Патенты автора Кагадей Валерий Алексеевич (RU)

МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОЕДИНЕНИЯ // 2601203

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем (МИС) на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Изобретение обеспечивает получение МИС на основе полупроводниковых соединений AIIIBV с более низкой себестоимостью изготовления за счет использования металлизации, в которой минимизировано содержание драгоценных металлов, по технологии, совместимой с технологией Si микроэлектроники, для формирования современных приборов гетероинтегрированной электроники. Устройство содержит полупроводниковую пластину с активным слоем, содержащим канальный и контактный слои, включающее активные и пассивные элементы, выполненные на основе омических контактов, затворов, нижней обкладки конденсаторов, резистивного слоя, металлизации первого, второго и третьего уровней, первого, второго, третьего и четвертого слоев защитного диэлектрика, сквозных отверстий и металлизации обратной стороны. Металлизации первого, второго уровней и обратной стороны выполнены на основе Cu, а омических контактов и затворов - на основе Al. 17 з.п. ф-лы, 15 ил.

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР // 2540234

Изобретение относится к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединении AIIIBV, в частности к созданию сверхвысокочастотных транзисторов, в которых минимизировано содержание драгоценных металлов. Изобретение обеспечивает повышение надежности работы за счет увеличения термической стабильности параметров устройства. Сверхвысокочастотный транзистор, выполненный на основе полупроводниковой пластины с канальными и контактными слоями, включает омические контакты истока и стока и затвор, содержащий барьерообразующий, проводящий и пассивирующий слои. Омические контакты истока и стока выполнены на основе тонких пленок Pd, Ge и Al общей толщиной 5-500 нм, а барьерообразующий, проводящий и пассивирующий слои затвора выполнены на основе тонких пленок Ti толщиной 10-200 нм, Al толщиной 5-1000 нм, Ti толщиной 10-1000 нм соответственно. 7 з.п. ф-лы, 13 ил.

ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОЕДИНЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2460172

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs // 2458430

Изобретение относится к технологии микроэлектроники

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО МЕДНО-ГЕРМАНИЕВОГО СОЕДИНЕНИЯ // 2458429

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения тонкопленочных металлических соединений

ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОЕДИНЕНИЯ // 2442243

Изобретение относится к технологии микроэлектроники

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Cu-Ge ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs // 2436184

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения дискретных приборов и интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIB V, в частности к созданию омических контактов для областей стока и истока полевых транзисторов с барьером Шоттки, а также гетероструктурных транзисторов с высокой подвижностью электронов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ge И Cu // 2422941

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения дискретных приборов и интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К n-GaAs // 2407104

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и направлено на уменьшение величины приведенного контактного сопротивления многослойных омических контактов Ge/Au/Ni/Ti/Au

СПОСОБ ХАЛЬКОГЕНИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ GaAs // 2406182

Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник

СПОСОБ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ GaAs // 2402103

Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп АIIIBV, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник