Патенты автора Усикова Анна Александровна (RU)
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного ИК излучения при комнатной температуре. Способ изготовления диодов для средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание полупроводниковых слоев, по крайней мере один из которых поглощает/излучает кванты с энергией 0.2-0.6 эВ, проведение фотолитографии и напыление на полупроводниковые слои n- и р-типа последовательности металлических контактных слоев заданной геометрии, по крайней мере один из которых содержит благородный металл и примеси и по крайней мере один из которых содержит никель и примеси, вжигание контактных слоев при температуре 310-400о С. При этом упомянутое напыление на слой р-типа проводимости начинают с напыления сплава, содержащего серебро (80-97) масс.% и марганец (3-20) масс.%, затем последовательно проводят напыление слоя, содержащего никель и примеси, и слоя золота с примесями. 7 з.п. ф-лы, 5 ил., 3 табл.
Изобретение относится к оптоэлектронной технике. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание на подложке из арсенида индия твердого раствора InAs1-x-ySbxPy и разделенные р-n-переходом слои p- и n-типа проводимости, нанесение на поверхность гетероструктуры фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявление, удаление по крайней мере части фоточувствительного материала, подложки и эпитаксиальной структуры при формировании мез(ы), подготовку поверхности для формирования омических контактов, напыление на поверхность слоев и/или подложки металлических композиций заданной геометрии, при этом согласно изобретению способ включает финальную стадию процесса удаления подложки или ее части при химическом травлении в водном растворе соляной кислоты. Изобретение обеспечивает увеличение эффективности работы диода средневолнового ИК диапазона спектра за счет улучшения условий для вывода/ввода излучения из полупроводникового кристалла. 9 ил., 4 пр.
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра согласно изобретению включает изготовление многослойной эпитаксиальной гетероструктуры, содержащей подложку из полупроводникового материала A3B5 и разделенные p-n переходом p- и n-области, по крайней мере, одна из которых выполнена из полупроводникового материала с суммарным содержанием атомов индия и мышьяка не менее 40% и является оптически активной в рабочем диапазоне длин волн, подготовку поверхности для формирования омических контактов, нанесение на поверхность фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявление, удаление, по крайней мере, части фоточувствительного материала, эпитаксиальной структуры и подложки, напыление в вакууме металлической композиции заданной геометрии, содержащей атомы Cr, Au, Ni и примеси, формирование, по крайней мере, одной меза-структуры, при этом процесс напыления металлической композиции начинают с напыления слоя Cr. Изобретение обеспечивает увеличение эффективности работы диода за счет улучшения качества омических контактов. 19 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 табл., 10 пр.
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К ПРИБОРУ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ // 2575977
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ формирования многослойного омического контакта включает предварительное формирование фотолитографией маски из фоторезиста на поверхности арсенида галлия электронной проводимости, очистку свободной от маски поверхности арсенида галлия, последовательное напыление слоя из эвтектического сплава золота с германием толщиной 10-100 нм, напыление с помощью магнетронного разряда постоянного тока слоя из сплава никеля с ванадием с содержанием ванадия 5-50 мас. % толщиной 5-100 нм и нанесение проводящего слоя, последующее удаление фоторезиста и отжиг контактной структуры. Способ более прост в осуществлении и обеспечивает точное воспроизведение заданных параметров контактных структур приборов на большой площади. 12 з.п. ф-лы.
Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов относится к солнечной энергетике. Способ включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное выращивание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя, создание сплошных омических контактов на тыльной и фронтальной поверхностях фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры. Формирование контактной сетки на фотоэлементах осуществляют локальным травлением химическим и ионно-лучевым методами омического контакта и контактного слоя для открытия части нижележащего пассивирующего слоя и создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя. Далее проводят разделение многослойной структуры на чипы и пассивируют боковую поверхность чипов диэлектриком. Способ позволяет уменьшить затенение фоточувствительной поверхности фотоэлементов и одновременно упростить технологию. 1 з.п. ф-лы, 7 пр., 5 ил.
Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей
Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряда структур концентраторных ФЭП, способных эффективно преобразовывать падающее излучение мощностью 100-200 Вт/см2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ (ВАРИАНТЫ) // 2391741
Изобретение относится к микроэлектронике
