Патенты автора Тюрнев Владимир Вениаминович (RU)

Оптический многослойный полосно-пропускающий фильтр относится к оптической технике терагерцового диапазона и может быть использован в оптических устройствах связи и измерительной аппаратуре. Фильтр содержит чередующиеся диэлектрические слои из материалов с высоким и низким показателями преломления, образующие зеркально-симметричную конструкцию. Все диэлектрические слои с низким показателем преломления выполнены из одного материала. Часть диэлектрических слоев имеет полуволновую толщину и является резонаторами фильтра, а остальные диэлектрические слои имеют четвертьволновую толщину и образуют многослойные диэлектрические зеркала, отделяющие резонаторы фильтра друг от друга и от внешнего пространства. Все диэлектрические слои с высокими показателями преломления выполнены из метаматериалов, представляющих собой диэлектрическую матрицу с металлическими наночастицами, оптимальные значения показателей преломления которых для каждого многослойного зеркала и каждого резонатора обеспечиваются оптимальной относительной объемной концентрацией металлических наночастиц в диэлектрической матрице метаматериала. Техническим результатом является уменьшение числа слоев в многослойных диэлектрических зеркалах полосно-пропускающего фильтра и расширение его нижней и верхней полосы заграждения. 1 табл., 6 ил.

Полосно-пропускающая частотно-селективная поверхность относится к микроволновой и оптической технике и может быть использовано в антеннах систем связи, преобразователях частоты и спектрометрах в диапазоне от сантиметровых до микронных длин волн. Частотно-селективная поверхность содержит разделенные слоями диэлектрика чередующиеся нерезонансные субволновые металлические решетки индуктивного и емкостного типа, выполненные соответственно в виде квадратных окон в металлическом слое и в виде плоских квадратных проводников, отличающаяся тем, что в ней все слои диэлектрика имеют одинаковую толщину величиною менее четверти длины волны в диэлектрике на центральной частоте полосы пропускания, а их количество равно удвоенному порядку полосно-пропускающего фильтра, являющегося частотно-селективной поверхностью. Техническим результатом изобретения является возможность ее изготовления с использованием пластин диэлектрика стандартной толщины. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для уменьшения радиолокационной заметности объектов военной техники, например летательных аппаратов. Сверхширокополосное поглощающее покрытие содержит диэлектрические слои, на поверхности которых нанесена двумерно-периодическая решетка из полосок металла. Эти решетки располагаются на всех поверхностях слоев за исключением внешней поверхности последнего слоя, на которой расположен проводящий отражающий экран. Оптическая толщина диэлектрических слоев равна четверти длины волны на центральной частоте рабочего диапазона поглощающего покрытия. Технический результат заключается в расширении полосы рабочих частот поглощающего покрытия. 4 ил.

Многослойный полосно-пропускающий фильтр содержит параллельные слои диэлектрика резонансной толщины, каждый из которых отделен один от другого и от окружающего пространства плоской решеткой параллельных тонкопленочных полосковых проводников с упорядоченными осями. При этом оси любых двух соседних решеток ортогональны. Технический результат изобретения заключается в улучшении селективных свойств фильтра, выражающемся в расширении верхней полосы заграждения за счет значительного повышения частоты второй моды колебаний двухслойных резонаторов по сравнению с частотой первой моды колебаний. 2 ил.

Многослойный полосно-пропускающий фильтр, относящийся к микроволновой и оптической технике, содержит параллельные слои диэлектрика резонансной толщины, каждый из которых отделен один от другого и от окружающего пространства прилегающими зеркалами. При этом каждое его зеркало выполнено в виде плоской решетки полосковых проводников. Техническим результатом изобретения является улучшение селективных свойств фильтра, выражающееся в расширении полос заграждения выше и ниже полосы пропускания за счет значительного сужения паразитных полос пропускания. 3 ил.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для использования в качестве активного элемента в таких устройствах волноводного тракта, как управляемые магнитным полем полосовые фильтры, фазовращатели и амплитудные модуляторы. Технический результат состоит в повышении активности пленочной магнитной структуры, то есть ее способности изменять свою высокочастотную эффективную магнитную проницаемость под воздействием внешнего управляющего магнитного поля. Структура содержит тонкопленочные металлические ферромагнитные слои, каждый из которых отделен от соседнего слоя немагнитным диэлектрическим слоем разбиением. Все тонкопленочные металлические ферромагнитные слои разбиты на множество электрически изолированных участков, размеры которых меньше одной восьмой части от длины электромагнитной волны в слое немагнитного диэлектрика. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Фильтр может быть использован в оптических устройствах связи и спектрометрах комбинационного рассеяния света. Фильтр содержит диэлектрическую подложку с нанесенными на нее тонкопленочными слоями диэлектриков с чередующимися высоким показателем преломления nH и низким показателем преломления nL. Часть слоев из материала с показателем преломления nL является резонаторами, имеющими электрическую толщину π на центральной частоте полосы пропускания. Все остальные слои образуют многослойные диэлектрические зеркала, отделяющие каждый резонатор от соседнего резонатора, диэлектрической подложки или внешнего пространства. В каждом i-ом зеркале электрическая толщина θLi слоев с показателем преломления nL меньше π/2, а электрическая толщина θHi слоев с показателем преломления nH превышает π/2 на ΔθHi и 2ΔθHi для наружных и внутренних слоев, соответственно, где величины θLi и ΔθHi удовлетворяют уравнению . Технический результат - обеспечение практически любой требуемой ширины полосы пропускания при практически любой неравномерности коэффициента прохождения света в этой полосе. 2 ил., 1 табл.

Фильтр может быть использован в оптических устройствах связи и спектрометрах комбинационного рассеяния света. Фильтр содержит полуволновые слои диэлектрика, являющиеся резонаторами, и прилегающие к ним многослойные диэлектрические зеркала, разделяющие один резонатор от другого и от окружающего пространства, все вместе образующие симметричную конструкцию. Период i-го многослойного диэлектрического зеркала выражается конструкцией ABiCiBi, где A, Bi, Ci - три слоя диэлектриков с показателями преломления nA>nB>nC, одинаковыми во всех многослойных диэлектрических зеркалах. Слой A во всех многослойных диэлектрических зеркалах имеет электрическую толщину θA=π/2, а электрические толщины θBi и θCi слоев диэлектриков Bi и Ci зависят от места расположения многослойного диэлектрического зеркала и удовлетворяют единому условию t g 2 θ B i t g θ C i = 2 n B n C / ( n B 2 + n C 2 ) . Технический результат - возможность реализации практически любой требуемой ширины полосы пропускания фильтра и уменьшение неравномерности коэффициента прохождения света в этой полосе. 2 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 табл.

Фильтр может быть использован в оптических устройствах связи и спектрометрах комбинационного рассеяния света. Фильтр содержит симметричную конструкцию из чередующихся диэлектрических слоев с высоким и низким показателем преломления, образующую систему однослойных резонаторов, разделенных один от другого и от окружающего пространства прилегающими многослойными зеркалами. Диэлектрический слой каждого резонатора имеет оптическую толщину λ/2, каждый диэлектрический слой в каждом многослойном зеркале имеет оптическую толщину λ/4, где λ - длина волны на центральной частоте полосы пропускания. Диэлектрические слои в зеркалах выполнены, по меньшей мере, из трех материалов с неодинаковыми показателями преломления и отражательная способность зеркал убывает по мере отдаленности зеркала от центра конструкции. Техническим результатом изобретения является уменьшение неравномерности коэффициента прохождения света в полосе пропускания фильтра, а также уменьшение потерь. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может использоваться в селективных трактах приемных и передающих систем. Технический результат - увеличение уровня подавления в полосах заграждения. Полосно-пропускающий СВЧ фильтр, содержащий полосковые резонаторы на подвешенной подложке, каждый из которых образован парой П-образных полосковых проводников, расположенных друг над другом на разных сторонах подложки и развернутых разомкнутыми концами навстречу друг другу, при этом между проводниками соседних резонаторов расположен хотя бы один дополнительный полосковый проводник, замкнутый одним концом на экран. 4 ил.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот. Технический результат - увеличение протяженности полосы заграждения фильтра и уровня затухания в ней. Полосковый фильтр с широкой полосой заграждения, содержащий подвешенную между экранами диэлектрическую пластину, на обе поверхности которой нанесены короткозамкнутые смежными концами с одного ее края полосковые проводники резонаторов, отличается тем, что внутри диэлектрической пластины расположены дополнительные полосковые проводники, короткозамкнутые одним концом с противоположного края диэлектрической пластины. 6 ил.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для объединения или разделения сигналов на двух несущих частотах

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов на двух несущих частотах

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов

 


Наверх