Патенты автора Ерофеев Евгений Викторович (RU)
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения СВЧ монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений типа AIIIBV, в частности к созданию гетероструктурных СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов. Способ формирования затвора является одним из ключевых этапов технологического процесса производства полупроводниковых приборов, в том числе СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов. Для приборов, работающих в СВЧ-диапазоне, изготавливают затворы Т-образной формы с субмикронной длиной основания, обладающие меньшим сопротивлением и емкостью. Для создания Т-образных затворов используются многослойные системы резистов, топологический рисунок в которых формируется известными литографическими методами. Изобретение обеспечивает одновременное повышение разрешающей способности и производительности технологических процессов формирования субмикронного Т-образного затвора. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к технологии сверхвысокочастотной (СВЧ) микроэлектроники, а именно к технологии формирования мощных GaN транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем (СВЧ МИС) на их основе и, в частности, к созданию термостабильных низкорезистивных омических контактов к гетеропереходам AlGaN/GaN. Поверхность полупроводниковой кремниевой пластины с эпитаксиальной гетероструктурой AlGaN/GaN подвергается химической очистке с формированием двухслойной фоторезистивной маски с последующим плазмохимическим травлением рецесса (заглубления) в барьерном слое на основе AlGaN. Далее производится последовательное осаждение тонких пленок барьерообразующего слоя на основе тантала (Та) толщиной 5-100 нм, слоя проводника на основе алюминия (Al) толщиной 5-1000 нм и верхнего защитного слоя на основе тантала (Та) толщиной 5-1000 нм. При этом осаждение пленки проводника производится методом электронно-лучевого испарения, а пленок барьерообразующего и защитного слоев - методами магнетронного распыления в вакууме при остаточном давлении. Затем производится удаление двухслойной фоторезистивной маски с последующей термической обработкой контактов в инертной атмосфере. Изобретение обеспечивает повышение термической стабильности электрических параметров омического контакта на основе композиции Ta/Al/Ta, а также улучшение морфологии поверхности его контактной площадки. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Способ формирования Т-образного затвора // 2686863
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения СВЧ монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений типа AIIIBV, в частности к созданию гетероструктурных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов. На поверхность полупроводниковой пластины методом магнетронного испарения в вакууме при остаточном давлении менее р=5×10-6 торр производилось осаждение пленки барьерообразующего слоя на основе титана толщиной 30 нм. Далее методом центрифугирования формировалась двухслойная маска на основе резистов LOR5B/495PMMA. Каждый слой резиста наносился на подложку методом центрифугирования, с последующей сушкой при температуре 180°C в течение 5 минут. Экспонирование производилась с помощью системы электронно-лучевой нанолитографии Raith-150TWO с энергией электронов 30 кэВ. Проявление верхнего слоя резиста типа 495РММА осуществлялось в растворе метилизобутилкетона (МИБК) с изопропиловым спиртом (ИПС) (1:1) в течение 60 с, нижнего слоя LOR5B с последующей промывкой в изопропиловом спирте и сушкой в потоке азота. Далее производилось напыление металлизации Т-образного затвора на основе пленок Pt/Au (25/400 нм) методом электронно-лучевого исправления и вакууме. После извлечения пластины из вакуумной камеры производилось удаление резистивной маски, с последующим селективным плазмохимическим травлением пленки барьеробразующего слоя на основе Ti на твердой маске Au на поверхности пластины. Технический результат заключается в повышении термической стабильности электрических характеристик Т-образного затвора, формируемого методами проекционной литографии при использовании «щели» в диэлектрике. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к технологии силовой электроники, а именно к технологии получения дискретных силовых транзисторов на основе нитрида галлия, работающих в режиме обогащения. На поверхность полупроводниковой пластины с эпитаксиальной гетероструктрурой типа p-GaN/AlGaN/GaN плазмохимическими методами производится осаждение тонкой пленки диэлектрика на основе нитрида кремния толщиной от 1 до 50 нм. Далее формируется двухслойная резистивная маска. Затем пластина загружается в установку напыления тонких пленок в вакууме, где производится осаждение пленок на основе палладия толщиной 10-500 нм. Далее производится извлечение пластины из вакуумной камеры с последующим удалением резистивной маски. Далее методом селективного плазмохимического травления по твердой маске затворов формируется подзатворная p-GaN меза-область, а также межприборная меза-изоляция с последующим формированием омических контактов к областям стока и истока GaN транзистора. Изобретение обеспечивает увеличение напряжения управления на затворе GaN транзистора при использовании пленок барьерных металлов к р-GaN подзатворной области с высокой работой выхода электронов, таких как Ni, Pd и Ti. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к технологии силовой электроники, а именно к технологии получения дискретных силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), работающих в режиме обогащения. В способе увеличения порогового напряжения отпирания GaN транзистора, включающем создание на поверхности кремниевой пластины с эпитаксиальной гетероструктурой типа p-GaN/AlGaN/GaN подзатворной р-GaN меза-области, межприборной меза-изоляции, формирование омических контактов к областям стока и истока транзистора, формирование двухслойной резистивной маски литографическими методами, очистку поверхности полупроводника, осаждение тонких пленок затворной металлизации, извлечение пластины из вакуумной камеры установки напыления, удаление резистивной маски, перед напылением тонких пленок затворной металлизации пластину подвергают обработке в атмосфере атомарного водорода в течение t=10-60 секунд при температуре Т=20-150°С и плотности потока атомов водорода на поверхность пластины, равной 1013-1016 ат. см-2 с-1. Изобретение обеспечивает увеличение порогового напряжения отпирания GaN транзистора при использовании пленок барьерных металлов к p-GaN подзатворной области с высокой работой выхода электронов. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем (МИС) на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Изобретение обеспечивает получение МИС на основе полупроводниковых соединений AIIIBV с более низкой себестоимостью изготовления за счет использования металлизации, в которой минимизировано содержание драгоценных металлов, по технологии, совместимой с технологией Si микроэлектроники, для формирования современных приборов гетероинтегрированной электроники. Устройство содержит полупроводниковую пластину с активным слоем, содержащим канальный и контактный слои, включающее активные и пассивные элементы, выполненные на основе омических контактов, затворов, нижней обкладки конденсаторов, резистивного слоя, металлизации первого, второго и третьего уровней, первого, второго, третьего и четвертого слоев защитного диэлектрика, сквозных отверстий и металлизации обратной стороны. Металлизации первого, второго уровней и обратной стороны выполнены на основе Cu, а омических контактов и затворов - на основе Al. 17 з.п. ф-лы, 15 ил.
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР // 2540234
Изобретение относится к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединении AIIIBV, в частности к созданию сверхвысокочастотных транзисторов, в которых минимизировано содержание драгоценных металлов. Изобретение обеспечивает повышение надежности работы за счет увеличения термической стабильности параметров устройства. Сверхвысокочастотный транзистор, выполненный на основе полупроводниковой пластины с канальными и контактными слоями, включает омические контакты истока и стока и затвор, содержащий барьерообразующий, проводящий и пассивирующий слои. Омические контакты истока и стока выполнены на основе тонких пленок Pd, Ge и Al общей толщиной 5-500 нм, а барьерообразующий, проводящий и пассивирующий слои затвора выполнены на основе тонких пленок Ti толщиной 10-200 нм, Al толщиной 5-1000 нм, Ti толщиной 10-1000 нм соответственно. 7 з.п. ф-лы, 13 ил.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения тонкопленочных металлических соединений
Изобретение относится к технологии микроэлектроники
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения дискретных приборов и интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIB V, в частности к созданию омических контактов для областей стока и истока полевых транзисторов с барьером Шоттки, а также гетероструктурных транзисторов с высокой подвижностью электронов
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения дискретных приборов и интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и направлено на уменьшение величины приведенного контактного сопротивления многослойных омических контактов Ge/Au/Ni/Ti/Au
СПОСОБ ХАЛЬКОГЕНИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ GaAs // 2406182
Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник
СПОСОБ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ GaAs // 2402103
Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп АIIIBV, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник
