затвор (трехэлектродный прибор - вариант 1) или два затвора (четырехэлектродный прибор - вариант 2), расположенных на другой (второй) боковой стороне каналов. Ток в каналах проходит в одном направлении и создает на переходе обратное напряжение, которое запирает каналы. Прибор может содержать более одной единичной структуры, при этом затворы являются общими для соседних структур. Изобретение позволяет уменьшить размеры, повысить быстродействие и увеличить ток и выходную мощность прибора. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В КМОП-транзисторе объединены два комплементарных транзистора в компактную структуру с вертикальными каналами с p- и n-типами проводимости, которые расположены параллельно друг другу и имеют общий затвор. Затвор изолирован от каналов диэлектриком и сформирован на непроводящей области, расположенной между транзисторами. Стоки каналов МОП-транзисторов соединены между собой с помощью омических контактов на нижней стороне структуры, а истоки транзисторов имеют отдельные выводы на верхней стороне. Изобретение позволяет упростить конструкцию, уменьшить размеры и повысить быстродействие КМОП-транзистора. 1 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники

Изобретение относится к электронной технике, а именно к вакуумным СВЧ генераторам на основе СВЧ приборов пролетного типа с большими углами пролета, например к монотронам

 


Наверх