Патенты автора Вихров Сергей Павлович (RU)
Изобретение относится к областям микро- и наноэлектроники, физики поверхности и может быть использовано для получения структур с различной информационной емкостью путем воздействия лазерного излучения. Сущность способа заключается в том, что выбирают твердотельный материал; получают разные рельефы материла путем воздействия на него лазерным излучением разной интенсивности и разной длительности импульсов; получают данные о рельефе поверхности образцов в области, подвергшейся воздействию лазерного излучения; рассчитывают информационную емкость для каждого образца; градуируют полученные данные (величина информационной емкости - тип рельефа поверхности материала); воздействуют лазерным излучением выбранной интенсивности и длительности импульсов в локальную область структуры материала, представляющую собой запоминающую ячейку, для получения заданного рельефа поверхности. Способ позволяет получать различную информационную емкость в одной и той же области материала. 2 ил.
Изобретение относится к областям микро- и наноэлектроники, физики поверхности и может быть использовано для исследования информационных характеристик поверхности наноструктурированных и самоорганизующихся твердотельных материалов. Сущность способа заключается в том, что получают изображения исследуемой поверхности с высоким разрешением средствами атомно-силовой микроскопии, вычисляют с помощью метода средней взаимной информации характеристики поверхности, классифицируют исследуемую поверхность по величине энтропии и степени упорядоченности. 1 ил.
Изобретение относится к области диагностики полупроводниковых структур нанометрового размера и может быть использовано для обнаружения и классификации квантовых точек. Сущность изобретения: в способе обнаружения квантовых точек, расположенных на диагностируемом образце, образец пошагово сканируют по координатам XY с помощью электропроводящей нанометрового размера иглы с пикосекундным разрешением и производят анализ электродинамических характеристик. Анализ осуществляется следующим образом: электрически воздействуют стимулирующим прямоугольным импульсом на полупроводниковую квантовую точку, принимают аналоговый сигнал отклика, преобразуют его в дискретный сигнал, выделяют информационную часть отклика, идентифицируют ее на принадлежность заданному классу разброса динамических характеристик, осуществляют запоминание координат XY в память и выполняют отображение топологий обнаруженных квантовых точек с параметрами, входящими в заданные допусковые зоны. Изобретение обеспечивает повышение достоверности обнаружения квантовых точек. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для формирования омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах, на основе нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния или других неупорядоченных полупроводников
