Патенты автора Ушаков Николай Михайлович (RU)
Группа изобретений относится к области газового анализа, а именно к устройствам распознавания состава многокомпонентных газовых смесей и способам их изготовления. Мультиоксидный газоаналитический чип состоит из диэлектрической подложки, на фронтальную сторону которой нанесен набор компланарных полосковых электродов из благородного металла и тонкопленочных терморезисторов, а на обратную сторону - система тонкопленочных меандровых нагревателей, при этом в качестве газочувствительных материалов между полосковыми электродами используют наноструктуры оксидов цинка, марганца, кобальта и никеля, последовательно осажденные электрохимическим методом на различные полосковые электроды мультиэлектродного чипа, которые в совокупности формируют линейку хеморезистивных элементов, функционирующих в диапазоне температур от 200°С до 250°С, у которых изменяется сопротивление под воздействием примесей органических паров в окружающем воздухе. Процесс электрохимического синтеза оксидов цинка, марганца, кобальта и никеля проводят в емкости, заполненной водным электролитом и содержащей противоэлектрод и электрод сравнения. Технический результат заявляемой группы изобретений заключается в создании высокоселективного мультиоксидного газоаналитического чипа с низкой себестоимостью. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 7 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ХЕМОРЕЗИСТОРА НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР ОКСИДА КОБАЛЬТА ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ // 2677093
Изобретение относится к области сенсорной техники и нанотехнологий, в частности к разработке газовых сенсоров хеморезистивного типа, используемых для детектирования газов. Способ изготовления хеморезистора на основе наноструктур оксида кобальта электрохимическим методом характеризуется тем, что в емкости, оборудованной электродом сравнения и вспомогательным электродом, заполненной электролитом, содержащим нитрат-анионы и катионы кобальта, наноструктуры оксида кобальта осаждают на диэлектрическую подложку, оборудованную полосковыми электродами, выполняющими роль рабочего электрода, путем приложения к рабочему электроду постоянного электрического потенциала от -0,5 В до -1,1 В относительно электрода сравнения в течение 0,5-5 мин и при температуре электролита в диапазоне 20-80°C, после чего подложку с осажденным слоем наноструктур оксида кобальта промывают дистиллированной водой и высушивают при комнатной температуре. Изобретение обеспечивает возможность создания хеморезистора на основе наноструктур оксида кобальта электрохимическим методом с низкой себестоимостью в одноэтапном технологическом процессе. 6 з.п. ф-лы, 7 ил.
Использование: для преобразования солнечной энергии в электричество. Сущность изобретения заключается в том, что фотоэлектрический преобразователь содержит воронкообразные сквозные отверстия с просветляющим покрытием и толстопленочное покрытие (с обратной стороны), содержащее сферические микрочастицы, способные отражать сквозные солнечные лучи на грани сквозных отверстий. Технический результат: обеспечение возможности повышения КПД фотоэлектрического преобразователя. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИЛИКАТНОГО СТЕКЛА С УПРОЧНЯЮЩИМ ПОКРЫТИЕМ НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО ДИОКСИДА КРЕМНИЯ // 2529071
Изобретение относится к упрочняющим и защитным покрытиям для силикатного стекла и может быть использовано в стекольной промышленности. Техническим результатом изобретения является разработка способа получения стекла с упрочняющим покрытием на основе аморфного диоксида кремния. Способ включает синтез золя SiO2, нанесение частиц SiO2 на силикатное стекло, термообработку стекла с покрытием. Покрытие на основе аморфного SiO2 наносят методом окунания силикатного стекла в золь SiO2, синтезированный путем гидролиза тетраэтоксисилана (ТЭОС) с использованием уксусной кислоты (СН3СООН) в качестве катализатора реакций синтеза в среде этилового спирта (С2Н5ОН) при молярном соотношении компонентов ТЭОС/H2O/C2H5OH/СН3СООН=0.05-0.25/0.95-2/2-16/0.05-0.25. Вытягивание стекла из золя диоксида кремния осуществляют с контролируемой скоростью от 50 до 250 мм/мин, с последующей изотермической выдержкой стекла при температуре от 500±10 до 600±10°С в течение 15±5 мин. 2 пр.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛА С АНТИОТРАЖАЮЩИМ МЕЗОПОРИСТЫМ ПОКРЫТИЕМ НА ОСНОВЕ НАНОЧАСТИЦ SiO2
// 2503629
Изобретение относится к тонкопленочным просветляющим покрытиям на стекле и может быть использовано в стекольной промышленности и в электронике. Техническим результатом изобретения является получение антиотражающих покрытий на основе наночастиц SiO2, имеющих высокую адгезию к поверхности стекла. Способ получения стекла с антиотражающим мезопористым покрытием на основе наночастиц SiO2 включает предварительную подготовку стеклянной подложки, приготовление силиказоля со средним диаметром частиц 100 нм и низкой полидисперсностью, нанесение наночастиц SiO2 на стеклянную подложку, термообработку стекла с покрытием. Для улучшения адгезии покрытия к стеклу за счет функционализации и создания электростатического взаимодействия между подложкой и покрытием стекла выдерживают в 1% растворе 3-аминопропилтриэтоксисилана в этаноле (ω=96%) в течение 5-15 часов, сушат в атмосфере аргона, а слои наночастиц SiO2 наносят из силиказоля, синтезированного из тетраэтоксисилана в этиловом спирте в присутствии щелочного катализатора при молярном соотношении компонентов ТЭОС/C2H5OH/NH4OH/H2O=0,25/8/0,1/1,3. 2 пр.
Изобретение относится к области нанотехнологий
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИМЕРНЫХ НАНОКОМПОЗИТНЫХ ТОЛСТЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ // 2404915
Изобретение относится к способам и устройствам получения полимерных нанокомпозитных материалов в виде толстых пленок и может быть использовано в оптоэлектронике и радиоэлектронике при изготовлении функциональных электрических и токопроводящих структур устройств
