Патенты автора Буряк Валерий Юрьевич (RU)
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, методом Чохральского
Изобретение относится к устройствам для выращивания объемных монокристаллов из расплавов, например, сапфира методом Чохральского, Киропулоса, и может быть использовано в электронной и полупроводниковой промышленности
