Патенты автора Шапошников Владимир Владимирович (RU)
Изобретение относится к методам регистрации малых масс, основанным на использовании пьезорезонансных масс-чувствительных датчиков - кварцевых микровесов (КМВ). Для определения чувствительности КМВ осаждают вещество от эталонного источника на рабочую поверхность кварцевого резонатора и на вспомогательную поверхность кварцевой пластины. При этом осаждение вещества на эти поверхности периодически чередуют между собой не менее 20 раз путем механического ввода и вывода кварцевой пластины из промежутка между рабочей поверхностью и эталонным источником. Время осаждения вещества на вспомогательную поверхность не менее чем в 40 раз, больше времени осаждения вещества на рабочую поверхность массы вещества, осажденного на вспомогательную поверхность, а массу вещества, осажденного на рабочую поверхность, вычисляют пропорционально суммарному времени, в течение которого на нее производилось осаждение вещества. Коэффициент массовой чувствительности вычисляют в виде приращения осаждаемой массы на единицу изменения резонансной частоты кварцевого резонатора и площади его рабочей поверхности. Технический результат заключается в расширении диапазона применимости способа, а также его упрощении. 1 ил.
ДАТЧИК ВТОРИЧНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ // 2552596
Использование: для исследования состояния поверхности материалов методами вторичной электронной эмиссии. Сущность изобретения заключается в том, что датчик вторичной электронной эмиссии включает электростатический селектор электронов по энергиям, регистратор электронов, установленный на выходе из селектора и содержащий последовательно расположенные сцинтиллятор в виде слоя люминофора с управляющей металлической сеткой и фотоэлектронный умножитель с входным светопроникающим окном, при этом слой люминофора нанесен на поверхность входного светопроникающего окна фотоэлектронного умножителя, а управляющая сетка размещена внутри этого слоя, при этом толщина сетки не превышает толщины слоя люминофора, а ее геометрическая прозрачность составляет 0,6…0,9. Технический результат: повышение чувствительности датчика, а также обеспечение возможности регистрировать разделение электронов по группам энергий. 3 ил.
Изобретение относится к области испытания материалов в условиях вакуума применительно к определению скорости обезгаживания испытуемых материалов
