Патенты автора ЧЕН Лианг (CN)
Изобретение относится к способу получения каталитической композиции, содержащей подложку, содержащую TiO2, композитный оксид, содержащий ванадий и сурьму, который имеет структуру типа рутила, отличающуюся от VSbO4 и V0,92Sb0,92O4, определенную рентгеновским дифракционным анализом (XRD) с помощью Cu Kα излучения, и один или более оксид, выбранный из группы, состоящей из оксидов кремния, оксидов ванадия и оксидов сурьмы, где способ включает стадии: (i) смешивания оксида ванадия/сурьмы и необязательно источника кремния с подложкой, содержащей TiO2, в растворителе с получением суспензии; (ii) нанесения суспензии на субстрат; (iii) высушивания при температуре в диапазоне от 80 до 250°C; (iv) прокаливания при температуре в диапазоне от 550 до 700°C, где оксид ванадия/сурьмы, применяемый на стадии (i), получают посредством (a) предоставления суспензии, содержащей оксид (оксиды) ванадия и оксид (оксиды) сурьмы; и (b) высушивания суспензии с получением оксида ванадия/сурьмы при температуре в диапазоне от 80 до 250°C или где оксид ванадия/сурьмы, применяемый на стадии (i), получают посредством (a’) предоставления суспензии или раствора, содержащего источник ванадия и источник сурьмы; (b’) осаждения и отделения оксида ванадия/сурьмы от суспензии или раствора и (c’) при необходимости высушивания при температуре в диапазоне от 80 до 250°C, где ванадий, включая ванадий как в композитном оксиде ванадия и сурьмы, так и необязательном оксиде (оксидах) ванадия, присутствует в каталитической композиции в диапазоне от 0,5 до 6 % масс., предпочтительно от 1 до 4,5 % масс. и более предпочтительно от 2 до 4 % масс., вычисленный как элементарный V; и причем сурьма, включая сурьму как в композитном оксиде ванадия и сурьмы, так и необязательном оксиде (оксидах) сурьмы, присутствует в каталитической композиции в диапазоне от 0,8 до 16 % масс., предпочтительно от 3,5 до 14 % масс. и более предпочтительно от 5 до 10 % масс., вычисленная как элементарная Sb, и где композитный оксид, содержащий ванадий и сурьму, отличается дифракционным пиком XRD плоскости (110) при 2θ в диапазоне от 27,25 до 29,00° и дифракционным пиком XRD плоскости (101) при 2θ в диапазоне от 35,43 до 37,00°. Также изобретение относится к каталитической композиции и ее применению для селективного каталитического восстановления оксидов азота. Изобретение позволяет более эффективно удалять оксиды азота. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 табл., 8 пр., 4 ил.
Изобретение относится к катализаторам для каталитического крекинга псевдоожиженного слоя
