Патенты автора Рожков Александр Владимирович (RU)

Импульсный инжекционный лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую асимметричный многомодовый волновод, ограничительные слои (3), (8) которого одновременно являются эмиттерами n- и р-типа проводимости с одинаковыми показателями преломления, активную область (6), состоящую, по меньшей мере, из одного квантово-размерного активного слоя, оптические грани (11), (13), омические контакты (2), (10) и оптический резонатор, образованный оптическими гранями (11), (13). Волноводная область со стороны эмиттера (3) n-типа проводимости состоит из двух слоев (4), (5) полупроводникового материала, имеющих одинаковый показатель преломления. Первый слой (5), примыкающий к активной области (6), имеет уровень легирования N1 см-3, и толщину d1, мкм, удовлетворяющие определенным соотношениям. Второй слой (4), примыкающий к эмиттеру (3) n-типа проводимости, имеет уровень легирования не более фонового уровня легирования и толщину d2 = (dобщ-d1). Технический результат заключается в обеспечении возможности увеличения максимальной пиковой мощности при одновременном снижении ширины спектра излучения. 3 ил.

Использование: для получения управляемой последовательности мощных лазерных импульсов. Сущность изобретения заключается в том, что лазер-тиристор содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа проводимости (2), широкозонный слой n-типа проводимости (3), анодную область (4), включающую контактный слой p-типа проводимости (5), широкозонный слой p-типа проводимости (6), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим дырки в активную область (13), первую базовую область (7), слой p-типа проводимости (8), вторую базовую область (9), слой n-типа проводимости (10), волноводную область (12), оптический Фабри-Перо резонатор, образованный естественно сколотой гранью (14) с нанесенным просветляющим покрытием и естественно сколотой гранью (15), первый омический контакт (16), второй омический контакт (18), мезаканавку (19), третий омический контакт (20), при этом параметры материалов слоев первой и второй базовых областей удовлетворяют определенным выражениям. Технический результат: обеспечение возможности увеличения пиковой выходной оптической мощности и снижение амплитуды сигнала управления. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области медицины, а именно к лабораторной диагностике, и может быть использовано для прогнозирования развития ишемической болезни сердца на доклинической стадии у женщин при синдроме поликистозных яичников (СПКЯ)

Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров

Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств

 


Наверх