Патенты автора Боргардт Николай Иванович (RU)
Фотоприемник // 2775590
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается фотоприемника. Фотоприемник включает фоточувствительный элемент и связанный с ним воедино МДП транзистор. В качестве фоточувствительного элемента используется зеркально полированная металлическая пластина с высоким коэффициентом отражения, имеющая узкий выступ внизу, контактная площадь которого с затвором МДП транзистора во много раз меньше площади пластины. На затвор транзистора подается напряжение смещения, держащее транзистор в приоткрытом состоянии. Технический результат заключается в увеличении защищенности фотоприемника от мощного лазерного излучения. 1 ил.
БОЛОМЕТР ПОВЫШЕННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ // 2753158
Изобретение относится к датчикам лучистой энергии и устройствам получения изображений в широком спектральном диапазоне, в частности к болометрам. Техническим результатом является повышение чувствительности болометра. Технический результат достигается тем, что в качестве чувствительного элемента используется двухслойная пластина-кантилевер из материалов с разными коэффициентами теплового расширения, покрытая поглощающим излучение слоем, при этом для установки ее в исходное опорное положение служит дополнительный внешний электрод, опоясывающий кантилевер, изготовленный в виде меандра. 2 ил.
СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ // 2651639
Изобретение относится к микроэлектронике, способам контроля и анализа структуры интегральных схем, к процессам жидкостного травления. Сущность изобретения: выравнивание локальной неравномерности толщины слоя двуокиси кремния на поверхности кристалла ИС, образовавшейся в процессе последовательного удаления топологических слоев, производится с помощью локального жидкостного травления, которое осуществляется «закрашиванием» области с более толстым слоем двуокиси кремния заостренным пористым стержнем, насыщенным травителем. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к нанотехнологии, может быть использовано в химической промышленности для создания эффективных катализаторов. Заключается в том, что на подложку наносят вспомогательный слой, в котором формируют ряды канавок нанометровой глубины с вертикальными стенками, наносят слой каталитического материала нанометровой толщины, поверх которого формируют маску из фоторезиста с рисунком узких полосок, расположенных поперек канавок, анизотропным травлением удаляют слой каталитического материала до вспомогательного слоя, оставляя его на боковых стенках канавок и под маской, маску удаляют. Подложки с нанопроволоками упорядоченно располагают в реакторе. Технический результат заключается в повышении выхода конечного продукта, уменьшении расхода дорогого каталитического материала и снижении газодинамического сопротивления реактора. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структуры интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления. Сущность изобретения: слой TiN удаляется селективно к SiO2, вольфраму и поликремнию при реактивном ионном травлении его в плазме O2 с присутствующей в зоне разряда пластинкой фторопласта площадью 2-20% рабочей поверхности высокочастотного (ВЧ) электрода, травление проводят при плотности ВЧ мощности 1-3 Вт/см2, а рабочую поверхность ВЧ электрода покрывают кремнием, графитом или другим фторопоглощающим материалом. 1 табл.
Изобретение относится к области электронной микроскопии, а точнее к устройствам, обеспечивающим калибровку предметных столиков растровых электронных микроскопов в широком диапазоне перемещений
СПОСОБ РЕАКТИВНОГО ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЯ НИТРИДА ТИТАНА СЕЛЕКТИВНО К АЛЮМИНИЮ И ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ // 2392689
Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структур интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления
