Патенты автора Тимошенко Николай Иванович (RU)

Изобретение может быть использовано в электронике и оптике. Устройство для нанесения алмазных покрытий содержит вакуумную камеру, в которой расположены разрядная камера 14 и камера осаждения 5, сообщающиеся между собой через коническое сопло 4, вершина которого направлена в разрядную камеру 14, отделённую герметичной диэлектрической вставкой 10 из кварца от атмосферной части, в которой расположен источник СВЧ-излучения - магнетрон. На подложкодержателе, покрытом расплавленным металлом - сплавом Розе, установлена водоохлаждаемая подложка 6. Средство для подачи водорода 1 выполнено с возможностью его подачи непосредственно в разрядную камеру 14. Средство для подачи углеродсодержащего газа выполнено в виде отдельного канала 2 на входе в коническое сопло 4. Изобретение обеспечивает высокую скорость осаждения алмазного покрытия и его высокое качество. 2 ил.

Изобретение может быть использовано для получения алмазных покрытий. В разрядную камеру 14 подают водород 1 и углеродосодержащий газ 2. Полученную смесь активируют с помощью СВЧ разряда с образованием плазменного облака 3. Разрядная камера 14 и камера осаждения 5 отделены друг от друга, но сообщаются между собой через коническое сопло 4. Активированную смесь газов пропускают через коническое сопло 4 в камеру осаждения 5, где с помощью сверхзвуковой струи 8 активированной смеси газов осуществляют процесс осаждения и образования кристаллов алмаза на поверхности водоохлаждаемой подложки 6. На поверхность подложкодержателя сначала наносят расплавленный металл - сплав Розе, а затем устанавливают подложку 6. Перед осаждением поверхность подложки 6 очищают и обрабатывают атомарным водородом без выноса подложки в атмосферу. Водород 1 подают непосредственно в разрядную камеру 14, а углеродсодержащий газ подают в отдельный канал 2 на входе в коническое сопло 4. Обеспечиваются высокая скорость осаждения и повышается качество алмазных плёнок. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к химическому газофазному способу нанесения покрытий и может быть использовано в микроэлектронике, медицине, химической, текстильной и других областях промышленности

 


Наверх