Патенты автора Ишуткин Сергей Владимирович (RU)
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Способ формирования оптически прозрачного омического контакта к поверхности полупроводникового оптического волновода электрооптического модулятора, выполненного на основе p-i-n гетероэпитаксиальной InP/InGaAs структуры включает напыление контактной пленки электрода на поверхность p+-InGaAs методом магнетронного распыления с последующим нанесением на ее поверхность диэлектрического слоя нитрида кремния методом плазмохимического осаждения, формирование диэлектрической маски путем проведения операций нанесения/экспонирования и проявления фоторезистивных плёнок с последующим плазмохимическим травлением диэлектрических плёнок, удалением фоторезистивной маски, плазмохимическим травлением контактной пленки электрода и полупроводника p-типа проводимости по маске сформированного диэлектрического рисунка, формированием диэлектрической маски путем проведения операций нанесения/экспонирования и проявления фоторезистивных плёнок с последующим плазмохимическим травлением диэлектрических плёнок, удалением фоторезистивной маски, плазмохимическим травлением полупроводника i-типа проводимости по маске сформированного диэлектрического рисунка, удалением остатков диэлектрической маски плазмохимическим травлением с последующим проведением отжига сформированной топологии контактной пленки электрода, формированием диэлектрической маски путем проведения операций нанесения/экспонирования и проявления фоторезистивных плёнок с последующим плазмохимическим травлением диэлектрических плёнок, удалением фоторезистивной маски, плазмохимическим травлением полупроводника n-типа проводимости по маске сформированного диэлектрического рисунка и удаление остатков диэлектрической маски плазмохимическим травлением, а в качестве контактной пленки электрода используется оптически прозрачная электропроводящая пленки ITO, осажденная методом реактивного магнетронного распыления. Достигаемый технический результат заключается в обеспечении прозрачности омического контакта управляющего электрода ЭОМ для проходящего сквозь контакт оптического излучения, возможности формирования ЭОМ по технологии самосовмещенного с волноводом управляющего электрода, а также в обеспечении увеличения процента выхода годных образцов ЭОМ и улучшения качества изготавливаемого контакта. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем (МИС) на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Изобретение обеспечивает получение МИС на основе полупроводниковых соединений AIIIBV с более низкой себестоимостью изготовления за счет использования металлизации, в которой минимизировано содержание драгоценных металлов, по технологии, совместимой с технологией Si микроэлектроники, для формирования современных приборов гетероинтегрированной электроники. Устройство содержит полупроводниковую пластину с активным слоем, содержащим канальный и контактный слои, включающее активные и пассивные элементы, выполненные на основе омических контактов, затворов, нижней обкладки конденсаторов, резистивного слоя, металлизации первого, второго и третьего уровней, первого, второго, третьего и четвертого слоев защитного диэлектрика, сквозных отверстий и металлизации обратной стороны. Металлизации первого, второго уровней и обратной стороны выполнены на основе Cu, а омических контактов и затворов - на основе Al. 17 з.п. ф-лы, 15 ил.
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР // 2540234
Изобретение относится к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединении AIIIBV, в частности к созданию сверхвысокочастотных транзисторов, в которых минимизировано содержание драгоценных металлов. Изобретение обеспечивает повышение надежности работы за счет увеличения термической стабильности параметров устройства. Сверхвысокочастотный транзистор, выполненный на основе полупроводниковой пластины с канальными и контактными слоями, включает омические контакты истока и стока и затвор, содержащий барьерообразующий, проводящий и пассивирующий слои. Омические контакты истока и стока выполнены на основе тонких пленок Pd, Ge и Al общей толщиной 5-500 нм, а барьерообразующий, проводящий и пассивирующий слои затвора выполнены на основе тонких пленок Ti толщиной 10-200 нм, Al толщиной 5-1000 нм, Ti толщиной 10-1000 нм соответственно. 7 з.п. ф-лы, 13 ил.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники
СПОСОБ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ GaAs // 2402103
Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп АIIIBV, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник
