Патенты автора Строганова Елена Валерьевна (RU)
Устройство для измерения комплексных коэффициентов передачи и отражения четырехполюсников СВЧ // 2774501
Изобретение относится к области радиоизмерений. Устройство для измерения комплексных коэффициентов передачи и отражения четырехполюсников СВЧ содержит преобразователь СВЧ и двухканальный приемник промежуточной частоты. В состав преобразователя СВЧ входят первый направленный ответвитель, второй направленный ответвитель, испытуемый четырехполюсник СВЧ, третий направленный ответвитель, четвертый направленный ответвитель, первый переключатель, второй переключатель, первый смеситель СВЧ, второй смеситель СВЧ, третий смеситель СВЧ, третий переключатель, четвертый смеситель СВЧ, четырехплечий делитель вторых испытательных СВЧ-сигналов, двухчастотный синтезатор когерентных испытательных СВЧ-сигналов. При этом в состав двухканального приемника промежуточной частоты входят четвертый переключатель, дополнительный генератор, равноплечий делитель, пятый переключатель, шестой переключатель, седьмой переключатель, восьмой переключатель, девятый переключатель, переменный аттенюатор, блок управления, первый дискретно регулируемый операционный усилитель. Достигается повышение точности измерения комплексных коэффициентов передачи и отражения четырехполюсников СВЧ. 1 ил.
Изобретение относится к лазерной технике. Монокристаллический материал на основе ниобата лития, с неоднородным распределением лития по заданному закону вдоль активного лазерного элемента, характеризуется следующей структурной формулой:Lia(z)Nbb(z)O3 где: a(z)=p*F(z), где 0,99≤a(z)≤1; b(z)=a(z)/R, где R=Li/Nb, где 0,93≤b(z)≤0,96; F(z)=th(z); p=49,98 ат. % или 0,9996 ат. доли; R=k*x, 0,94≤x≤0,96, z - пространственная координата, направленная вдоль длины кристалла (см) в системе отсчета, берущей начало на входной грани. Предлагаемый материал обладает повышенной оптической эффективностью. Техническим результатом является повышение эффективности периодически поляризованного ниобата лития в ИК-области спектра. 2 ил., 2 табл.
Изобретение относится к области лазерной техники и касается монокристаллического материала для дисковых лазеров. Монокристаллический материал выполнен на основе алюмоиттриевого граната, активированного ионами иттербия. При этом исходные компоненты взяты в соответствии со структурной формулой Yba(z):Y3-a(z)Al5O12,
где
- функция изменения концентрационного профиля,
z - ось направления формирования концентрационного профиля кристалла, 0<z<1,2. Технический результат заключается в обеспечении сглаженного распределения теплового поля, отсутствии тепловой линзы внутри активного элемента и увеличении предельного размера генерируемого объема в активном элементе. 3 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области лазерной техники и касается монокристаллического материала с неоднородным распределением оптических примесей по заданному закону вдоль активного лазерного элемента со следующей структурной формулой:
где
где z - пространственная координата, направленная вдоль длины кристалла и определяющая изменение концентрационного профиля ионов эрбия и иттербия, в системе отсчета, берущей начало на входной грани активного элемента, и имеющая значения от 0 до 1 см. Технический результат заключается в повышении эффективности продольной накачки активного лазерного элемента. 5 ил., 1 табл.
Изобретение относится к технике получения монокристаллов полупроводниковых и диэлектрических соединений и их твердых растворов в виде слитка с заданным наперед распределением состава по длине слитка (концентрационно-профилированных слитков) и может найти применение в производстве монокристаллов
