Патенты автора Воронин Владимир Владимирович (RU)
Изобретение относится к области исследования или анализа материалов с помощью прецизионной нейтронной спектрометрии, основанной на использовании метода спин-эхо малоуглового рассеяния. Способ измерения изменения малых энергии нейтронов основан на использовании спин-эхо спектроскопии и заключается в том, что пучок поляризованных нейтронов направляют на первую - входную область прецессии спина нейтрона, обеспечивающую пространственное расщепление потока нейтронов на два состояния с разными проекциями спина на магнитное поле, и после прохождения рабочей области, в которой происходит воздействие на нейтронный пучок, обеспечивают обратное сведение пучка во второй - выходной области прецессии спина нейтрона в магнитном поле, имеющем одинаковое по величине, но противоположное по направлению магнитное поле первой области прецессии, а измерение изменений энергии нейтронов определяют по появлению ненулевого спин-эхо сигнала, при этом во входной и выходной областях прецессии спина нейтрона с магнитным полем включены совершенные монокристаллы в положении геометрии дифракции по Лауэ, увеличивающие пространственное расщепление нейтронного пучка за счет явления дифракции и тем самым величину спин-эхо сигнала, причем совершенные монокристаллы расположены таким образом, что их кристаллографические плоскости параллельны друг другу. Технический результат – повышение чувствительности способа к измерению малых изменений энергии нейтрона. 2 ил.
Использование: для определения концентрации примесей в монокристалле. Сущность изобретения заключается в том, что в нейтронном спектрометре обратного рассеяния изменяют температуру эталонного кристалла до момента, когда межплоскостное расстояние эталонного кристалла совпадет с межплоскостным расстоянием исследуемого кристалла, и вычисляют относительное изменение межплоскостного расстояния исследуемого кристалла в данной точке. Измерение величины межплоскостного расстояния исследуемого кристалла относительно эталонного проводят в нескольких «m» точках, по всем измеренным точкам исследуемого кристалла, вычисляют среднее значение межплоскостного расстояния исследуемого кристалла, определяют изменение пространственного распределения концентрации примесей для каждой точки исследуемого кристалла относительно полученного среднего значения. Технический результат: обеспечение возможности получения многомерной картины распределения примесей. 2 ил.
