Патенты автора ПЕТРИК Адольф (DE)
СПОСОБ И СИСТЕМА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОСИЛАНА // 2551493
Изобретение относится к химической промышленности. Система для получения моносилана содержит реакционную колонну (100) с питающей трубой (101) для подачи трихлорсилана и с отводящей трубой (102) для полученного тетрахлорида кремния с одним конденсатором (103), через который полученный моносилан отводят из реакционной колонны. Реакционная колонна содержит две реактивные/дистилляционные реакционные зоны (104, 105), которые работают при различных температурах и содержат различные каталитически активные твердые вещества. Изобретение позволяет увеличить скорость преобразования трехлорсилана в моносилансодержащую смесь. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 1 ил.
СПОСОБ И СИСТЕМА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТРИХЛОРСИЛАНА // 2547269
Описан способ получения трихлорсилана, в котором частицы кремния реагируют с тетрахлорсиланом, водородом и, необязательно, с хлористым водородом в реакторе (101) с кипящим слоем с получением потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта, причем поток содержащего трихлорсилан газообразного продукта отводят из реактора (101) через выпускное отверстие (117), перед которым установлен по меньшей мере один сепаратор (118) частиц, который избирательно пропускает только частицы кремния, размер которых меньше определенного максимального размера, и в котором предпочтительно через равномерные промежутки времени или непрерывно через по меньшей мере еще одно выпускное отверстие (109; 112) без такого сепаратора частиц частицы кремния отводят из реактора (101). Кроме того, описана система (100), которая пригодна для осуществления такого способа, и которая содержит первый реактор (101) с кипящим слоем и второй реактор (102) с кипящим слоем, которые соединены так, что кремний, удаляемый из первого реактора (101), можно направить во второй реактор (102). 2 н. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к технологии производства кремния высокой чистоты, который может быть использован в полупроводниковой промышленности, например, при изготовлении солнечных элементов или микрочипов. Для разложения используют моносилан, который смешивают с газом-носителем, представляющим собой водород или смесь водорода с инертным газом. Последний перед смешиванием нагревают в генераторе плазмы до температуры, превышающей температуру плавления кремния, после чего смесь моносилана и газа-носителя подают в реактор. За счет отдельного нагрева газа-носителя и последующего введения моносилана в предварительно нагретый газ-носитель получают высокочистый кремний в жидкой форме, который можно без проблем непрерывно отводить и тем самым избежать регулярных остановок и повторных запусков реактора для удаления кремния, выпавшего в осадок в твердой форме. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение может быть использовано в химической промышленности для получения высокочистого кремния. Способ включает этапы: получения трихлорсилана, получения моносилана посредством диспропорционирования трихлорсилана и термического разложения моносилана. Для получения трихлорсилана кремний реагирует с хлористым водородом в процессе гидрохлорирования. Параллельно получают реакционную смесь, содержащую трихлорсилан, в процессе конверсии тетрахлорида кремния, образующегося в качестве побочного продукта и взаимодействующего с кремнием и водородом. Система включает производственную установку для получения трихлорсилана, включающую по меньшей мере реактор для гидрохлорирования, реактор для конверсии, сборный резервуар для реакционной смеси, содержащей трихлорсилан, и сепаратор; установку для получения моносилана, включающую по меньшей мере реактор для диспропорционирования и сепаратор; и установку для термического разложения полученного моносилана, включающую по меньшей мере реактор для разложения моносилана. Установка для получения моносилана соединена с установкой для получения трихлорсилана с помощью обратного трубопровода. Изобретение позволяет оптимизировать процесс получения высокочистого кремния с повторным использованием и дальнейшей переработкой побочных продуктов. 2 н. и 34 з.п. ф-лы, 1 ил.
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА МОНОСИЛАНА // 2403964
Изобретение относится к установке и способу непрерывного производства моносилана и тетрахлорсилана посредством каталитической дисмутации трихлорсилана при рабочей температуре и давлении от 1 до 50 бар
