Патенты автора Тарала Виталий Алексеевич (RU)
Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, солегированных редкоземельными элементами, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров различной геометрии. Способ уменьшения размеров частиц и степени агломерации на стадии синтеза исходных прекурсоров при получении алюмоиттриевого граната включает приготовление исходного раствора из хлоридов иттрия, алюминия, иттербия и эрбия заданного состава исходя из формулы YAG:Yb (15 ат. %)/Er (3 ат. %) путем растворения хлоридов в воде при нагревании с последующим введением в водный раствор аммиака, декантацию в деионизированной воде, фильтрование, последующую сушку и измельчение, причем растворы исходных хлоридов содержат персульфат аммония с концентрацией от 0 до 1,0 моль/л, предпочтительная концентрация персульфата аммония от 0,02 до 0,15 моль/л. На основе полученных прекурсоров получают оптическую керамику со светопропусканием от 72 до 82%. 6 ил., 3 табл., 5 пр.
Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, содержащих редкоземельные элементы, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров различной геометрии. Исходный раствор хлоридов требуемых катионов (иттрия, алюминия и редкоземельных металлов) получают путем растворения оксидов иттрия и РЗЭ в концентрированной соляной кислоте, раствор упаривают и распыляют в водный раствор аммиака 25%-ной концентрации, содержащий раствор пероксида водорода в объёмном соотношении раствор аммиака : раствор пероксида водорода от 2:1 до 3:1, а также кристаллический карбамид из расчёта 90-1-100 г на 1 л 25%-ного водного раствора аммиака. Полученный осадок декантируют в деионизированной воде до рН=7. Влажный осадок высушивают в вакуумном сушильном шкафу при температуре 60-80°С. В результате прокаливания при 1750°С такого прекурсора получают 100%-ный целевой продукт (кубический иттрий-алюминиевый гранат), не содержащий посторонних фаз. 3 пр., 1 табл., 6 ил.
Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, содержащих редкоземельные элементы, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров различной геометрии. Способ получения мало агломерированного наноразмерного прекурсора для синтеза твердых растворов иттрий-алюминиевого граната с оксидами редкоземельных элементов (РЗЭ) включает подготовку маточного раствора катионов солей заданного состава, исходя из формулы (Y1-xPЗЭx)3Al5O12, где х - доля катиона редкоземельного элемента или сумма долей катионов РЗЭ, вводимых в состав иттрий-алюминиевого граната и замещающих катионы иттрия, путем растворения хлоридов или сульфатов иттрия, алюминия и редкоземельных металлов в воде при нагревании с последующим упариванием до уменьшения исходного объема в 2 раза, при температуре раствора 125°C; распыление полученных маточных растворов в смесь водного раствора аммиака 25% концентрации и пероксида водорода 30-40% концентрации в соотношении объемов раствор аммиака:раствор пероксида водорода (6-2):1 с последующим охлаждением до 0°C полученного осадка, который декантируют в деионизованной воде до рН=7 и далее 2-3 порциями пероксида водорода 30-40% концентрации, причем последнюю стадию декантации и отмывку проводят пероксидом водорода той же концентрации с последующим высушиванием в вакуумном сушильном шкафу при температуре 60-80°C. Способ получения мало агломерированных наноразмерных порошков прекурсора является простым, в результате его использования уменьшается время получения конечного продукта, повышается гомогенность и дисперсность полученного продукта. 7 ил., 1 табл., 5 пр.
Изобретение предназначено для производства гетероэпитаксиальных структур для изготовления светодиодов, фотоприемников, полупроводниковых лазеров, транзисторов и диодов. В основе изобретения лежит метод низкотемпературной плазмоактивированной гетероэпитаксии. В этом способе синтез пленки III-нитрида осуществляется путем циклического процесса, в котором каждый цикл состоит из четырех стадий:- импульсной подачи в реактор ограниченного объема металлорганического соединения (МОС) с целью формирования на поверхности подложки слоя химически адсорбированных радикалов МОС, с плотностью менее 95% от плотности, достигаемой в режиме самоограниченного роста, - продувки реактора инертным газом с целью удаления продуктов химических реакций с участием МОС,- обработки подложки в плазме газовой смеси азота и водорода с целью насыщения поверхности азотом, который, взаимодействуя с радикалами МОС, формирует зародыши слоя нитрида алюминия,- стадии вентиляции реактора после стадии плазменной активации.Техническим результатом, получаемым при реализации заявленного изобретения, является повышение кристалличности гетероэпитаксиальных пленок III-нитрида, выращенных при температурах менее 500°C на монокристаллической пластине сапфира, карбида кремния или на гетероструктуре с верхним слоем III-нитрида. 3 ил.
Изобретение относится к сфере производства гетероэпитаксиальных структур, которые могут быть использованы в технологии изготовления элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Гетероэпитаксиальную полупроводниковую пленку на монокристаллической подложке кремния выращивают методом химического осаждения из газовой фазы. Проводят синтез гетероструктуры SiC/Si на монокристаллической подложке кремния в горизонтальном реакторе с горячими стенками путем формирования переходного слоя между подложкой и пленкой карбида кремния со скоростью не более 100 нм/ч при нагреве упомянутой подложки до температуры от 700 до 1050°C с использованием газовой смеси, содержащей 95-99% водорода и в качестве источников кремния и углерода SiH4, C2H6, С3Н8, (CH3)3SiCl, (CH3)2SiCl2, при этом C/Si≥2, и формирования монокристаллической пленки карбида кремния с помощью подачи в реактор парогазовой смеси водорода и CH3SiCl3 при поддержании в реакторе абсолютного давления в диапазоне от 50 до 100 мм рт.ст. В качестве подложки кремния используют пластину, имеющую угол наклона относительно кристаллографического направления (111) в направлении (110) от 1 до 30 угловых градусов и в направлении (101) от 1 до 30 угловых градусов. Обеспечивается улучшение совместимости двух материалов слоя карбида кремния и подложки кремния с различным периодом кристаллических решеток, при этом понижаются механические напряжения в гетероструктуре и получаются более низкие плотности дефектов в слое карбида кремния. 6 н.п. ф-лы, 4 ил., 3 пр.
Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур
