Патенты автора Омороков Дмитрий Борисович (RU)
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и наноэлектроники, а именно к способу получения наноструктур с твердотельными лучами в виде нанозвезд. Проводят конденсацию золота на подложку методом термического испарения в вакуумной установке. Конденсацию золота на одну и ту же подложку осуществляют в два этапа: на первом этапе температура подложки находится в интервале от 10 до 40 °С, длительность конденсации составляет 10-30 с, обеспечивая конденсацию двух монослоев пленки золота. На втором этапе одновременно продолжают конденсацию золота на подложку, которую охлаждают жидким азотом, и проведение импульсной фотонной обработки (ИФО) поверхности подложки в ультрафиолетовом спектре. Импульсы ИФО имеют параболически возрастающую длительность. Промежутки между импульсами остаются постоянными, мощность ультрафиолетового излучения при ИФО ≤ 2 Вт/см2. Обеспечивается создание стабильных во времени наночастиц в виде золотых нанозвезд с контролируемым размером, со слабой адгезией с подложкой, без использования дорогостоящих катализаторов и затратных технологических операций. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области наноэлектроники, а именно к технологии формирования наноструктур на поверхности твердого тела, и может быть использовано для создания полевых транзисторов, фотоэлементов, светодиодов, лазерных диодов. Способ получения квантовых точек включает магнетронное распыление мишени на подложку при постоянном токе в реакционной вакуумной камере, при этом на термостойкую подложку, выдерживающую температуру до 500°С, распылением мишени, состоящей из углерода и алюминия при отношении их площадей, занимаемых в мишени, равном 8:1, наносят пленку толщиной от 1 до 7 мкм, после чего выдерживают подложку с пленкой в реакционной вакуумной камере не менее 5 мин, с образованием на поверхности пленки квантовых точек диаметром от 10 до 150 нм с внутренними полостями и стенками из графена с примесями оксида алюминия, причем в реакционной вакуумной камере во время и после нанесения пленки на подложку поддерживают постоянное суммарное парциальное давление смеси газов 0,4 Па (3×10-3 мм рт.ст.), состоящей из 5% кислорода и 95% аргона. Магнетронное распыление мишени осуществляют при температуре подложки 20°С, мощности магнетрона, выделяемой на мишени, от 3 до 5 Вт/см2, расстоянии между распыляемой мишенью и подложкой 4 см. Технический результат - формирование изолированных углеродных квантовых точек с малой адгезией с пленкой на термически стойкой подложке высокопродуктивной технологией. 1 з.п. ф-лы, 1 пр., 1 ил.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу модификации поверхности алюминиевой фольги для электролитического конденсатора, и может быть использовано в радиоэлектронной технике, где требуется миниатюризация аппаратуры. Увеличение удельной емкости и плотности запасаемой энергии электролитическим конденсатором является техническим результатом изобретения. Предложенный способ включает нанесение методом электронно-лучевого испарения в вакууме на металлическую фольгу покрытия, состоящего из смеси токопроводящего и диэлектрического материалов, при этом покрытие с открытой пористостью и фрактальными микро- и наноструктурами получают методом электронно-лучевого осаждения. Сначала проводят испарение углерода для его конденсации в кристаллической модификации графит, для чего проводят фотонную обработку поверхности, представляющую собой последовательность интервалов облучения с переменной длительностью, при этом значение мощности поступающего на подложку излучения составляет не менее 5 Вт/см2, длительность последующего интервала облучения равна корню квадратному из длительности предыдущего интервала, продолжительность между интервалами остается неизменной в течение всего времени конденсации углерода, после чего осаждают диэлектрик, в качестве которого используют алюминий, окисленный технологическим газом, который подают в зону конденсации. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.
Изобретение относится к способам нанесения покрытий из карбидов и тугоплавких металлов на подложку магнетронным распылением. Способ включает механическую очистку и обезжиривание поверхности, нанесение покрытия распылением мозаичной мишени в магнетронной распылительной системе. В среде инертного газа до начала магнетронного распыления проводят 5-10 циклов импульсной фотонной обработки (ИФО) поверхности в ультрафиолетовом спектре. Затем одновременно с ИФО проводят магнетронное распыление, причем мощность поступающего излучения выбирают с возможностью обеспечения образования точечных дефектов в приповерхностном слое подложки, но недостаточную для его нагрева выше 10% от температуры плавления конденсируемого материала, длительность импульсов ИФО составляет не более 2 секунд, а промежутки между импульсами не менее 0,5 с. Техническим результатом изобретения является получение покрытий, обладающих повышенной твердостью, износостойкостью при контактных нагрузках, высокими значениями ресурса работы при различных видах трения, химической инертностью в широком интервале температур. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.
Изобретение относится к технологии формирования упорядоченных структур на поверхности твердого тела и может быть использовано для получения нитевидных кристаллов из различных материалов, пригодных для термического испарения. На подложку, имеющую морфологию в виде упорядоченных пор и/или других упорядоченных неоднородностей нано- и/или микрометрового размера 2, осуществляют термическое осаждение 1 материала, предназначенного для формирования нитевидных кристаллов. Температуру подложки выбирают таким образом, чтобы обеспечить диффузионное движение атомов по подложке, но не допустить плавления конденсируемого материала. Одновременно с термическим испарением 1 проводят импульсную фотонную обработку (ИФО) 3 поверхности подложки, обеспечивая тем самым дополнительный нагрев приповерхностного слоя. Мощность ИФО выбирают максимально большой (1,6÷2,4 Вт/см2), при которой реиспарение конденсируемых атомов незначительно. Для получения нитевидных кристаллов максимальной длины конденсацию проводят до тех пор, пока интегральная (суммарная) толщина полученного конденсата не станет равной 1 мкм. Технический результат - получение твердотельных регулярно расположенных на подложке нитевидных кристаллов необходимой длины (до 10 мкм) из различных металлов и полупроводников, пригодных для термического испарения, обладающих стойкостью к внешней среде (температуре, давлению, свету), на поверхности любой подложки, содержащей упорядоченные дефекты. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Использование: для формирования наноточек на поверхности кристалла. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют конденсацию на поверхность подложки материала, предназначенного для формирования наноточек, при этом в вакууме получают скол монокристалла, который используют в качестве подложки, на которой создают регулярно расположенные точечные дефекты, для чего наносят на поверхность подложки резист, далее поверхность подложки экспонируют через шаблон электромагнитным излучением, после чего удаляют облученные участки резиста, далее облучают поверхность подложки жестким электромагнитным излучением для образования точечных дефектов в местах, где удален резист, затем на поверхность подложки проводят конденсацию материала, предназначенного для формирования наноточек, в течение времени tкр, необходимого для получения наноточек диаметром dp, при этом повышают температуру подложки до значения, априори достаточного для обеспечения роста зародышей конденсата на созданных точечных дефектах и отсутствия зародышей между этими дефектами, после чего удаляют остатки резиста. Технический результат: обеспечение возможности создания простой и эффективной технологии получения твердотельных регулярно расположенных на подложке наночастиц (наноточек) необходимого диаметра из различных металлов и полупроводников, пригодных для термического испарения, на поверхности любого монокристалла. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и наноэлектроники, а именно к технологии формирования упорядоченных наноструктур на поверхности твердого тела, и может быть использовано для создания проводников, длина которых на несколько порядков превышает его диаметр (нанопроволоки)
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и наноэлектроники, а именно к технологии формирования упорядоченных наноструктур на поверхности твердого тела
