Патенты автора Гусев Сергей Александрович (RU)
Изобретение относится к электротехнике. Технический результат состоит в повышении величины концентрированного магнитного поля в рабочей зоне индуктора и повышении производительности и сроков службы индуктора. Индуктор для многополюсного аксиального намагничивания кольцевых постоянных магнитов состоит из пакета с четным числом токопроводящих пластин с высокой электропроводностью, закрепленных между двумя диэлектрическими блоками с помощью болтового соединения через диэлектрические прокладки с зазором для размещения держателя с намагничиваемым магнитом. Пластины в пакете соединены электрически последовательно между собой с помощью электропроводящего контактного кольца и имеют выводы на крайних пластинах для подключения к импульсному источнику питания. Каждая из пластин образует замкнутый контур, состоящий из зигзагообразных и радиальных токопроводящих участков, повторяющих соответственно форму полюсов и границ между полюсами намагничиваемого магнита. Наружные части зигзагообразных токопроводящих участков пластин имеют развитую поверхность по внешнему периметру и разделены между собой воздушными зазорами. Радиальные токопроводящие участки расположены в плоскости в осевом направлении. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.
ФАЗОКОНТРАСТНОЕ УСТРОЙСТВО ПОЛУЧЕНИЯ ИНВЕРТИРОВАННОГО ПО ЯРКОСТИ ИЗОБРАЖЕНИЯ НЕПРОЗРАЧНЫХ ОБЪЕКТОВ // 2569040
Изобретение относится к фазоконтрастному устройство для осуществления инверсии по яркости изображения непрозрачных объектов - получение позитива из негатива и наоборот. Фазоконтрастное устройство содержит одномодовый лазер, по крайней мере, один объектив и фильтр Цернике, выполненный в виде фототермической ячейки Цернике на тепловой нелинейности. Получаемое выходное изображение зависит от интенсивности падающего света. Технический результат заключается в уменьшении габаритов, уменьшении энергии освещённости объекта. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для формирования постоянных запоминающих устройств, а также в качестве датчиков магнитного поля. Технический результат изобретения - создание магниторезистивного элемента памяти, состоящего из двух ферромагнитных пленок, разделенных туннельно-прозрачным диэлектрическим барьером с возможностью интеграции в БИС планарной технологии КМОП/КНД, исследование возможности изменения электросопротивления элемента «MTJ» с достаточным уровнем изменения магниторезистивного сопротивления для промышленной реализации путем перемагничивания одного из ферромагнитных слоев внешним магнитным полем. В способе формирования магниторезистивного элемента памяти на основе туннельного перехода, включающем нанесение на подложку магниторезистивной структуры, включающей свободный и связанный магнитные слои, разделенные диэлектрической туннельной прослойкой, с последующим формированием структуры элемента памяти, перед нанесением магниторезистивной структуры на поверхность подложки для формирования нижнего немагнитного проводящего электрода методом магнетронного распыления наносят многослойную структуру Au/Та,
а элемент памяти получают путем формирования структуры Au/Та/Со/ТаОх/Со/Au
методом планарной технологии. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 33 ил.
Изобретение относится к области получения композиционных материалов, а именно к стеклопластиковому сотовому заполнителю, и способу получения
УНИВЕРСАЛЬНАЯ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННАЯ СЕТЬ // 2395167
Изобретение относится к технике связи и может использоваться при создании городской универсальной телекоммуникационной сети
