Патенты автора Шмидт Наталия Михайловна (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN, излучающих в видимом диапазоне длин волн. Способ отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN включает проведение измерений при комнатной температуре в любой последовательности падений напряжения в прямом и обратном направлениях и плотностей тока на светодиодах, отбраковку по определенным критериям, последующее проведение старения светодиодов при определенных условиях, повторное проведение упомянутых измерений при первоначальных условиях, кроме одного, с окончательной отбраковкой ненадежных светодиодов. Изобретение обеспечивает повышение точности отбраковки и расширение области применения светодиодов за счет обеспечения отбраковки ненадежных светодиодов со сроком службы меньше 50000 часов любых производителей без долговременных испытаний.
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Способ включает измерение значения спектральной плотности низкочастотного шума каждого светодиода при подаче напряжения в прямом направлении и плотности тока из диапазона 0.1<J<10 А/см2 до и после проведения процесса старения светодиода, осуществляемого в течение времени не менее 50 часов. Старение проводят при температуре p-n-перехода из интервала TJ=50-150°С, температуре окружающей среды из интервала Tb=25-120°С, плотности тока J через светодиод при подаче напряжения в прямом направлении из интервала J=35-100 А/см2. Светодиоды со сроком службы менее 50000 часов выявляют по превышению уровня их спектральной плотности низкочастотного шума после процесса старения более чем на порядок по сравнению с значениями до процесса старения. Изобретение обеспечивает возможность расширения области применения за счет отбраковки светодиодов со сроком службы менее 50000 часов для светодиодов любых производителей, а также ускорения (оперативности) процесса отбраковки. 5 пр.

 


Наверх