Патенты автора Павлов Дмитрий Алексеевич (RU)
СПОСОБ ДЕЗИНФЕКЦИИ ЗАКРЫТЫХ ПОМЕЩЕНИЙ // 2763599
Изобретение относится к области дезинфекции. Способ состоит в дезинфекции закрытого помещения, включающего унитаз и бачок, источник ионизирующих излучений. Ионизацию воды в бачке осуществляют путем подачи в него водопроводной воды и перемешивания ее с радиоактивным газом радоном, поступающим в бачок из недр земли по трубам. Трубы соединены с ловушкой для радиоактивного газа радона, расположенной под полом закрытого помещения. Обеспечивается повышение безопасности дезинфекции помещений туалетов. 1 ил.
Изобретение относится к области дезинфекции санитарно-технического устройства. Способ состоит в производстве плитки из сильвинита, креплении сильвинитовой плитки к внутренней поверхности крышки унитаза. Плитку, не превышающую по размерам отверстие в сиденье унитаза, при поднятых крышке и сиденье, вставляют в отверстие сиденья, намечают место для крепления плитки на внутренней поверхности крышки. Далее опускают сиденье и прикрепляют плитку своей верхней кромкой к внутренней поверхности крышки с помощью гибких подвесов, которая под действием силы тяжести принимает положение, параллельное открытой крышке унитаза. Затем закрывают унитаз, опуская его крышку, при этом пропускают не закрепленную сторону сильвинитовой плитки внутрь унитаза сквозь отверстие в его сиденье, где ее затем удерживают в середине чаши унитаза центрирующей растяжкой, которую устанавливают между сильвинитовой плиткой и крышкой унитаза. Обеспечивается повышение дезинфекции воздуха путем увеличения интенсивности и плотности потока бета-частиц внутри унитаза. 2 ил.
Изобретение относится к средствам и способам для обеспечения безопасности производства, в частности к контролю пожаровзрывобезопасности на сельскохозяйственных предприятиях по переработке зерна. Сущность изобретения заключается в том, что способ автоматизированного контроля пожаровзрывобезопасности на сельскохозяйственном предприятии по переработке зерна дополнительно содержит этапы, в том числе на которых в центральный компьютер на первом уровне и специализированные персональные компьютеры на последующих уровнях управления вводят аналогичные модули информационных блоков, которые формируют из блоков базы данных нормативно-правовых документов, регламентирующих правила соблюдения охраны труда, пожарной безопасности, электробезопасности, экологической безопасности и защиту от чрезвычайных ситуаций при переработке зерна. Технический результат - обеспечение возможности автоматизированного контроля и своевременной пожаровзрывобезопасности на сельскохозяйственных предприятиях по переработке зерна. 1 ил.
Изобретение относится к технологическому оборудованию для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых структур и может быть использовано в качестве узла фиксации подложки, нагреваемой с помощью пластинчатого или утолщенного ленточного резистивного нагревателя в вакуумных установках, предпочтительно с фиксацией подложки с нижним расположением ее рабочей поверхности и формированием потоков паров полупроводникового материала, например германия, в направлении снизу вверх от сублимационных источников указанных паров или потоков паров полупроводникового материала, например германия или/и кремния, в направлении снизу вверх от тигельных молекулярных источников на основе электронно-лучевых испарителей. Технический результат от использования предлагаемого изобретения - повышение технологичности изготовления узла фиксации подложки, нагреваемой с помощью резистивного нагревателя для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии в широком диапазоне форм (прямоугольной, круглой и др.) и размеров используемой подложки за счет оснащения выполненного в виде несущей электропроводящей пластины или утолщенной ленты резистивного нагревателя конструктивно простыми фиксирующими керамическими пластинами и их жесткими или плоско-пружинными зажимами, обеспечивающими совмещение функций держателя и нагревателя подложки. Для достижения указанного технического результата в узле фиксации нагреваемой подложки по первому варианту, содержащем установленные в вакуумной камере держатель подложки, выполненный с возможностью фиксации подложки, сориентированной поверхностью роста к молекулярному источнику, и резистивный нагреватель, расположенный со стороны нерабочей поверхности подложки, для выполнения резистивным нагревателем функции держателя подложки указанный резистивный нагреватель выполнен в виде несущей электропроводящей пластины или утолщенной ленты, снабженной по первому варианту жаростойкими жесткими зажимами и по второму варианту жаростойкими плоско-пружинными зажимами, обеспечивающими в обоих вариантах неподвижную фиксацию керамических пластин вдоль указанной пластины или утолщенной ленты с возможностью эксплуатационной фиксации подложки с ее расположением вдоль указанной пластины или утолщенной ленты с помощью этих фиксирующих керамических пластин, расположенных с двух противоположных сторон подложки, за счет прижима нависающих фиксирующих скосов торцов керамических пластин к выступающим краям противоположных торцов подложки. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Технический результат от использования предлагаемого способа формирования гексагональной фазы кремния - повышение эффективности формирования указанной фазы за счет повышения технологичности указанного формирования в результате его упрощения. Для достижения указанного технического результата в способе формирования фазы гексагонального кремния, включающем получение на поверхности пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния, пленки оксида кремния, имплантацию в нее ионов, имеющих атомный радиус, превышающий атомные радиусы элементов, входящих в состав этой пленки, и вызывающих в указанной пленке и прилегающем к ней подповерхностном слое пластины повышенные механические напряжения, достаточные для преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в его гексагональную фазу, и постимплантационный отжиг, в упомянутую пленку оксида кремния производят имплантацию ионов криптона, причем толщину получаемой пленки оксида кремния и энергию и дозу ионов криптона выбирают из интервалов величин толщины пленки оксида кремния от 50 до 150 нм, энергии ионов криптона от 40 до 80 кэВ и дозы ионов криптона от 1⋅1016 до 1⋅1017 см-2 при условии обеспечения при этом максимальной концентрации ионов криптона в пленке оксида кремния на глубине, составляющей 40-60% от толщины этой пленки. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Использование: для изготовления мемристоров с диэлектрической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что предложен способ изготовления мемристора путем формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония и обладающей резистивной памятью, работу которой стабилизируют в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, для совмещения введения наноконцентраторов электрического поля с процессом формирования упомянутой диэлектрической структуры и усиления в ней при резистивном переключении потока ионов кислорода на поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана, последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления, причем при осаждении на указанный электрод оксида тантала, сопровождаемом частичным замещением атомов азота на атомы кислорода, формируют на поверхности этого электрода промежуточный интерфейсный слой диоксида титана и в участках указанного интерфейсного слоя и осаждаемого слоя оксида тантала, прилежащих к поверхностной границе их раздела, образуемые при этом наноконцентраторы электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала. Технический результат: обеспечение возможности оптимального сочетания повышенной технологичности изготовления указанного мемристора и стабилизации работы резистивной памяти мемристора. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Использование: для изготовления светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования фазы гексагонального кремния путем имплантации в изготовленную из алмазоподобного монокристаллического кремния пластину ионов, имеющих атомный радиус, превышающий атомный радиус кремния, и образующих в результате указанной имплантации в алмазоподобном монокристаллическом кремнии пластины включения, инициирующие возникновение в нем повышенных механических напряжений, создающих энергетические условия преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в его гексагональную фазу, для повышения стабильности возникновения в алмазоподобном монокристаллическом кремнии упомянутой пластины зоны повышенных механических напряжений производят имплантацию ионов азота и галлия через предварительно полученный на поверхности исходной пластины тонкий слой нитрида кремния толщиной, с одной стороны, не препятствующей прохождению сквозь слой имплантируемых ионов галлия и азота, с другой стороны, достаточной при подобранной энергии имплантации для запирания под ним в прилегающем к указанному слою нитрида кремния подповерхностном слое алмазоподобного монокристаллического кремния указанной пластины имплантированных ионов азота и галлия с образованием ими при последующем отжиге пластины в указанном подповерхностном слое включений нитрида галлия, приводящем к стабильному формированию в этом слое гексагональной фазы кремния с повышенным заполнением этого слоя указанной фазой. Технический результат: обеспечение возможности повышения стабильности возникновения зоны повышенных механических напряжений. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к сублимационному выращиванию эпитаксиальных массивов самоорганизованных монокристаллических наноостровков кремния на сапфировых подложках и может быть использовано в качестве нанотехнологического процесса, характеризующегося повышенной стабильностью формирования однородных по размерам наноостровков кремния с пониженной степью дефектности их структуры. Изобретение обеспечивает стабильное снижение дефектности сублимационно формируемых однородных по размерам наноостровков кремния на сапфировой подложке. В способе формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме, включающем отжиг сапфировой подложки в вакуумной камере, последующий нагрев источника кремния пропусканием электрического тока через него и выращивание на нагретой сапфировой подложке массива монокристаллических наноостровков кремния путем самоорганизованного образования наноостровков на поверхности сапфировой подложки из осаждаемого атомарного кремния, отжиг сапфировой подложки ведут при 1200°С, а испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры T, выбираемой из интервала ее величин 550-700°С, со скоростью роста атомарных слоев кремния V, выбираемой в зависимости от расстояния между испаряемой поверхностью источника кремния и поверхностью роста сапфировой подложки и температурой нагрева сапфировой подложки. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
БИОЦИДНАЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ // 2581866
Изобретение относится к биоцидным композициям для получения покрытий, которые могут найти применение при создании покрытий с биоцидными свойствами, например, на полимерах, стеклах, металлах, бумаге, строительных материалах и т.д. Биоцидная композиция для получения покрытий состоит из растворителя, водорастворимого полиэлектролита (ПЭ) и соли, в качестве растворителя она содержит воду, в качестве ПЭ она содержит заряженный ПЭ, являющийся продуктом взаимодействия водосодержащих растворов катионного ПЭ и анионного ПЭ, взятых в соотношении, при котором содержание заряженных звеньев анионного ПЭ составляет от 3 до 30% от содержания заряженных звеньев катионного ПЭ, и в качестве соли она содержит по крайней мере одну водорастворимую соль, выбранную из группы, включающей соль щелочного металла или аммония, или смесь такой соли с солью кальция или магния. Изобретение позволяет в 3-5 раз повысить биоцидную активность композиции по сравнению с активностью известной композиции. 1 табл., 7 пр.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БИОЦИДНОЙ КОМПОЗИЦИИ // 2574759
Изобретение относится к способам получения биоцидных композиций, которые могут найти применение при создании покрытий с биоцидными свойствами, например, на полимерах, стеклах, металлах, бумаге, строительных материалах и т.д. В способе получения биоцидной композиции осуществляют смешение растворителя, водорастворимого полиэлектролита (ПЭ) и соли, в качестве растворителя используют воду, в качестве ПЭ используют смесь водного раствора катионного ПЭ и водного раствора анионного ПЭ, взятых в соотношении, при котором содержание заряженных звеньев анионного ПЭ составляет от 3 до 30% от содержания заряженных звеньев катионного ПЭ при общей исходной концентрации ПЭ от 0,1 до 20 мас.%, а в качестве соли используют по крайней мере одну водорастворимую соль, выбранную из группы, включающей соль щелочного металла или аммония, или смесь такой соли с солью кальция или магния при концентрации соли от 0,01 до 6,0 мас.%, причем соль или водный раствор соли смешивают с водным раствором по крайней мере одного из ПЭ. Технический результат - повышение биоцидной активности композиции. 1 табл., 7 пр.
БИОЦИДНАЯ КОМПОЗИЦИЯ "НАНОПАСТА" // 2398804
Изобретение относится к биоцидным композициям, а именно к получению композиций с биоцидными свойствами для покрытий
