Патенты автора Галуцкий Валерий Викторович (RU)
Изобретение относится к лазерной технике. Монокристаллический материал на основе ниобата лития, с неоднородным распределением лития по заданному закону вдоль активного лазерного элемента, характеризуется следующей структурной формулой:Lia(z)Nbb(z)O3 где: a(z)=p*F(z), где 0,99≤a(z)≤1; b(z)=a(z)/R, где R=Li/Nb, где 0,93≤b(z)≤0,96; F(z)=th(z); p=49,98 ат. % или 0,9996 ат. доли; R=k*x, 0,94≤x≤0,96, z - пространственная координата, направленная вдоль длины кристалла (см) в системе отсчета, берущей начало на входной грани. Предлагаемый материал обладает повышенной оптической эффективностью. Техническим результатом является повышение эффективности периодически поляризованного ниобата лития в ИК-области спектра. 2 ил., 2 табл.
Изобретение относится к области лазерной техники и касается монокристаллического материала для дисковых лазеров. Монокристаллический материал выполнен на основе алюмоиттриевого граната, активированного ионами иттербия. При этом исходные компоненты взяты в соответствии со структурной формулой Yba(z):Y3-a(z)Al5O12,
где
- функция изменения концентрационного профиля,
z - ось направления формирования концентрационного профиля кристалла, 0<z<1,2. Технический результат заключается в обеспечении сглаженного распределения теплового поля, отсутствии тепловой линзы внутри активного элемента и увеличении предельного размера генерируемого объема в активном элементе. 3 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области лазерной техники и касается монокристаллического материала с неоднородным распределением оптических примесей по заданному закону вдоль активного лазерного элемента со следующей структурной формулой:
где
где z - пространственная координата, направленная вдоль длины кристалла и определяющая изменение концентрационного профиля ионов эрбия и иттербия, в системе отсчета, берущей начало на входной грани активного элемента, и имеющая значения от 0 до 1 см. Технический результат заключается в повышении эффективности продольной накачки активного лазерного элемента. 5 ил., 1 табл.
Изобретение относится к технике получения монокристаллов полупроводниковых и диэлектрических соединений и их твердых растворов в виде слитка с заданным наперед распределением состава по длине слитка (концентрационно-профилированных слитков) и может найти применение в производстве монокристаллов
