Патенты автора Носаева Ксения Сергеевна (RU)
Изобретение относится к технологии микроэлектроники
СПОСОБ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ GaAs // 2402103
Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп АIIIBV, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник
